臺(tái)積電近日宣布開始計(jì)劃投資共100億美元左右的資金,來開發(fā)450mm晶圓工廠項(xiàng)目,預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將在2013年正式投產(chǎn),2015年將會(huì)在其基礎(chǔ)上進(jìn)行20nm制程產(chǎn)品的研發(fā),并實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)。 通過之前的信息可以知道,臺(tái)積電第二家
針對(duì)市場(chǎng)的謠傳紛紛,英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí),該公司將在美國(guó)興建的新晶圓廠,將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息,英特爾將在美國(guó)奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠,并將該公司其它位于美國(guó)的晶圓廠升級(jí)至22納米
2月14日來自臺(tái)北的消息,臺(tái)積電近日宣布開始計(jì)劃投資共100億美元左右的資金,來開發(fā)450mm晶圓工廠項(xiàng)目,預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將在2013年正式投產(chǎn),2015年將會(huì)在其基礎(chǔ)上進(jìn)行20nm制程產(chǎn)品的研發(fā),并實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)。通過之前的信息
來自臺(tái)北的消息,臺(tái)積電近日宣布開始計(jì)劃投資共100億美元左右的資金,來開發(fā)450mm晶圓工廠項(xiàng)目,預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將在2013年正式投產(chǎn),2015年將會(huì)在其基礎(chǔ)上進(jìn)行20nm制程產(chǎn)品的研發(fā),并實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)。通過之前的信息可以知
泡泡網(wǎng)顯卡頻道2月14日 來自臺(tái)北的消息,臺(tái)積電近日宣布開始計(jì)劃投資共100億美元左右的資金,來開發(fā)450mm晶圓工廠項(xiàng)目,預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將在2013年正式投產(chǎn),2015年將會(huì)在其基礎(chǔ)上進(jìn)行20nm制程產(chǎn)品的研發(fā),并實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)
臺(tái)積電宣布2011年資本支出將達(dá)78億美元,主要用擴(kuò)充65、45及28奈米產(chǎn)能。在78億元的資本支出中,其中81%用以擴(kuò)充65、45及28奈米產(chǎn)能,在81%中的9%,將用作20奈米及14奈米的研發(fā),預(yù)計(jì)2011年總產(chǎn)能將成長(zhǎng)20%,其中,1
鄭茜文 臺(tái)積電宣布2011年資本支出將達(dá)78億美元,主要用擴(kuò)充65、45及28奈米產(chǎn)能。在78億元的資本支出中,其中81%用以擴(kuò)充65、45及28奈米產(chǎn)能,在81%中的9%,將用作20奈米及14奈米的研發(fā),預(yù)計(jì)2011年總產(chǎn)能將成長(zhǎng)
在同樣的制程技術(shù)下,半導(dǎo)體晶圓的尺寸愈大,每單位晶圓可切割出的晶片數(shù)量愈多,有助降低制造成本。半導(dǎo)體晶圓大小從2寸、4寸、6寸、8寸,一路演進(jìn)到目前最大的12寸,創(chuàng)造晶片制造的生產(chǎn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)。以個(gè)人電腦晶片為
根據(jù) SEMI SMG (Silicon manufacturers Group)所公布的年終矽晶圓出貨報(bào)告, 2010年全球矽晶圓出貨面積較2009年成長(zhǎng)了40%;2010年半導(dǎo)體的總營(yíng)收也較2009年成長(zhǎng)45%。SEMI 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示, 2010年矽晶圓出貨總面積達(dá)
行政院昨天公告開放面板與晶圓登陸松綁,三月一日起接受廠商申請(qǐng)。友達(dá)光電、聯(lián)電及臺(tái)積電等高科技大廠紛紛表示「準(zhǔn)備好了」,下周起將陸續(xù)遞件申請(qǐng)。 經(jīng)濟(jì)部農(nóng)歷年前對(duì)外宣布新的產(chǎn)業(yè)別登陸松綁結(jié)果,包括開放6代
大陸國(guó)務(wù)院決定以租稅優(yōu)惠等政策大力扶植IC設(shè)計(jì)、晶圓制造及封測(cè)等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者登陸,預(yù)料形成龐大的磁吸效應(yīng),可望帶動(dòng)業(yè)者加快大陸布局。臺(tái)積電、日月光都表示,樂見彼岸推出這項(xiàng)新政策。國(guó)內(nèi)晶圓
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(10)日發(fā)布2011年1月營(yíng)收,就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,達(dá)新臺(tái)幣353.71億元,較去(2010)年12月成長(zhǎng)1.4%,和去年同期相比,更增加了17.4%。至于聯(lián)電(2303-TW)1月營(yíng)收則跌破百億元,來到
根據(jù)SEMI SMG (Siliconmanufacturers Group)所公布的年終矽晶圓出貨報(bào)告,2010年全球矽晶圓出貨面積較2009年成長(zhǎng)了40%,2010年半導(dǎo)體的總營(yíng)收也較2009年成長(zhǎng)45%。2010年矽晶圓出貨總面積達(dá)9,370百萬平方英寸,較20
根據(jù)SEMI SMG (Siliconmanufacturers Group)所公布的年終矽晶圓出貨報(bào)告,2010年全球矽晶圓出貨面積較2009年成長(zhǎng)了40%;2010年半導(dǎo)體的總營(yíng)收也較2009年成長(zhǎng)45%。2010年矽晶圓出貨總面積達(dá)9,370百萬平方英寸,較2009
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的最新預(yù)測(cè)報(bào)告, 2010年由供應(yīng)商出貨給各家晶圓廠的矽晶圓(silicon wafer)營(yíng)收成長(zhǎng)了43.0%,達(dá)到101.9億美元;估計(jì)該數(shù)字在 2011年還可成長(zhǎng)5.9%。但整體半導(dǎo)體IC市場(chǎng) 2010年?duì)I
加州大學(xué)研究人員已研究出可將微型雷射建在一塊矽晶片上,使強(qiáng)大、省電處理器的制造技術(shù)再上一層樓。本周日刊出的《自然光子學(xué)》雜志(Nature Photonics)報(bào)導(dǎo)此一重大進(jìn)展-在現(xiàn)有基礎(chǔ)架構(gòu)的晶片上制造出奈米雷射,但
在金融海嘯后,12寸晶圓需求快速成長(zhǎng),正式躍居市場(chǎng)主流,下一世代18寸晶圓的發(fā)展亦備受各方矚目,尤其英特爾將于新晶圓廠中,支持18寸晶圓技術(shù),臺(tái)積電也呼吁設(shè)備發(fā)展加速,不過,正是由于設(shè)備發(fā)展速度趕不上進(jìn)度,
面對(duì)三星(Samsung)、全球晶圓(GlobalFoundries)來勢(shì)洶洶的搶單攻勢(shì),臺(tái)積電也不遑多讓,除2011年資本支出(CAPEX)將再增加三成,全力發(fā)展40及28奈米等先進(jìn)制程外,也計(jì)劃在28奈米制程節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入18寸晶圓的生產(chǎn),進(jìn)一
臺(tái)灣臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing,TSMC)的日本法人——TSMC日本于2011年1月28日在東京舉辦了業(yè)務(wù)說明會(huì),介紹了2011年1月27日TSMC在臺(tái)灣公布的2010年業(yè)績(jī)及2011年設(shè)備投資計(jì)劃等。TSMC預(yù)計(jì)2011年除
臺(tái)灣積體電路公司(TSMC)發(fā)布2010年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,101.4億元,稅后純益為新臺(tái)幣407.2億元,每股盈余新臺(tái)幣1.57元;合計(jì)2010全年合并營(yíng)收達(dá)4,195.4億元,較2009年大幅成長(zhǎng)41.9%,創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。