臺灣臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）的日本法人——TSMC日本于2011年1月28日在東京舉辦了業(yè)務(wù)說明會，介紹了2011年1月27日TSMC在臺灣公布的2010年業(yè)績及2011年設(shè)備投資計劃等。TSMC預(yù)計2011年除存儲器外的半導(dǎo)體市場的增長率將比上年增長7％，而該公司的銷售額則計劃比上年增長20％。2011年的設(shè)備投資將創(chuàng)該公司歷史新高，達78億美元。

2010年全年銷售額為133億美元，比上年增長了48％，實現(xiàn)了大幅增收。最近的2010年10～12月的銷售額以臺幣結(jié)算比上季度減少了1.9％。這受到了臺幣升值的很大影響，“以美元結(jié)算則為比上季度增收”（TSMC日本董事社長小野寺誠）。比上年同期以臺幣結(jié)算增收19.6％。預(yù)計2011年1～3月的銷售額以臺幣結(jié)算將比上季度減少3～5％。但以美元結(jié)算則“基本與上季度持平”（小野寺誠）。

設(shè)備投資方面，2010年的投資額為創(chuàng)歷史最高記錄的59億美元。最近“連續(xù)6個季度，每季度投資10億美元以上”（小野寺誠）。如此積極的投資使2010年全年總產(chǎn)能（按200mm晶圓換算）比上年增加了14％。其中，65nm工藝以后尖端產(chǎn)品的產(chǎn)能同比增加了37％。

2011年TSMC的攻勢不減。計劃進一步加速設(shè)備投資。2011年全年的設(shè)備投資額將達到78億美元，比上年增長32％。由此，2011年全年總產(chǎn)能預(yù)定比上年增長20％。據(jù)稱上述設(shè)備投資額的81％將用于擴大65nm以后工藝的產(chǎn)能。研究開發(fā)費用方面，2011年全年將投資11億美元。主要用于20nm和14nm以下工藝的技術(shù)開發(fā)。

臺積電2011年之所以繼續(xù)進行如此果斷的投資，原因是看到了半導(dǎo)體需求的良好發(fā)展勢頭。特別是以40nm工藝為中心的尖端產(chǎn)品中“面向智能手機和平板終端的半導(dǎo)體需求正日益增長”（小野寺誠）。40nm工藝產(chǎn)品在全部銷售額中所占的比例在2010年初期僅僅為幾個百分點，但在2010年10～12月就增長到了21％。2011年將增加28nm工藝產(chǎn)品。預(yù)計在2011年10～12月，28nm工藝產(chǎn)品將占據(jù)整體銷售額的2～3％。2012年該比例將上升至兩位數(shù)。

TSMC在1月27日的臺灣發(fā)布會上，介紹了使用450mm晶圓的半導(dǎo)體生產(chǎn)相關(guān)計劃。首先，2013～2014年將建設(shè)面向20nm工藝的試產(chǎn)線（Pilot Line）。將在臺灣新竹“Fab12”的Phase6導(dǎo)入相應(yīng)生產(chǎn)設(shè)備。計劃2015～2016年建設(shè)量產(chǎn)生產(chǎn)線，將在臺中“Fab15”的Phase5導(dǎo)入相應(yīng)生產(chǎn)設(shè)備。（記者：大下 淳一）