淡季效應(yīng) 臺(tái)積10月?tīng)I(yíng)收 5個(gè)月新低

半導(dǎo)體業(yè)走過(guò)第3季高峰，第4季進(jìn)入傳統(tǒng)淡季，臺(tái)積電亦難逃淡季效應(yīng)，昨（8）日公布10月合并營(yíng)收517.95億元，較上個(gè)月下滑6.5％，并創(chuàng)下近5個(gè)月以來(lái)新低。 臺(tái)積電第3季合并營(yíng)收1,625億元，創(chuàng)單季新高，預(yù)估第4季介

如何使用氮化鎵：增強(qiáng)型氮化鎵晶體管的電學(xué)特性

對(duì)于一直使用功率MOSFET器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品的功率系統(tǒng)工程師來(lái)說(shuō)，使用更高效的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似，如果想發(fā)揮這種新世代器件的最

意法半導(dǎo)體FD-SOI技術(shù)配備Memoir嵌入式存儲(chǔ)器

比較：體校晶體管和FD-SOI晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月7日消息，據(jù)外媒 Electronicsweekly報(bào)道，Memoir Systems宣布已采用其算法內(nèi)存技術(shù)為意法半導(dǎo)體獨(dú)有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣

英特爾將為Altera代工 晶體管數(shù)超40億的64位ARM SoC

之前我們報(bào)道過(guò)英特爾將為Altera代工64位四核ARM芯片的消息，自此該公司開(kāi)始了x86和ARM"兩手抓"的歷程。至于這么做的原因，或許是新任CEO Brian Krzanich想要讓代工業(yè)務(wù)更加迅速地?cái)U(kuò)張，以規(guī)避自家芯片需求下降所帶來(lái)

IMEC臺(tái)積電高通合作為III-V FinFET采用InGaAs晶體管

InGaAs晶體管元器件交易網(wǎng)訊 11月6日消息，據(jù)外媒 Electronicsweekly報(bào)道， IMEC宣布已為III-V FinFET 組裝300mm 制程晶圓片，該晶圓片采用了銦砷化鎵(化學(xué)符號(hào)為InGaAs)、磷化銦( indium phosphide)化合物，將容納近

簡(jiǎn)析液晶面板鑒別四個(gè)方面

　　1.液晶面板的壞點(diǎn)在未介紹液晶面板的等級(jí)之前，筆者先為各位讀者介紹液晶面板上所存在的“壞點(diǎn)”的具體概念，以便于后面以此為根據(jù)來(lái)區(qū)分液晶面板的等級(jí)。液晶面板是由大量的像素點(diǎn)所組成的，它們都能

全石墨烯集成電路架構(gòu)制成 用于制造柔性透明設(shè)備

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家研制出了一種新的集成電路架構(gòu)并做出了模型。在這一架構(gòu)內(nèi)，晶體管和互連設(shè)備無(wú)縫地結(jié)合在一塊石墨烯薄片上。發(fā)表在《應(yīng)用物理快報(bào)》雜志上的這項(xiàng)最新研究將有助于科學(xué)家們制造

石墨烯量子晶體管或可用于醫(yī)療電子領(lǐng)域

在基因組測(cè)序技術(shù)領(lǐng)域，科學(xué)家在不斷追求速度更快、成本更低的方法和設(shè)備。最近，美國(guó)伊利諾斯大學(xué)厄本那—香檳分校最近開(kāi)發(fā)出了一種新奇的方法：把石墨烯納米帶(GNR)夾在兩層有納米孔(內(nèi)徑約1納米)的固體膜中間

全石墨烯集成電路架構(gòu)制成 用于制造柔性透明設(shè)備

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家研制出了一種新的集成電路架構(gòu)并做出了模型。在這一架構(gòu)內(nèi)，晶體管和互連設(shè)備無(wú)縫地結(jié)合在一塊石墨烯薄片上。發(fā)表在《應(yīng)用物理快報(bào)》雜志上的這項(xiàng)最新研究將有助于科學(xué)家們制造

石墨烯量子晶體管可用作DNA感測(cè)器

在基因組測(cè)序技術(shù)領(lǐng)域，科學(xué)家在不斷追求速度更快、成本更低的方法和設(shè)備。據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)10月30日?qǐng)?bào)道，最近，美國(guó)伊利諾斯大學(xué)厄本那—香檳分校最近開(kāi)發(fā)出了一種新奇的方法：把石墨烯納米帶（GNR）夾在兩層有納米

恩智浦推出首款采用1.1-mm2無(wú)鉛塑料封裝的3 A晶體管

高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分

恩智浦推出首款采用1.1-mm²無(wú)鉛塑料封裝的3 A晶體管

高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.

英特爾將為Altera代工晶體管數(shù)超40億的64位ARM SoC

上個(gè)月，我們報(bào)道過(guò)英特爾將為Altera代工64位四核ARM芯片的消息，自此該公司開(kāi)始了x86和ARM"兩手抓"的歷程。至于這么做的原因，或許是新任CEO Brian Krzanich想要讓代工業(yè)務(wù)更加迅速地?cái)U(kuò)張，以規(guī)避自家芯片需求下降所

CNT晶體管加速 碳納米管計(jì)算機(jī)初見(jiàn)端倪

使用單層碳納米管（CNT）作為半導(dǎo)體材料的CNT晶體管終于迎來(lái)了開(kāi)發(fā)加速的時(shí)期，并出現(xiàn)了在芯片上集成CNT晶體管，將其作為初級(jí)計(jì)算機(jī)試制系統(tǒng)的嘗試。美國(guó)斯坦福大學(xué)電子工程學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)副教授薩巴辛·米特拉（Sub

用低壓晶體管構(gòu)成的250V高壓穩(wěn)壓電路圖

恩智浦半導(dǎo)體推業(yè)界最小雙晶體管DFN1010

元器件交易網(wǎng)訊 10月30日消息，據(jù)外媒Electronicsweekly報(bào)道，恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出最小尺寸單、雙芯片封裝雙晶體管DFN1010，采用可用的1.1mm x 1mm x 0.37mm DFN塑料SMD最小封裝；擴(kuò)大

愛(ài)思強(qiáng)在二維納米材料項(xiàng)目中占據(jù)重要地位

核心提示：石墨烯有潛力徹底改變觸摸屏、照明及高速晶體管等應(yīng)用中的電子元件。在科學(xué)與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，研究人員正在進(jìn)一步研發(fā)與石墨烯的分層結(jié)構(gòu)相似的二維(2D)材料，即過(guò)渡金屬硫化物 (TMDs)。

如何測(cè)量ULN2003的輸出電壓？

如何測(cè)量ULN2003的輸出電壓？ULN2003是七重晶體管達(dá)林頓輸出陣列，是集電極開(kāi)路輸出。輸出狀態(tài)為飽和和截止兩種狀態(tài)。要測(cè)量ULN2003的輸出電壓，得在ULN2003的輸出口上接負(fù)載，負(fù)載一端接在ULN2003的輸出口上，負(fù)載的

名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

眾所周知，晶體管要分成多種類(lèi)型。其中，MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場(chǎng)效應(yīng)管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱(chēng)為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時(shí)源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài)，所以在一

科爾皮茲振蕩器電路圖

PNP型雙極晶體管的偏置是由電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)R1/R2。振蕩晶體管的集電極一直保持電容C5的交流接地，C5非?？拷w管的位置。反饋是由電容分壓器C2/C3提供的。