晶體管
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直接耦合的非穩(wěn)態(tài)電路圖
兩個(gè)射極偏置晶體管的集電極和基極是直接互相耦合的。每個(gè)發(fā)射電路的電容控制轉(zhuǎn)換功能。發(fā)射極會(huì)產(chǎn)生三角波。兩個(gè)晶體管都不可能永遠(yuǎn)保持?jǐn)嚯姷臓顟B(tài)。相反的，電路有兩個(gè)固定的狀態(tài)，通過在這些狀態(tài)之間電容的充電和
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布滿傳感器的透明塑料薄片，可作為醫(yī)學(xué)植入器
日本科學(xué)家研制出一種可作為假肢和機(jī)器人的“感官皮膚”，一種布滿傳感器的透明塑料薄片可作為醫(yī)學(xué)植入器。這項(xiàng)技術(shù)旨在研制新型生物醫(yī)學(xué)傳感器，使佩戴者沒有不舒適的感覺。它還可以在無壓狀態(tài)下測(cè)量體溫和心率，這
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中國半浮柵晶體管橫空出世 應(yīng)避免被國外趕超
8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)
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中國半浮柵晶體管橫空出世 應(yīng)避免被國外趕超
8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)
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中國半浮柵晶體管橫空出世 應(yīng)避免被國外趕超
8月9日出版的《科學(xué)》（Science）雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。這是我國科學(xué)家在該頂
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石墨烯晶體管能以超400GHz的速度操作
石墨烯和傳統(tǒng)的晶體管不一樣，石墨烯不能關(guān)閉，它的能隙太小。沒有開和關(guān)的狀態(tài)意味著石墨烯不太適合用作晶體管。實(shí)用電路需要在室溫下有1eV級(jí)別的能隙，而石墨烯在最好的情
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研究人員找到方法讓石墨烯晶體管變得實(shí)用
不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶體管，石墨烯不能關(guān)閉，它的能隙太小。沒有開和關(guān)的狀態(tài)意味著石墨烯不太適合用作晶體管。實(shí)用電路需要在室溫下有1 eV級(jí)別的能隙，而石墨烯在最好的情況下也只有幾百meV的能隙。今天最快的石墨烯
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)
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穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(上)
多數(shù)情況下有用信號(hào)都是非常微弱的，在這些應(yīng)用中噪聲系數(shù)成了表征晶體管性能優(yōu)劣的主要參數(shù)。本文討論了一種添加并聯(lián)電阻來穩(wěn)定低噪聲放大電路中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。
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穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(下)
多數(shù)情況下有用信號(hào)都是非常微弱的，在這些應(yīng)用中噪聲系數(shù)成了表征晶體管性能優(yōu)劣的主要參數(shù)。本文討論了一種添加并聯(lián)電阻來穩(wěn)定低噪聲放大電路中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)
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中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權(quán)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)
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14nm納米是半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”
尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不
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中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權(quán)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)
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中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權(quán)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)
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30-500kHz功率放大器
30-500kHz功率放大器
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可獲得100mW輸出的皮爾斯C-B石英晶體振蕩電路
可獲得100mW輸出的皮爾斯C-B石英晶體振蕩電路
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不
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