逆變器電路之五a
臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家16日宣布,臺(tái)積電20納米生產(chǎn)系統(tǒng)單芯片(SoC)昨日正式投片,初期量雖不大,但下半年起開(kāi)始爆發(fā),估計(jì)第4季營(yíng)收占比將飆升至20%,是臺(tái)積電一大利器,預(yù)估全年20納米營(yíng)收占比可達(dá)約一成。另一共
采用晶體管的照明延時(shí)電路之四
采用晶體管的照明延時(shí)電路之三
采用晶體管的照明延時(shí)電路之二
采用晶體管的照明延時(shí)電路之一
臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家16日宣布,臺(tái)積電20納米生產(chǎn)系統(tǒng)單芯片(SoC)昨日正式投片,初期量雖不大,但下半年起開(kāi)始爆發(fā),估計(jì)第4季營(yíng)收占比將飆升至20%,是臺(tái)積電一大利器,預(yù)估全年20納米營(yíng)收占比可達(dá)約一成。另一共同
臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家昨(16)日宣布,臺(tái)積電20納米生產(chǎn)系統(tǒng)單芯片(SoC)昨日正式投片,初期量雖不大,但下半年起開(kāi)始爆發(fā),估計(jì)第4季營(yíng)收占比將飆升至20%,是臺(tái)積電一大利器,預(yù)估全年20納米營(yíng)收占比可達(dá)約一成。
臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家昨(16)日宣布,臺(tái)積電20納米生產(chǎn)系統(tǒng)單芯片(SoC)昨日正式投片,初期量雖不大,但下半年起開(kāi)始爆發(fā),估計(jì)第4季營(yíng)收占比將飆升至20%,是臺(tái)積電一大利器,預(yù)估全年20納米營(yíng)收占比可達(dá)約一成。
晶體管想必對(duì)電子技術(shù)有一定了解的人都不會(huì)陌生。人類電子設(shè)備發(fā)展主要經(jīng)歷了電子管、晶體管、集成電路,再到大規(guī)模集成電路等幾個(gè)階段,其中晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備主要組成。目前,業(yè)界為提升電子設(shè)備性能,正在積極
項(xiàng)目:高性能嵌入式閃存芯片制造關(guān)鍵技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng):國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)手機(jī)夠智能,依賴“聰明芯”。1月10日上午揭曉的2013年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)中,來(lái)自上海華虹宏力的“高性能嵌入式閃存芯片制造關(guān)鍵
大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人,都認(rèn)為20nm節(jié)點(diǎn)以后,F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的
晶體管開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源應(yīng)用電路圖如下所示: 晶體管開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源應(yīng)用電路圖
21ic電子網(wǎng)訊:一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制,電子遂穿超薄
[據(jù)美國(guó)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日?qǐng)?bào)道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量
[據(jù)美國(guó)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日?qǐng)?bào)道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量
一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制,電子遂穿超薄能量勢(shì)壘,可以低電
三十多年來(lái),半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”,但是隨著工藝的提升,業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了,日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)
臺(tái)積電(TSMC)在國(guó)際學(xué)會(huì)IEDM 2013上發(fā)布了將于2013年底之前開(kāi)始少量生產(chǎn)(風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn))的16nm工藝技術(shù)(演講編號(hào):9.1)。該技術(shù)主要用于移動(dòng)終端及計(jì)算終端使用的SoC(System on a Chip),這是該公司首次采用立體晶
零件封裝是指實(shí)際零件焊接到電路板時(shí)所指示的外觀和焊點(diǎn)的位置。是純粹的空間概念因此不同的元件可共用同一零件封裝,同種元件也可有不同的零件封裝。像電 阻,有傳統(tǒng)的針插式,這種元件體積較大,電路板必須鉆孔才能