晶體管
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H橋為LED照明鋪新路
H橋是一種以用戶定義方式驅(qū)動直流電機(jī)的經(jīng)典電路，如正/反方向或通過四個分立/集成開關(guān)或機(jī)電繼電器的PWM輔助控制的RPM。它廣泛應(yīng)用于機(jī)器與功率電子中。本設(shè)計實例是該技術(shù)
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一款單節(jié)晶體管性能測試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示，被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時，三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時S1
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納米線晶體管可探測神經(jīng)元信號
【導(dǎo)讀】納米線晶體管可探測神經(jīng)元信號 美國哈佛大學(xué)化學(xué)家Charles M. Lieber和同事們結(jié)合了最新的納米技術(shù)和神經(jīng)科學(xué)研究發(fā)現(xiàn)，利用硅納米線可探測、刺激和抑制哺乳動物神經(jīng)軸突和樹突發(fā)出的神經(jīng)信號。這項
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NVIDIA 核心集成多達(dá)5億個晶體管
【導(dǎo)讀】NVIDIA 核心集成多達(dá)5億個晶體管 目前關(guān)于NVIDIA新一代Geforce 8系列顯卡以及G80顯示核心的消息并不多。下一代旗艦級產(chǎn)品G80已經(jīng)順利出樣，但具體發(fā)布日期尚未確定。 有消息指出，G80的推出日
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350億晶體管的SoC能否測試？
【導(dǎo)讀】350億晶體管的SoC能否測試？ 近日，在法國南部尼斯市舉行的“DATE 2007（Design， Automation and Test in Europe 2007”的學(xué)術(shù)分會上，關(guān)于測試及故障診斷的精彩演講接連不斷。其中，以測試范疇的
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模擬芯片與晶體管需求回升，價格趨穩(wěn) 但距離下滑前的銷售水平仍然很遠(yuǎn)
【導(dǎo)讀】模擬芯片，晶體管需求回升，價格趨穩(wěn)，銷售水平，很遠(yuǎn) 雖然全球模擬半導(dǎo)體與晶體管市場形勢趨于穩(wěn)定，需求上升而且價格下降速度放緩，但距離真正的產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇仍很遙遠(yuǎn)。 據(jù)iSuppli公司，雖然全球模擬半
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臺灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄
【導(dǎo)讀】臺灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍，這可使未來電子設(shè)備更輕薄. 臺灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶
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臺灣研制出最新芯片 筆記本重量減至500克
【導(dǎo)讀】12月17日消息，據(jù)研究人員和分析人士17日稱，位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。 12月17日消息，據(jù)研究人員和分析人士17日稱，位于臺灣新竹北部的“
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美韓科學(xué)家制成世界上首個分子晶體管
【導(dǎo)讀】美國耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學(xué)技術(shù)研究院科學(xué)家最近合作制成世界上首個分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個苯分子。 美國耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學(xué)技術(shù)
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富士通：可在任何材料表面生產(chǎn)電源供應(yīng)晶體管
【導(dǎo)讀】不久前，科技大廠富士通發(fā)表了一項非常特別的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)，這項技術(shù)幾乎可以在任何材料表面上生產(chǎn)電源供應(yīng)晶體管（power-supply transistors），包含傳統(tǒng)的硅晶圓、玻璃，甚至是銅片上。 不久前，科技
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爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功
【導(dǎo)讀】日本爾必達(dá)與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運(yùn)作，他們一直在和爾必達(dá)公
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功耗為硅的十萬分之一？瑞士開發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦”
【導(dǎo)讀】有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并
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臺積電:暫不采用3D晶體管技術(shù)
【導(dǎo)讀】分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多被高增長的智能手機(jī)市場拒之門外。 摘要： 分析師們表示，上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡，之前，英特爾的芯片大多
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三柵極3D晶體管，無法左右英特爾ARM之爭
【導(dǎo)讀】。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌?，F(xiàn)在最有趣的一對是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評論文章。 摘要： 。英
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應(yīng)用材料公司完成對維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購
【導(dǎo)讀】近日，應(yīng)用材料公司宣布已成功完成對維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購。此次收購使應(yīng)用材料公司獲得了維利安公司市場領(lǐng)先的離子注入技術(shù)，進(jìn)一步拓寬了其廣泛的產(chǎn)品組合，并為其帶來每年近15億美元的市場機(jī)遇
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先進(jìn)移動平臺用戶采用Soitec全耗盡(Fully Depleted)技術(shù)
【導(dǎo)讀】日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無線平臺和半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)開發(fā)設(shè)計其下一代移動處理器。 ， 摘要： 日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無線平臺和半
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知名半導(dǎo)體廠商3D工藝眾生相：掀半導(dǎo)體業(yè)模式風(fēng)暴
【導(dǎo)讀】2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開始全球銷售。 摘要： 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計，最小線寬為
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奈米碳管或?qū)⑻娲砂雽?dǎo)體新寵
【導(dǎo)讀】在10月28日美國出版的「自然-奈米技術(shù)」期刊中指出，奈米碳管，將替代數(shù)十億晶片中矽所占有的地位，包含使用量及大的微處理器與記憶晶片。 摘要： 在10月28日美國出版的「自然-奈米技術(shù)」期刊中指出，奈
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SoC無需3D晶體管便可微細(xì)化至10nm
【導(dǎo)讀】SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicono
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碳納米管將替代硅芯片成下一代材料?
【導(dǎo)讀】在未來十年左右的時間里，蝕刻在硅基電腦芯片上的電路預(yù)計就將變得小無可小，從而促使人們尋找替代品來取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作為替代品的問題上，有些研究者正對碳納米管寄予厚望。在本周一，
