在現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展中,MDD 超快恢復(fù)二極管憑借其反向恢復(fù)時(shí)間短、開關(guān)損耗低等顯著優(yōu)勢(shì),在高頻開關(guān)電源、功率因數(shù)校正(PFC)電路以及新能源等諸多領(lǐng)域得到了極為廣泛的應(yīng)用。然而,隨著應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)功率密度和系統(tǒng)可靠性要求的不斷提升,二極管的封裝與散熱問題日益凸顯,成為影響其性能和系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。優(yōu)化 MDD 超快恢復(fù)二極管的封裝與散熱設(shè)計(jì),對(duì)于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命具有至關(guān)重要的意義。
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在當(dāng)前的全球能源危機(jī)中,重點(diǎn)是提高效率,電子產(chǎn)品面臨著高性能、低耗電的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。由于這場(chǎng)危機(jī),世界各地的各種政府機(jī)構(gòu)已經(jīng)或正在考慮提高其各自規(guī)格的眾多產(chǎn)品的效率標(biāo)準(zhǔn)。用傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器很難達(dá)到這些效率規(guī)格。電源設(shè)計(jì)者需要考慮軟開關(guān)拓?fù)?以提高效率,并允許更高頻率的操作。
MOSFET 開關(guān)損耗,真正的晶體管需要時(shí)間才能打開或關(guān)閉。因此,在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬變期間存在電壓和電流重疊,從而產(chǎn)生交流開關(guān)損耗。
本文主要介紹全新雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與分析。這項(xiàng)全新的拓?fù)浼捌淇刂撇呗詮氐捉鉀Q了傳統(tǒng)雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器(電源容量及效率有限)中存在的電壓尖峰問題。
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本文來源于面包板社區(qū)要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),屬于壓控型,是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件,在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見,是電力電子的核心元件。MOS管有N溝道和P溝道之分,N溝道相當(dāng)于NPN的三極管;P...
隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標(biāo),基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產(chǎn)品組合,MicrochipTechnologyInc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器,為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù),以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)行并滿足嚴(yán)格的運(yùn)輸要求。對(duì)于基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來說,Microchip的AgileSwitch?2ASC-12A2HP1200V雙通道數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器采用了AugmentedSwitching?技術(shù),完全...
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼?MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),屬于壓控型,是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件,在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見,是電力電子的核心元件。?MOS管有N溝道和P溝道之分,N溝道相當(dāng)于NPN的三極管;P溝道相當(dāng)于PNP的三極管。實(shí)際設(shè)...
近日,英飛凌科技股份公司推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP 5 WR6系列。
伸縮門開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗?應(yīng)該如何計(jì)算?本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。
隨著對(duì)功率的大小不斷的追求,大功率變頻電源的技術(shù)也必須要?jiǎng)?chuàng)新,讓變頻電源變得更安全。輸出為純正弦波,波形失真率小,沒有干擾控制,精度高。能適應(yīng)各種輸出負(fù)載,像阻性負(fù)載,容性負(fù)載,感性負(fù)載都能適應(yīng),適用的環(huán)境很廣。
隨著對(duì)功率的大小不斷的追求,大功率變頻電源的技術(shù)也必須要?jiǎng)?chuàng)新,讓變頻電源變得更安全。輸出為純正弦波,波形失真率小,沒有干擾控制,精度高。能適應(yīng)各種輸出負(fù)載,像阻性負(fù)載,容性負(fù)載,感性負(fù)載都能適應(yīng),適用的環(huán)境很廣。
對(duì)于開關(guān)電源的工作過程相當(dāng)容易理解,在線性電源中,讓功率晶體管工作在線性模式,與線性電源不同的是,PWM開關(guān)電源是讓功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷的狀態(tài),在這兩種狀態(tài)中,加在功率晶體管上的伏-安乘積是很小的(在導(dǎo)通時(shí),電壓低,電流大;關(guān)斷時(shí),電壓高,電流小)/功率器件上的伏安乘積就是功率半導(dǎo)體器件上所產(chǎn)生的損耗。
電源測(cè)量小貼士,第1篇(共10篇):元器件選擇和特性分析 編者按:電源設(shè)計(jì)人員的需求正變得越來越高,他們面臨著巨大的壓力,需要改善效率,降低成本,縮短產(chǎn)品開發(fā)
我們將介紹測(cè)試電源開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個(gè)步驟。 記住,經(jīng)過電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對(duì)系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響,正因如此,應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達(dá)到最小,這一點(diǎn)至關(guān)重要
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊
本文提出了一種基于UCC28600控制器的準(zhǔn)諧振反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案,該方案分析了準(zhǔn)諧振反激式開關(guān)電源的工作原理及實(shí)現(xiàn)方式,給出了電路及參數(shù)設(shè)計(jì)和選擇過程,以及實(shí)際
引言 現(xiàn)在世界資源短缺,各國(guó)政府及社會(huì)各界越來越要求節(jié)能降耗。中國(guó)政府也正秉持這一國(guó)際化趨勢(shì)的理念在不斷邁進(jìn),這一趨勢(shì)在未來幾年還會(huì)加速,這勢(shì)必為響應(yīng)這一國(guó)際