今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的方法的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

一、開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)管工作狀態(tài)有兩種:斷開(kāi)狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)。斷開(kāi)狀態(tài)時(shí), 流過(guò)開(kāi)關(guān)的電流為0, 雖然開(kāi)關(guān)兩端電壓不為0,但P =UI =0,所以不消耗功率。導(dǎo)通狀態(tài)時(shí), 開(kāi)關(guān)上流過(guò)電流, 但開(kāi)關(guān)兩端電壓為0, 同樣P =UI =0。實(shí)際上開(kāi)關(guān)器件開(kāi)關(guān)時(shí)總有一個(gè)過(guò)渡狀態(tài),會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗。而且開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)頻率成正比。

開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗產(chǎn)生的原因:導(dǎo)通瞬間開(kāi)關(guān)器件電壓的不能馬上降為0, 而電流從0已上升,因此在開(kāi)關(guān)管上產(chǎn)生電壓電流交替現(xiàn)象,而產(chǎn)生損耗電壓不能馬上降為0的原因是開(kāi)關(guān)器件上有寄生電容,電容上電壓不能突變,即不能馬上降為0, 從而產(chǎn)生功率損耗。在導(dǎo)通過(guò)程中,寄生電容的儲(chǔ)能通過(guò)開(kāi)關(guān)器件放掉而損失。截止損耗產(chǎn)生的原因:截止瞬間開(kāi)關(guān)器件電流不能馬上降為0, 而電壓已經(jīng)從0上升, 在開(kāi)關(guān)器件上產(chǎn)生電壓電流交替現(xiàn)象。電流不能馬上為0的原因是, 與開(kāi)關(guān)器件連接的電路中有寄生電感, 阻礙電流變化。并且逆變電路中變壓器是電感元件, 當(dāng)開(kāi)關(guān)突然關(guān)斷時(shí), 變壓器電感元件電流不能突變,并會(huì)產(chǎn)生很大的反激電壓, 阻礙電流變化, 通過(guò)電路加在開(kāi)關(guān)管上, 產(chǎn)生比較大的損耗。提高開(kāi)關(guān)速度不但不能消除損耗, 反而會(huì)使反激電壓越大,損耗更大。

一般情況下, 截止損耗比導(dǎo)通損耗大很多。因?yàn)閷?dǎo)通變截止時(shí),功率管大電流突然降為0時(shí),產(chǎn)生較大的反激電壓,從而使開(kāi)關(guān)管功率損耗比較大。減少開(kāi)關(guān)損耗, 關(guān)鍵是減少截止損耗。

二、通過(guò)波形的線(xiàn)性近似分割來(lái)計(jì)算損耗的方法

通過(guò)在線(xiàn)性近似有效范圍內(nèi)對(duì)所測(cè)得的波形進(jìn)行分割，可以計(jì)算出功率損耗。

1、導(dǎo)通和關(guān)斷區(qū)間的開(kāi)關(guān)損耗

首先，計(jì)算開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來(lái)計(jì)算。由于計(jì)算公式會(huì)因波形的形狀而有所不同，因此請(qǐng)選擇接近測(cè)得波形的近似公式。

在圖1的波形示例中，開(kāi)通時(shí)的波形被分割為兩部分，前半部分（ton1）使用表1中的例2。另外，使用公式ID1?0作為條件。后半部分（ton2）使用例3中的公式VDS2?0。

在圖1中，會(huì)因MOSFET的導(dǎo)通電阻和ID而產(chǎn)生電壓VDS2(on)，但如果該電壓遠(yuǎn)低于VDS的High電壓，就可以視其為零。

圖1. 開(kāi)關(guān)損耗波形示例

綜上所述，可以使用下面的公式（1）來(lái)近似計(jì)算開(kāi)通時(shí)的功率損耗。

同樣，將關(guān)斷時(shí)的波形也分為兩部分，前半部分（toff1）使用表1的例1中的公式VDS1?0，后半部分使用（toff2）例8中的公式ID2?0。在圖1中，由于前述的原因，會(huì)產(chǎn)生電壓VDS1(off)，但如果該電壓遠(yuǎn)低于VDS的High電壓，則將其按“零”處理。這樣，就可以使用下面的公式（2）來(lái)近似計(jì)算關(guān)斷時(shí)的功率損耗。

表1. 各種波形形狀的線(xiàn)性近似法開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算公式

2、導(dǎo)通期間的功率損耗

接下來(lái)，我們來(lái)計(jì)算導(dǎo)通期間消耗的功率損耗。圖2是用來(lái)計(jì)算導(dǎo)通損耗的波形示例。由于在TON區(qū)間MOSFET是導(dǎo)通的，因此VDS是MOSFET導(dǎo)通電阻和ID的乘積。有關(guān)導(dǎo)通電阻的值，請(qǐng)參閱技術(shù)規(guī)格書(shū)。需要從表2中選擇接近該波形形狀的例子并使用其近似公式來(lái)計(jì)算功率損耗。

圖2. 導(dǎo)通損耗波形示例

在本示例中，我們使用表2中的例1。MOSFET導(dǎo)通期間的導(dǎo)通損耗可以用下面的公式（3）來(lái)計(jì)算。

表2. 各種波形形狀的線(xiàn)性近似法導(dǎo)通損耗計(jì)算公式

MOSFET關(guān)斷時(shí)的功率損耗在圖2中位于TOFF區(qū)間，由于MOSFET關(guān)斷時(shí)的ID足夠小，因此將功率損耗視為零。

3、總損耗

如公式（4）所示，MOSFET開(kāi)關(guān)工作時(shí)的總功率損耗為此前計(jì)算出的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗之和。

需要注意的是，表1和表2中的每個(gè)例子都有“參見(jiàn)附錄”的注釋?zhuān)诟戒浿杏忻總€(gè)例子的詳細(xì)計(jì)算示例。各計(jì)算示例將會(huì)在后續(xù)的“各種波形的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算示例”和“各種波形的導(dǎo)通損耗計(jì)算示例”中出現(xiàn)。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算方法的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類(lèi)別的文章，可以在網(wǎng)頁(yè)頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。