內存
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英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限
據(jù)國外媒體報道，英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術。這兩家公司稱，這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！ ∮⑻貭栄芯繂T和內存
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鐵嘴：矽品短期不做并購
半導體景氣回升，硅品董事長林文伯在昨（28）日法說會中也一改前幾季的嚴肅態(tài)度，以輕松幽默方式回答法人問題；外傳林文伯身體微恙，他坦言：「前段時間確實身體狀況比較差，但現(xiàn)在已經恢復，除了可以上市場買菜，更
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英特爾CTO介紹英特爾實驗室推進的四大研發(fā)項目
英特爾CTO介紹英特爾實驗室推進的四大研發(fā)項目
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內存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已
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茂德努力與爾必達、臺灣創(chuàng)新內存合作
美林證券最新出爐的報告，茂德股價慘跌，技術遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內部將研發(fā)72納米的技術來制作 1GB，采用日本內存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術，但是這項協(xié)議還在洽談之中，目前
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三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現(xiàn)有的移動存儲形式. 多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排
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矽品9月營收近60億 2年新高
封測大廠硅品（2325）昨（5）日公布9月營收達59.78億元，創(chuàng)下近2年來新高，第三季營收約167.32億元，較第二季增加約18.4％，高于 市場普遍預估的季增15％。至于測試大廠京元電昨日公布9月營收達11.05億元創(chuàng)下今年新高
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愛德萬推T5503測試系統(tǒng)
愛德萬測試于今年年中發(fā)表最新的高速內存測試機T5503擴充架構，以256顆DDR3內存之同測技術領先業(yè)界，兩倍于前一款機型，此款擴充架構機型，配合T5503 8448 Channels之測試頭，現(xiàn)已開始出貨。 愛德萬表示，未來高質
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三星開始量產60nm工藝的512Mbit PRAM
韓國三星電子（Samsung Electronics）開始量產新一代非易失性內存PRAM（Phase Change RAM）。此次量產的是采用60nm左右工藝的512Mbit產品。主要面向智能手機等便攜產品。 通過配備PRAM，除了可將便攜產品的電池壽命
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中芯國際在65納米和45納米CMOS邏輯工藝上選擇Kilopass OTP嵌入式非揮發(fā)性內存硅智財解決方案
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日，嵌入式非揮發(fā)性內存（NVM）硅智財（IP）的領先供貨商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology
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未來五年數(shù)字電源市場增長45.3%，微控制器PID-內存設計為主導
過去五年來，數(shù)字電源技術一直處于電源市場的中心。許多非凡的進步都發(fā)生在這段時間，包括功率級集成、數(shù)字電路與模擬相混合以及PMBus 和I2C形式的總線通信能力。同時也存在一些障礙，比如有關PMBus的訴訟、用戶友好
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爾必達內存轉守為攻 結成日臺聯(lián)盟加速技術開發(fā)
日本大型DRAM廠商爾必達內存（Elpida Memory）強勢出擊DRAM市場。除了接手已經破產的德國奇夢達（Qimonda AG）的圖形DRAM業(yè)務，涉足該市場外，還計劃與臺灣DRAM廠商合作以加速低價位DRAM的開發(fā)。在大容量低功耗的高端
