內(nèi)存
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手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風(fēng)光不再
市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯
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英特爾NEC宣布聯(lián)手開發(fā)超級計算機技術(shù)
據(jù)國外媒體報道，芯片巨頭英特爾與日本NEC公司今日聯(lián)合宣布，雙方將共同開發(fā)高性能計算系統(tǒng)技術(shù)。兩家公司稱，它們將關(guān)注硬件與軟件解決方案的開發(fā)，以此提升內(nèi)存帶寬以及英特爾至強處理器平臺的擴展能力。
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Gartner預(yù)計全球芯片預(yù)期收入2260億美元
鑒于PC、手機的銷量高于先前的預(yù)期和各國政府的刺激計劃，市場調(diào)研公司Gartner近日將本年度的全球芯片預(yù)期收入提高到了2260億美元。Gartner的最新預(yù)計是本年度的全球芯片總收入相比去年的2550億美元下降11.4%至2260億
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嵌入式Web訪問時的內(nèi)存丟失問題
嵌入式Web訪問時的內(nèi)存丟失問題
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嵌入式Web訪問時的內(nèi)存丟失問題
嵌入式Web訪問時的內(nèi)存丟失問題
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TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TM
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相變存儲研究取得關(guān)鍵性突破
相變存儲 (PCM) 是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 日前宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM
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基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究
基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究
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基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究
基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究
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Spansion內(nèi)存強攻亞洲STB市場，獲多家OEM采用
Spansion日前表示，亞洲地區(qū)機頂盒(STB)OEM大廠已開始采用其MirrorBit SPI Multi-I/O閃存，包括天柏寬帶網(wǎng)絡(luò)科技(上海)有限公司、深圳創(chuàng)維數(shù)字技術(shù)股份有限公司在內(nèi)。Spansion的閃存有助制造商簡化產(chǎn)品設(shè)計、縮減外觀
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英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限
據(jù)國外媒體報道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！ ∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存
