基于美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 存儲(chǔ)解決方案,合力打造 Motorola 功能強(qiáng)大的翻蓋手機(jī)
AIPC作為新興且高速增長(zhǎng)的應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)內(nèi)存性能的推動(dòng)作用十分顯著。一方面,它直接驅(qū)動(dòng)了內(nèi)存技術(shù)規(guī)格的更新?lián)Q代和高帶寬、低延遲的內(nèi)存架構(gòu)的發(fā)展;另一方面,也間接推動(dòng)了內(nèi)存模塊的電源管理技術(shù)、信號(hào)完整性控制和可靠性設(shè)計(jì)的全方位升級(jí)。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,隨著AI計(jì)算的規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大,客戶端內(nèi)存性能還將持續(xù)快速提升,甚至可能進(jìn)一步向數(shù)據(jù)中心級(jí)的高性能內(nèi)存規(guī)格看齊。這種技術(shù)的不斷迭代升級(jí),也為未來(lái)AI PC的普及與發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
5月8日消息,NEO Semiconductor近日宣布推出兩項(xiàng)新的3D X-DRAM單元設(shè)計(jì)——1T1C和3T0C,有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。
為增進(jìn)大家對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存以及HBM3予以介紹。
為增進(jìn)大家對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存以及HBM高帶寬內(nèi)存的重要性予以介紹。
經(jīng)優(yōu)化,Agilex?? 7 M系列 FPGA專為 AI與數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用設(shè)計(jì),有效緩解內(nèi)存瓶頸
為增進(jìn)大家對(duì)CXL技術(shù)的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)CXL技術(shù)的優(yōu)勢(shì)以及CXL技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)予以介紹。
內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中除了處理器以外最重要的資源,用于存儲(chǔ)當(dāng)前正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。內(nèi)存是相對(duì)于CPU來(lái)說(shuō)的,CPU可以直接尋址的存儲(chǔ)空間叫做內(nèi)存,CPU需要通過(guò)驅(qū)動(dòng)才能訪問(wèn)的叫做外存。
北京2025年2月28日 /美通社/ -- 日前,《服務(wù)器操作系統(tǒng)遷移指南》(以下簡(jiǎn)稱《指南》)經(jīng)中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)批準(zhǔn)后正式發(fā)布,將于3月正式實(shí)施。《指南》由浪潮信息牽頭,中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、阿里云、統(tǒng)信軟件等20家業(yè)內(nèi)知名機(jī)構(gòu)及企業(yè)共同起草,適用于服務(wù)器操作系統(tǒng)...
美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點(diǎn)技術(shù),為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)卓越的性能與能效
三星旗艦手機(jī) Galaxy S25 Ultra、S25+ 和 S25 采用美光內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案,開(kāi)創(chuàng)多模態(tài) AI 體驗(yàn)
本文提出,CMOS開(kāi)關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開(kāi)關(guān)。CMOS開(kāi)關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美,且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色,契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。
CPU和內(nèi)存之間存在密切關(guān)系,它們共同構(gòu)成了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心部分,相互配合以實(shí)現(xiàn)高效的計(jì)算和處理。?CPU(中央處理器)是計(jì)算機(jī)的大腦,負(fù)責(zé)執(zhí)行計(jì)算和處理各種指令。而內(nèi)存(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令的地方,以供CPU快速訪問(wèn)。
為增進(jìn)大家對(duì)內(nèi)存的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)內(nèi)存緩沖區(qū)和內(nèi)存的關(guān)系以及解決內(nèi)存溢出的方案予以介紹。
為增進(jìn)大家對(duì)內(nèi)存的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)內(nèi)存頻率高、內(nèi)存超頻問(wèn)題予以介紹。
為增進(jìn)大家對(duì)內(nèi)存的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)邏輯內(nèi)存和物理內(nèi)存的區(qū)別予以介紹。
華山A2000家族芯片賦能 上海2025年1月24日 /美通社/ -- 1月24日,黑芝麻智能與美光科技共同宣布將合作推出新型ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))解決方案。該方案采用黑芝麻智能的華山A2000家族芯片和美光科技LPDDR5內(nèi)存,將極大提升ADAS系統(tǒng)處理復(fù)雜駕駛場(chǎng)景的能...
1月5日消息,隨著國(guó)產(chǎn)顆粒DDR5內(nèi)存上市,新一輪價(jià)格戰(zhàn)即將展開(kāi)。
臺(tái)灣新竹 – 2024年12月26日 – Andes晶心科技(TWSE:6533; SIN US03420C2089; ISIN: US03420C1099)是全球高效能、低功耗 32/64 位 RISC-V 處理器的領(lǐng)導(dǎo)廠商,也是 RISC-V International 的創(chuàng)始高級(jí)會(huì)員,今天宣布推出其領(lǐng)先行業(yè)的AndesCore? D45-SE功能安全 RISC-V 處理器,該處理器以獲得 ISO 26262 ASIL-D(汽車安全完整性 D 級(jí))認(rèn)證為目的。
內(nèi)存泄漏是指由于疏忽或錯(cuò)誤造成程序未能釋放已經(jīng)不再使用的內(nèi)存。內(nèi)存泄漏并非指內(nèi)存在物理上的消失,而是應(yīng)用程序分配某段內(nèi)存后,由于設(shè)計(jì)錯(cuò)誤,導(dǎo)致在釋放該段內(nèi)存之前就失去了對(duì)該段內(nèi)存的控制,從而造成了內(nèi)存的浪費(fèi)。