-
典型MEMS工藝流程
MEMS表面微機(jī)械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進(jìn)行的MEMS制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若干淀積層來制作結(jié)構(gòu)，然后釋放部件，允
-
典型MEMS工藝流程
MEMS表面微機(jī)械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進(jìn)行的MEMS制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若干淀積層來制作結(jié)構(gòu)，然后釋放部件，允
-
京瓷研發(fā)出利用光刻加工技術(shù)的AT切割水晶振動(dòng)子
21ic訊 京瓷金石株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“京瓷金石”）是專門從事水晶元器件開發(fā)生產(chǎn)的公司。該公司運(yùn)用光刻加工技術(shù)（以下簡(jiǎn)稱“光刻加工”）成功研發(fā)出AT切割水晶振動(dòng)子“CX1612SB”，將
-
利用觸摸面板光刻銀膠實(shí)現(xiàn)20μm布線間距
利用光刻法形成的銀布線圖案的樣品（點(diǎn)擊放大） 觸摸面板光刻銀膠的介紹展板（點(diǎn)擊放大） 日本太陽油墨在“第三屆尖端電子材料EXPO“（1月18～20日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）”上展出了用于靜電容量式觸摸面板布
-
計(jì)量使工藝得以實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字：計(jì)量計(jì)量并不廉價(jià)——計(jì)量專家的費(fèi)用和計(jì)量工具的成本就不低——但如果是以生產(chǎn)和成品率為目標(biāo)的話，那么它絕對(duì)算得上價(jià)廉物美。多年以來，許多業(yè)內(nèi)人士都認(rèn)為計(jì)量是一項(xiàng)非增值的花費(fèi)，
-
現(xiàn)場(chǎng)演示光刻工序，F(xiàn)ab系統(tǒng)研究會(huì)展示“微型Fab”制造裝置
放入有晶圓的“微型硅梭” （點(diǎn)擊放大） 光刻膠涂布裝置（點(diǎn)擊放大） 意在將半導(dǎo)體生產(chǎn)線的最小投資單位削減一個(gè)數(shù)量級(jí)的日本產(chǎn)綜研（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所：AIST）聯(lián)盟的Fab系統(tǒng)研究會(huì)，其正在開發(fā)的“微型Fab”
-
EUV光刻下墊層材料研究進(jìn)展
EUV光刻是hp22以下器件制造最有前途的候選技術(shù)之一。但它有些難點(diǎn)需要克服，特別是要開發(fā)高功率EUV光源、制造多層掩膜與檢測(cè)以及開發(fā)均衡性良好的光刻膠，因?yàn)榉直媛?線寬粗糙度-靈敏度(RLS)的權(quán)衡最重要。EUV用光刻
-
22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn)；但在7納米節(jié)
-
日本EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體計(jì)劃在全球范圍建立客戶合作關(guān)系
由日本芯片制造商和設(shè)備制造商組成的EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體近來積極在全球范圍建立客戶合作關(guān)系，最新加入的海外公司包括英特爾、三星、海力士和臺(tái)積電等。日本EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體成立于今年一月，主要成員包括芯
-
光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)
半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精確的電磁場(chǎng)（EMF）模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(chǎng)（照明）條件下，用合適的數(shù)值方
-
后ArF時(shí)代的光刻征途
Cost matters。用中國(guó)話說就是“成本猛于虎”。 半導(dǎo)體業(yè)人士最大的夢(mèng)想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報(bào)。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)力，它影響著成千上萬的工程師
-
基恩士推出3-AxisYVO4激光刻印機(jī)MD-V9900A系列
打破了以往只能在平面上進(jìn)行刻印的常規(guī)，使三維立體刻印成為可能， 同時(shí)滿足了大功率輸出，超高品質(zhì)刻印的要求21ic訊 基恩士公司推出3-AxisYVO4 激光刻印機(jī)MD-V9900A系列，此產(chǎn)品是基恩士多年以來在YVO4激光刻印機(jī)的
-
SEMICON West2011議題回顧：光刻界新動(dòng)向總結(jié)匯總
SEMICON West 2011會(huì)場(chǎng)本周又傳來了許多令人感興趣的半導(dǎo)體業(yè)界信息，其中本周三的會(huì)議內(nèi)容多與光刻技術(shù)有關(guān)，一起來回顧一下。 GlobalFoundries透露20nm制程部分細(xì)節(jié)： 首先是GlobalFoundries工程師Mark Kell
-
MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度
美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技
-
麻理將電子束光刻可刻制最小圖像尺寸降至9nm
麻省理工學(xué)院的研究人員表示，他們已經(jīng)研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術(shù)，而此前電子束光刻技術(shù)所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關(guān)這次研究的詳細(xì)內(nèi)容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》（ Mic
-
MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度
MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度
-
后ArF時(shí)代的光刻征途
Cost matters。用中國(guó)話說就是“成本猛于虎”。 半導(dǎo)體業(yè)人士最大的夢(mèng)想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報(bào)。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)力，它影響著成千上萬的工程師
-
GlobalFoundries光刻專家談EUV最新進(jìn)展
GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。O
-
臺(tái)積電20nm將采用193nm液浸式光刻+透明式雙重成像作金屬線層
臺(tái)積電日前已經(jīng)宣布順利在其開放創(chuàng)新平臺(tái)建構(gòu)完成其28nm制程設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，不過更令我們感興趣的是他們同時(shí)還宣布將在即將于加州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議 （Design Automation Conference (DAC) ）上，首度對(duì)外展示其20
-
SEMI研究報(bào)告稱2012年全球光刻掩膜板市場(chǎng)預(yù)計(jì)可達(dá)32億美元的規(guī)模
SEMI研究報(bào)告最新研究報(bào)告顯示，2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)達(dá)到了30億元規(guī)模，預(yù)估2012年這一數(shù)字可達(dá)32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)在2010年增長(zhǎng)了10%，而未來兩年光刻
