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典型MEMS工藝流程
MEMS表面微機械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進行的MEMS制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結構單元的薄膜。表面微加工工藝采用若干淀積層來制作結構，然后釋放部件，允
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典型MEMS工藝流程
MEMS表面微機械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進行的MEMS制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結構單元的薄膜。表面微加工工藝采用若干淀積層來制作結構，然后釋放部件，允
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京瓷研發(fā)出利用光刻加工技術的AT切割水晶振動子
21ic訊 京瓷金石株式會社（以下簡稱“京瓷金石”）是專門從事水晶元器件開發(fā)生產的公司。該公司運用光刻加工技術（以下簡稱“光刻加工”）成功研發(fā)出AT切割水晶振動子“CX1612SB”，將
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利用觸摸面板光刻銀膠實現(xiàn)20μm布線間距
利用光刻法形成的銀布線圖案的樣品（點擊放大） 觸摸面板光刻銀膠的介紹展板（點擊放大） 日本太陽油墨在“第三屆尖端電子材料EXPO“（1月18～20日，東京有明國際會展中心）”上展出了用于靜電容量式觸摸面板布
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計量使工藝得以實現(xiàn)
關鍵字：計量計量并不廉價——計量專家的費用和計量工具的成本就不低——但如果是以生產和成品率為目標的話，那么它絕對算得上價廉物美。多年以來，許多業(yè)內人士都認為計量是一項非增值的花費，
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現(xiàn)場演示光刻工序，F(xiàn)ab系統(tǒng)研究會展示“微型Fab”制造裝置
放入有晶圓的“微型硅梭” （點擊放大） 光刻膠涂布裝置（點擊放大） 意在將半導體生產線的最小投資單位削減一個數(shù)量級的日本產綜研（產業(yè)技術綜合研究所：AIST）聯(lián)盟的Fab系統(tǒng)研究會，其正在開發(fā)的“微型Fab”
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EUV光刻下墊層材料研究進展
EUV光刻是hp22以下器件制造最有前途的候選技術之一。但它有些難點需要克服，特別是要開發(fā)高功率EUV光源、制造多層掩膜與檢測以及開發(fā)均衡性良好的光刻膠，因為分辨率-線寬粗糙度-靈敏度(RLS)的權衡最重要。EUV用光刻
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22nm以下半導體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)
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日本EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體計劃在全球范圍建立客戶合作關系
由日本芯片制造商和設備制造商組成的EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體近來積極在全球范圍建立客戶合作關系，最新加入的海外公司包括英特爾、三星、海力士和臺積電等。日本EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體成立于今年一月，主要成員包括芯
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光學光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應
半導體制造中微型化的進展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準確模擬這些圖形產生的衍射要求運用精確的電磁場（EMF）模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場（照明）條件下，用合適的數(shù)值方
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后ArF時代的光刻征途
Cost matters。用中國話說就是“成本猛于虎”。 半導體業(yè)人士最大的夢想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強大的驅動力，它影響著成千上萬的工程師
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基恩士推出3-AxisYVO4激光刻印機MD-V9900A系列
打破了以往只能在平面上進行刻印的常規(guī)，使三維立體刻印成為可能， 同時滿足了大功率輸出，超高品質刻印的要求21ic訊 基恩士公司推出3-AxisYVO4 激光刻印機MD-V9900A系列，此產品是基恩士多年以來在YVO4激光刻印機的
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SEMICON West2011議題回顧：光刻界新動向總結匯總
SEMICON West 2011會場本周又傳來了許多令人感興趣的半導體業(yè)界信息，其中本周三的會議內容多與光刻技術有關，一起來回顧一下。 GlobalFoundries透露20nm制程部分細節(jié)： 首先是GlobalFoundries工程師Mark Kell
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MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技
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麻理將電子束光刻可刻制最小圖像尺寸降至9nm
麻省理工學院的研究人員表示，他們已經研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術，而此前電子束光刻技術所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關這次研究的詳細內容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》（ Mic
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MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
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后ArF時代的光刻征途
Cost matters。用中國話說就是“成本猛于虎”。 半導體業(yè)人士最大的夢想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強大的驅動力，它影響著成千上萬的工程師
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GlobalFoundries光刻專家談EUV最新進展
GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。O
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臺積電20nm將采用193nm液浸式光刻+透明式雙重成像作金屬線層
臺積電日前已經宣布順利在其開放創(chuàng)新平臺建構完成其28nm制程設計生態(tài)環(huán)境，不過更令我們感興趣的是他們同時還宣布將在即將于加州召開的設計自動化會議 （Design Automation Conference (DAC) ）上，首度對外展示其20
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SEMI研究報告稱2012年全球光刻掩膜板市場預計可達32億美元的規(guī)模
SEMI研究報告最新研究報告顯示，2010年全球半導體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模，預估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%，而未來兩年光刻
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