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22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧
浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫
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納米壓印光刻：有望降低生產納米壓印模具成本
利用普林斯頓大學電機工程師周郁(Stephen Chou)發(fā)明的一種新式裂紋誘導(fracture-induced)構造工藝來生產電路圖案模具，納米壓印光刻可能得到簡化。作為納米壓印光刻設備制造商Nanonex Corp.的創(chuàng)始人，周郁期望他的最
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光刻行業(yè)遭雙重打擊 下一代技術面臨難題
曾經看來大有希望的遠紫外(EUV)光刻技術面臨著重重困難，193納米沉浸式技術似乎成為了必然的選擇，但成本高昂，而且很難延伸到16納米節(jié)點以下。半導體光刻工藝正面臨著技術和成本方面的雙重壓力。 半導體光刻工藝面臨
