浸潤(rùn)式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米,不過(guò),22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭,爭(zhēng)議不斷。據(jù)了解,臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案,并已有具體成果,但積極推動(dòng)深紫
利用普林斯頓大學(xué)電機(jī)工程師周郁(Stephen Chou)發(fā)明的一種新式裂紋誘導(dǎo)(fracture-induced)構(gòu)造工藝來(lái)生產(chǎn)電路圖案模具,納米壓印光刻可能得到簡(jiǎn)化。作為納米壓印光刻設(shè)備制造商N(yùn)anonex Corp.的創(chuàng)始人,周郁期望他的最
曾經(jīng)看來(lái)大有希望的遠(yuǎn)紫外(EUV)光刻技術(shù)面臨著重重困難,193納米沉浸式技術(shù)似乎成為了必然的選擇,但成本高昂,而且很難延伸到16納米節(jié)點(diǎn)以下。半導(dǎo)體光刻工藝正面臨著技術(shù)和成本方面的雙重壓力。 半導(dǎo)體光刻工藝面臨