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將在ArF液浸上采用14nm工藝，IBM與凸版印刷簽訂共同開發(fā)協(xié)議
凸版印刷宣布，該公司與美國IBM簽訂了關(guān)于共同開發(fā)14nm用ArF液浸掩模的協(xié)議。據(jù)發(fā)布資料顯示，IBM計(jì)劃將ArF液浸光刻技術(shù)延伸至14nm，因此雙方?jīng)Q定此次進(jìn)行共同開發(fā)。 兩家公司從2005年起持續(xù)共同開發(fā)掩模，目前已
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HamaTech接到幾十份MaskTrack Pro設(shè)備訂單
SUSS MicroTec AG的全資子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到幾十份MaskTrack Pro設(shè)備訂單。MaskTrack Pro于2009年投產(chǎn)，是用于下一代光刻領(lǐng)域的完整掩膜流程平臺。對于亞22nm 193nm浸沒式光刻、EUVL深
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新一代微細(xì)化技術(shù)及裝置紛紛亮相，曝光裝置缺席展會
在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會展中心）上，微細(xì)化是最重要的主題之一。因此，支持新一代微細(xì)化技術(shù)的技術(shù)及生產(chǎn)裝置紛紛亮相，比如，支持DRAM中的3X～2Xnm以及NAND閃存和邏輯IC中的2X～1
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EV Group推出軟UV納米壓印光刻技術(shù) 尺寸可達(dá)12.5nm
領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商EV Group發(fā)布了一項(xiàng)新的技術(shù)Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨圖形。基于EVG的UV-NIL系統(tǒng)，SMS-NIL為客戶提供可重復(fù)的、具成本效益的工
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AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時(shí)支持ArF-DP和EUV
美國應(yīng)用材料（AMAT）發(fā)布了掩模檢查設(shè)備“Aera3”。支持22nm工藝，檢測靈敏度較該公司原機(jī)型“Aera2”提高50％，同時(shí)還配備了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）兩種光刻技術(shù)的功能。 作為面向ArF液浸的
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Sokudo早餐會上論光刻技術(shù)趨勢
在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實(shí)現(xiàn)22nm的各類光刻技術(shù)的進(jìn)展、挑戰(zhàn)與未來市場前景進(jìn)行了熱烈的討論。作為193nm光刻技術(shù)的接替者，ASML仍是全球EUV(遠(yuǎn)紫外光光刻機(jī)) 技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司的首臺NXE31
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ASMLQ2業(yè)績創(chuàng)新高6套EUV設(shè)備將交貨
ASML日前宣布，其2010年Q2凈銷售達(dá)到1,069million歐元，凈收入為239million歐元，Q2的凈訂單價(jià)值1,179million歐元，包括了48套新系統(tǒng)及11套二手系統(tǒng)。各項(xiàng)數(shù)據(jù)均較2010年Q1有所提高。ASML總裁兼CEOEricMeurice認(rèn)為，
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2015年15nm GF將用EUV光刻技術(shù)造芯片
在最近的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會議上， Global Foundries公司對外宣布，將會在15nm制程時(shí)開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。Global Foundries公司高級副總裁Greg Bartlett表示，在紐約Fab 8工廠建成之后的2012
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Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點(diǎn)正式啟用EUV光刻技術(shù)
在最近召開的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點(diǎn)開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。 Global Foundries 公司負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將
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ASML Q2業(yè)績創(chuàng)新高 6套EUV設(shè)備將交貨
ASML日前宣布，其2010年Q2凈銷售達(dá)到1,069 million歐元，凈收入為239 million 歐元，Q2的凈訂單價(jià)值1,179 million 歐元，包括了48套新系統(tǒng)及11套二手系統(tǒng)。各項(xiàng)數(shù)據(jù)均較2010年Q1有所提高。ASML總裁兼CEO Eric Meuric
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光刻技術(shù)路在何方？
光刻技術(shù)正處在十字路口并可能是在向錯(cuò)誤的方向發(fā)展。光刻是支撐摩爾定律所闡明的IC工藝不斷縮微的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)。當(dāng)前的技術(shù)仍然可行，而且其壽命已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了所有人的預(yù)期，所以將在不久的將來失去動力。其后繼技術(shù)
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張忠謀公開臺積電20nm制程技術(shù)部分細(xì)節(jié)
臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺積電公司日前舉辦的技術(shù)會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個(gè)
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是用EUV光刻技術(shù)制造的，瑞士企業(yè)展出hp 35nm的納米壓印模具
瑞士Eulitha AG強(qiáng)調(diào)“用EUV（extreme ultraviolet）光刻技術(shù)制造”的納米壓印用模具，在“nano tech 2010（國際納米科技綜合展，2月17～19日）”上展出。在2mm×0.5mm的轉(zhuǎn)印區(qū)內(nèi)形成了最小17nm的網(wǎng)點(diǎn)、最小半間距（h
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英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在201
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)
在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技
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中國32nm技術(shù)腳步漸近
32nm離我們還有多遠(yuǎn)？技術(shù)難點(diǎn)該如何突破？材料與設(shè)備要扮演何種角色？10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研討會即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)”這一主題進(jìn)行了探討。32nm節(jié)點(diǎn)挑戰(zhàn)無限“45nm已進(jìn)入量產(chǎn)，32nm甚至更小
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設(shè)備市場獲改善 Cymer、KLA-Tencor調(diào)升預(yù)測
晶圓設(shè)備市場正在得到改善。 Cymer和KLA-Tencor分別調(diào)升了各自的預(yù)期。周一，光源供應(yīng)商Cymer稱目前公司預(yù)計(jì)第三季度收入將較第二季度的6200萬美元增長30%。新光刻技術(shù)光源需求獲得了增長。 據(jù)悉，該公司此前的預(yù)期
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ASML一體化光刻解決方案延續(xù)摩爾定律
ASML集團(tuán)公司在美國舊金山舉行的SEMICON West展會上發(fā)布多項(xiàng)全新光刻設(shè)備，讓芯片制造商能夠繼續(xù)縮小半導(dǎo)體器件尺寸。FlexRay™ (可編程照明技術(shù))和BaseLiner™ (反饋式調(diào)控機(jī)制)為ASML一體化光刻技術(shù) (ho
