英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。

Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。

在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產(chǎn)可能要到2019年,即16nm以下水平。因此EUV對于22nm半間距己經(jīng)太遲了,所以只能讓16nm及以下的客戶使用。從兩次曝光和EUV光刻的成本看到EUV與其它技術相比缺乏競爭性。

Hamatani談到對于EUV技術存在不少其它的替代方法,如通過掩模源程序的最佳化和定制照明來延伸單個圖形技術。Hamatani說在可供選擇之中有可供32nm半間距及以下的所謂間距兩次曝光,pitch splitting兩次曝光,如稱之為LELE,LFLE及l(fā)ine cutting 光刻技術。能夠精確和穩(wěn)定的圖形測量是關鍵,包括使用為了減少誤差的帶干涉儀的編碼系統(tǒng),和EUV相比較兩次圖形曝光比較省錢。

三星電子的首席技術官Jeong Ho Yeo表示希望采用兩次圖形曝光和EUV能繼續(xù)的把存儲器的尺寸縮小。Yeo又說它的觀點是由于成本及圖形的復雜性,采用多束形成圖形作為一種解決方案可能不現(xiàn)實。為了降低存儲器生產(chǎn)中的成本,低成本的兩次圖形曝光技術是有前途的。

在兩次圖形曝光技術中CD控制是個挑戰(zhàn),需要從技術上去突破。通過平臺功能或者某些自對準方法可以達到所需的套準精度。

Yeo認為EUV光刻被證明可達到小於20nm的分辨率,包括4XDRAM的接觸層。雖然如此,Yeo說對于EUV技術尚還有三個挑戰(zhàn)。即無缺陷的EUV掩模;高功率EUV光源及相應的光刻膠。在大量制造時空白掩模的缺陷密度在25nm時要求<0,003/cm2。而目前狀態(tài)仍有比較大的差距,在18nm時為1/cm2水平。關于光刻膠方面,在形成22m半間距 pitch 圖形時尚存在差距,如膠的倒塌,分辨率,LWR,放氣和靈敏度。

Nikon的總經(jīng)理 Takaharu Miura認為EUV作為未來的光刻技術尚未就緒,表示目前非?？赡苁遣捎醚由霢rFi 193nm的兩次圖形曝光技術。他認為作為一項大生產(chǎn)要求的設備必須要能夠具備多代使用的技術能力。在22nm及16nm半間距時,鏡頭的NA要>0,3,而在16nm及11nm半間距時NA要>0,4。關于EUV的光源問題,Miura指出系統(tǒng)必須能提供長時間運行的考驗。在掩模方面尚有大量問題需要解決,需要提供光化學的檢驗與驗證設備。

Nikon的院士Soichi Owa,它希望浸入式光刻技術,再加上四倍間距和line cutting光刻能延伸到SRAM的10nm半間距能力。目前的挑戰(zhàn)是適合于EUV的光刻膠和因為需要多次曝光,所以必須減少掩模成本。同時在工藝過程中的檢測十分關鍵。

Synopsys公司光刻部經(jīng)理Kevin Lucas認為目前的工藝和設備己經(jīng)為間距分離的兩次圖形曝光技術作好了準備,無論邏輯或者存儲器產(chǎn)品,尤其是接觸及互連層中使用。然而,為了取得成功需要增加設計與掩模制造的綜合。它認為從設計規(guī)則對于邏輯和存儲器采用兩次圖形曝光都是可能的。當把整個芯片進行復雜度和尺寸分解處理之后,Lucas認為接著OPC和驗證對于兩次圖形曝光的成品率十分重要。采用適當?shù)脑O計限制多次曝光圖形能進一步縮小尺寸。