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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
據(jù)美國科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容
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英特爾CEO：EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
據(jù)美國科技博客BusinessInsider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人Gordon Moore提出，內(nèi)容
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英特爾CEO：EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
北京時(shí)間10月31日消息，據(jù)美國科技博客BusinessInsider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)?推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無異議，而且
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩
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莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？
縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)? 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無異
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Molecular Imprints 開發(fā)出 J-FIL 壓印光刻技術(shù)
-- Molecular Imprints J-FIL 技術(shù)展現(xiàn)生產(chǎn)高性能線柵偏振片的能力 此類偏振片可以被用于平板顯示器 --規(guī)格不超過50納米的大面積線柵偏振片將能提高平板顯示器的分辨率，降低耗電量和成本 德克薩斯州奧斯汀
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MII開發(fā)J-FIL壓印光刻技術(shù)用于平板顯示器
納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 Molecular Imprints， Inc.(簡稱 MII)今天宣布，該公司開發(fā)出了一種可以輕松應(yīng)用于顯示器行業(yè)的軸承式 Jet and Flash® 壓印光刻(簡稱 J-FIL® )技術(shù)和工藝。
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市場抉擇極限 14nm制程是半導(dǎo)體業(yè)難以跨越的坎？
依照摩爾定律，全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每兩年進(jìn)入一個(gè)新世代。從理性分析來看，業(yè)界都認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)遲早會(huì)遇到技術(shù)上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出
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14nm制程是半導(dǎo)體業(yè)難以跨越的坎？
業(yè)界都認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)遲早會(huì)遇到技術(shù)上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出選擇依照摩爾定律，全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每兩年進(jìn)入一個(gè)新世代。從理性分析來
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14nm制程是半導(dǎo)體業(yè)難以跨越的坎？
業(yè)界都認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)遲早會(huì)遇到技術(shù)上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出選擇 依照摩爾定律，全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每兩年進(jìn)入一個(gè)新世代。從理性分
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Rolith和SUSS MicroTec宣布安裝第2代納米光刻工具
2013年3月7日，高級(jí)納米結(jié)構(gòu)涂層和設(shè)備研發(fā)企業(yè)Rolith, Inc.宣布成功安裝 由Rolith, Inc. 獨(dú)家授權(quán)SUSS MicroTec AG建造的第 2 代納米結(jié)構(gòu)原型工具 – RML-2 工具。此原型基于 Rolith, Inc. 開發(fā)的具有顛覆性的納米光
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臺(tái)積電已同意向芯片制造設(shè)備商ASML投資11億歐元
臺(tái)積電已同意向全球最大的芯片制造設(shè)備廠商ASML投資11億歐元(約合14億美元)，以確保獲得未來最新的芯片制造技術(shù)。英特爾也是ASML的投資方之一。ASML在一份公告中表示，臺(tái)積電將以8.38億美元的價(jià)格收購ASML的5%股份，
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英特爾公司投資41億美元促進(jìn)EUV光刻技術(shù)的研發(fā)
據(jù)英國《自然》雜志網(wǎng)站7月25日（北京時(shí)間）報(bào)道，芯片制造商英特爾公司表示，將向總部設(shè)在荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥投資41億美元，其中10億美元專門用于極紫外線（EUV）光刻技術(shù)的研發(fā)，新技術(shù)有望讓晶體管的大
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Intel注資41億美元推動(dòng)ASML450mm平臺(tái)及EUV相關(guān)技術(shù)研發(fā)
為了加快在450mm技術(shù)和EUV光刻技術(shù)方面的發(fā)展速度，Intel公司最近與設(shè)備廠商ASML公司達(dá)成了一攬子總合作金額高達(dá)41億美元的協(xié)議。作為協(xié)議的一部分，Intel將首先購買總值約21億美元的ASML股票，將來為配合ASML公司為
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EUV技術(shù)差距甚遠(yuǎn) 芯片廠商陷入兩難
長久以來看好可作為芯片制造業(yè)的下一大步── 超紫外光(EUV)光刻技術(shù)事實(shí)上還未能準(zhǔn)備好成為主流技術(shù)。這意味著急于利用EUV制造技術(shù)的全球芯片制造商們正面臨著一個(gè)可怕的前景──他們必須使用較以往更復(fù)雜且昂貴的技
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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩
在日前的一場閃存高峰會(huì)中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可
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后ArF時(shí)代的光刻征途
Cost matters。用中國話說就是“成本猛于虎”。 半導(dǎo)體業(yè)人士最大的夢(mèng)想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報(bào)。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)力，它影響著成千上萬的工程師
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隨筆：EUV光刻技術(shù)與協(xié)和式超音速客機(jī)的奇妙類比
與我們熟悉的摩爾定律類似，如果采樣對(duì)比的時(shí)間長度足夠短，那么幾乎任何科技發(fā)展的速度都會(huì)呈現(xiàn)出一種對(duì)數(shù)級(jí)的線性增長。有些業(yè)內(nèi)人士總是喜歡將其所在業(yè)界的發(fā)展歷史趨勢總結(jié)為與摩爾定律類似的形式，希望業(yè)界的未
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MIT實(shí)現(xiàn)9納米工藝電子束光刻技術(shù)
麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸。MIT表示，電子束光刻工具的最小特征尺寸已證實(shí)可以解決25nm的制程
