據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。
受行業(yè)周期性低迷的影響,存儲芯片的頭部廠商正在經(jīng)歷寒冬階段。
三星晶圓廠中多次成功的流片表明,新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)流程已具備生產(chǎn)就緒的能力 加利福尼亞州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)近日宣布,在雙方的長期合作中,三星晶圓廠(以下簡稱"...
(全球TMT2022年11月4日訊)新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,在雙方的長期合作中,三星晶圓廠已經(jīng)通過新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)了多次成功的測試流片,從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)被采用于對功耗、性能和面積(PPA)要求極高的...
(全球TMT2022年11月4日訊)奧特斯2022/23財(cái)年上半年的合并收入增長53%至10.7億歐元(去年同期:6.98 億歐元)。調(diào)整匯率影響后,綜合收入增長37%。調(diào)整后息稅折舊攤銷前利潤為3.35億歐元,同比增長139%。 微芯科技公告稱,2023財(cái)年前六...
新思科技近日宣布,在雙方的長期合作中,三星晶圓廠已經(jīng)通過新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)了多次成功的測試流片,從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)被采用于對功耗、性能和面積(PPA)要求極高的應(yīng)用中。與三星SF5E工藝相比,采用三星晶圓廠SF3技術(shù)的共同客戶將實(shí)...
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星顯示公司近日從日本富士膠片購買了42項(xiàng)專利,大部分專利是關(guān)于氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)的,這是關(guān)于OLED的技術(shù)。近年,三星顯示公司在關(guān)于OLED相關(guān)專利方面的動作非常頻繁,強(qiáng)化顯示地位和相關(guān)技術(shù)的目的隱隱若現(xiàn)。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日韓國首爾中區(qū)檢察院起訴了4名三星集團(tuán)的員工,因其涉嫌竊取三星的半導(dǎo)體技術(shù)資料泄露給中國企業(yè)以及Intel公司。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,昨天三星電子公布了今年Q3季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù),其芯片業(yè)務(wù)下滑約14%,整個(gè)Q3季度的凈利潤約為9.14萬億韓元(64.51億美元)遠(yuǎn)低于之前的預(yù)期。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道,由于存儲芯片市場的持續(xù)萎靡,對全球存儲行業(yè)領(lǐng)頭羊的三星影響非常大,近日三星表示將拓展汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域,或?qū)⒁虼嗽跉W洲建廠。
日前,Alphawave公司宣布,其成為臺積電N3E工藝首批流片的客戶。相關(guān)產(chǎn)品會在本周晚些時(shí)候的臺積電OIP論壇上公布詳情。
QD-OLED面板,即量子點(diǎn)面板,是一種使用量子點(diǎn)(英文,quantum dot,QD)的顯示設(shè)備,量子點(diǎn)是半導(dǎo)體納米晶體,可以產(chǎn)生純單色的紅光、綠光和藍(lán)光 [1] 。
10月20日消息,根據(jù)韓國媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo),三星過去有持續(xù)與聯(lián)電進(jìn)行合作,現(xiàn)在預(yù)計(jì)將與更多的晶圓代工廠合作。也就是說,三星除了會將更多非存儲芯片外包給聯(lián)電代工之外,還可能會將非存儲芯片交于力積電、世界先進(jìn)等代工廠商。報(bào)道稱,三星電子正計(jì)劃增加非存儲芯片的生產(chǎn)外包,臺灣代工廠大廠聯(lián)電可能會獲得三星提供的更多的圖像傳感器和顯示驅(qū)動芯片的代工訂單。
10月19日消息,據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo),因全球市場景氣度持續(xù)下滑,三星美國德克薩斯州泰勒市先進(jìn)制程晶圓廠建廠計(jì)劃可能延后。
10月19日消息,據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,三星電子于18日在日本東京都召開晶圓代工業(yè)務(wù)說明會,向客戶展示技術(shù)、產(chǎn)能展望,目標(biāo)是進(jìn)一步擴(kuò)大其在日本的晶圓代工業(yè)務(wù)。
10月18日,韓國三星電子宣布,其最新與移動處理器大廠高通(Qualcomm) 合作的LPDDR5X DRAM,日前以8.5Gbps 的業(yè)界最快速度通過了驗(yàn)證,該速度也超越了三星此前在3 月份達(dá)到的7.5Gbps 的最高速度。預(yù)計(jì)高通將會在即將推出的Snapdragon 8 Gen 2 移動平臺上,首發(fā)支持8.5Gbps 的LPDDR5X DRAM。
據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示,今年二季度(4~6月)期間,三星電子拿下了DRAM市場43.4%的市場份額,已連續(xù)第三季擴(kuò)大份額。與此同時(shí),緊隨其后的SK海力士份額為28.1%,環(huán)比增加1%,美光23.6%,環(huán)比下滑1.2%。
星電子計(jì)劃于2023年擴(kuò)大多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù),且制程技術(shù)將擴(kuò)大至4nm。隨著制造工藝水平的提高,在生產(chǎn)線上制造芯片的費(fèi)用不斷上漲,一次0.6微米工藝的生產(chǎn)費(fèi)用就要20-30萬元,而一次0.35微米工藝的生產(chǎn)費(fèi)用則需要60-80萬元。如果設(shè)計(jì)中存在問題,那么制造出來的所有芯片將全部報(bào)廢。為了降低成本,我們采用了多項(xiàng)目晶圓。
Micro LED顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米量級的LED為發(fā)光像素單元,將其組裝到驅(qū)動面板上形成高密度LED陣列的顯示技術(shù)。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自發(fā)光等特點(diǎn)
早前,就有消息稱臺積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝,預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會有一個(gè)大幅度的拉升,而第四季度的投片量會達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。