【導(dǎo)讀】高通助陣，臺(tái)積電45奈米明年上路        手機(jī)芯片大廠高通（Qualcomm）表示，已經(jīng)開(kāi)始著手45奈米先進(jìn)制程研發(fā)，雖然仍有許多材料上或制程上的問(wèn)題有待解決，不過(guò)整個(gè)進(jìn)展速度仍十分順利，預(yù)計(jì)明年下旬就可開(kāi)始與臺(tái)積電等晶圓代工伙伴進(jìn)入試產(chǎn)階段，十分符合臺(tái)積電宣稱明年下半年走入45奈米世代的預(yù)估。相較于臺(tái)積電對(duì)45奈米世代的積極攻城略地，聯(lián)電外傳亦與德儀合作，明年底前就會(huì)跨足45奈米市場(chǎng)。       雖然奈米制程的資本支出需求愈來(lái)愈大，不過(guò)隨著193奈米波長(zhǎng)的浸潤(rùn)式顯影制程（immersion lithography）設(shè)備已可支持至32奈米世代，在關(guān)鍵設(shè)備不需大幅替換情況下，晶圓代工廠在65奈米制程開(kāi)始進(jìn)入接單量產(chǎn)階段后，也延續(xù)摩爾定律（Moore's Law）原則，開(kāi)始著手布局下一代45奈米制程。       以臺(tái)積電為例，目前45奈米制程的浸潤(rùn)式顯影技術(shù)已有所突破，根據(jù)公司方面日前法說(shuō)會(huì)中提供的資料來(lái)看，臺(tái)積電試產(chǎn)的SRAM最佳缺陷密度為零，代表45奈米已是可行之路。而臺(tái)積電90奈米及65奈米大客戶高通，表示已與臺(tái)積電等晶圓代工廠合作，開(kāi)始進(jìn)行45奈米的研發(fā)，明年下旬就可試產(chǎn)，顯示臺(tái)積電應(yīng)可在客戶的力挺下，明年順利走入45奈米世代。       至于今年亦投入新臺(tái)幣上百億元資金擴(kuò)充高階奈米制程浸潤(rùn)式顯影設(shè)備的聯(lián)電，雖然還沒(méi)公布45奈米技術(shù)藍(lán)圖及生產(chǎn)時(shí)間表，但是外傳聯(lián)電已開(kāi)始與大客戶之一的德儀合作，為明年底或后年初，以45奈米制程進(jìn)行試產(chǎn)進(jìn)行布局。       全球第三大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體（Chartered），因與IBM、三星、英飛凌等共同合作研發(fā)45奈米技術(shù)有成，已經(jīng)快速拉近與臺(tái)積電、聯(lián)電間的技術(shù)落差時(shí)間，由于在IBM及大客戶之一的超微力挺下，65奈米已有不錯(cuò)成績(jī)，明年底開(kāi)始投入45奈米試產(chǎn)應(yīng)該不會(huì)是太難的事。      市場(chǎng)分析師認(rèn)為，目前90奈米激烈的殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，除了延續(xù)到年底的65奈米市場(chǎng)上外，08年上旬45奈米市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)亦會(huì)十分激烈，尤其晶圓代工廠間45奈米試產(chǎn)時(shí)程相近，包括三星、東芝等IDM廠的45奈米研發(fā)亦有一定成果，并以此投入晶圓代工市場(chǎng)爭(zhēng)取訂單，殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)可能會(huì)比現(xiàn)在更「血腥」。