Fairchild宣布推出針對高壓分離式技術而開發(fā)的可擴充、實體 SPICE層級模型，包括 IGBT(650V場截止溝槽)、超接面 FET (600V & 800V SuperFET　MOSFET)以及 HV 二極體 (STEALTH I、II 二極體與超快速系列)，讓設計人員不必再針對不同的元件大小和制程采用單獨的分離式元件模型。

快捷半導體的高壓 SPICE 模型是一種適用于整個技術平臺的實體模型，并非只是單純將不同大小和制程的單獨分離式元件集合而成的模型庫。它能夠記錄電路設計和制程制程的改動。

在過去，高壓 (HV)分離式元件和產品開發(fā)需要經過一個相當耗時且連續(xù)的流程方法：先在 TCAD 中構筑技術、接著將其制成實體元件并完成封裝、然后進行各種測試、再根據所得結果返回開始調整，反覆循環(huán)。

由于設計人員模擬應用電路依靠的是 SPICE 而非 TCAD，所以應用的模擬及調整經常要到技術開發(fā)流程相當后期方可開始，因為只有此時才能得到矽元件的 SPICE 模型。而每當元件尺寸有變動或技術有調整，都不得不重新進行新一輪的 TCAD 模擬、元件制作、元件測試周期，最后才能得到新的分離式元件 SPICE 模型，進行新的應用模擬。

現在，在融合大量的制程技術之后，快捷新開發(fā)以實體元件為基礎、可擴充的 SPICE 模型已經可以直接進入設計周期的前期。透過新的 SPICE 模型，設計人員在制作元件之前即可模擬產品工作，大幅減少了「設計－制作」循環(huán)次數，因而有效降低了成本、縮短了產品上市時間。

「在Fairchild，我們專注于提供用于高水準大電壓電路設計平臺」，Fairchild全球銷售和應用資深副總裁 Chris Allexandre 說道?！高@些新的 SPICE 模型可支援虛擬原型制作，有助于我們的客戶在開發(fā)新產品時提高速度、縮短上市時間，符合我們以優(yōu)異服務向客戶提供現實價值的承諾」。