Intel在去年12月的“架構(gòu)日”活動上公布了名為“Foveros”的全新3D封裝技術(shù)，該技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢，可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片，當(dāng)時Intel展出使用該技術(shù)制造的Hybrid x86 CPU，也公布了一些規(guī)格細(xì)節(jié)。老對手AMD當(dāng)然也不甘落后，AMD在最近的活動中透露，他們正致力于在其處理器之上使用3D堆疊DRAM和SRAM的新設(shè)計來提高性能。

AMD高級副總裁Norrod最近在Rice Oil and Gas HPC會議上發(fā)表講話，并透露該公司正在進行自己的3D堆疊技術(shù)，角度與英特爾的略有不同。此前AMD已經(jīng)將HBM2內(nèi)存堆疊在其GPU核心旁邊，這意味著它與處理器位于同一個封裝中，但該公司計劃在不久的將來轉(zhuǎn)向真正的3D堆疊。Norrod解釋說，AMD正致力于在CPU和GPU之上直接堆疊SRAM和DRAM內(nèi)存，以提供更高的帶寬和性能。

其實顯然這種創(chuàng)新已經(jīng)成為必然的選擇，因為摩爾定律已經(jīng)失效，多年來業(yè)界一直在追求提升半導(dǎo)體工藝不斷降低線寬，但是線寬的微縮總是有一個極限的，到了某種程度，就沒有經(jīng)濟效應(yīng)，因為難度太大了。Norrod在會議中也說到，該行業(yè)正在達到集成電路微縮的極限。即使是像Threadripper處理器這樣的多芯片設(shè)計，由于處理器封裝的尺寸已經(jīng)非常龐大，也會遇到空間限制的阻礙。

與許多半導(dǎo)體公司一樣，AMD已經(jīng)調(diào)整了應(yīng)對這新困難的戰(zhàn)略，同時也步入下一個新的浪潮：3D堆疊芯片技術(shù)。不過由于熱量和功率輸送限制，該方法也帶來了挑戰(zhàn)。Norrod沒有深入探討正在開發(fā)的任何設(shè)計的具體細(xì)節(jié)，但這很可能是AMD處理器設(shè)計的一個歷史性節(jié)點。