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[導(dǎo)讀]功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一款全新芯片組,用于IR專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)模擬級(jí)平臺(tái)。該芯片組包含全新IR2175線性電流傳感集成電路及現(xiàn)有的IR2136三相

功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一款全新芯片組,用于IR專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)模擬級(jí)平臺(tái)。該芯片組包含全新IR2175線性電流傳感集成電路及現(xiàn)有的IR2136三相逆變驅(qū)動(dòng)集成電路。

IR2175可提供電流反饋信息,并具備提供更高帶寬和更快加速度的高速頻率輸出 (Fo = 130kHz) 性能,能滿足要求嚴(yán)格的伺服電機(jī)應(yīng)用,如高速打印、包裝和機(jī)械工具,甚至是機(jī)器人和定位平臺(tái)等自動(dòng)化應(yīng)用。

模擬級(jí)芯片組充當(dāng)了IRMC0201及IRMCO203數(shù)字控制引擎與iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)功率級(jí)之間的“橋梁”。全新IR2175器件是專為230V三相交流或直流無刷式工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì),內(nèi)置電流傳感和保護(hù)電路。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路采用IR2175即可省去外置光學(xué)或霍爾效應(yīng)傳感器,從而縮小電路尺寸、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提高可靠性。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“作為iMOTION平臺(tái)的成員,IR2175能簡(jiǎn)化模擬電機(jī)控制電路處理電流傳感和馬達(dá)保護(hù)電路的方式?!?/P>

IR2175具備2.0微秒過電流關(guān)斷功能,附有直接與微處理器或數(shù)字信號(hào)處理器進(jìn)行通信的線路“或連接”?,F(xiàn)有線性電流傳感的光學(xué)或霍爾效應(yīng)系統(tǒng)的關(guān)斷時(shí)間一般長(zhǎng)達(dá)3至4微秒,并需要兩個(gè)外置比較器和一個(gè)電平轉(zhuǎn)換運(yùn)算放大器,才能達(dá)到相同功能。此外,隨著光耦合器老化,發(fā)光管 (LED) 和接收器件之間的電流傳輸比 (CTR) 就逐漸減弱,造成系統(tǒng)故障。

IR2175無需設(shè)置光耦合器,確保系統(tǒng)性能持久穩(wěn)定,有助于提高系統(tǒng)可靠性。新器件采用PWM輸出,并用自舉電源取代了專用輔助電源,從而減小了器件的尺寸和零件數(shù)目。全新IR2175器件有SO-8和8腳DIP兩種符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的緊湊封裝可供選擇。

IR2136器件以3個(gè)高側(cè)MOSFET和3個(gè)低側(cè)IGBT高壓柵驅(qū)動(dòng)器組成,備有一系列保護(hù)功能,并可兼容CMOS或LSTTL輸出,配合3.3V邏輯電平直接接口微處理器或其他邏輯器件,提供120mA/250mA輸出源/汲入電流。IR2136逆變/驅(qū)動(dòng)集成電路使得設(shè)計(jì)堅(jiān)固耐用,dV/dt免疫能力高至50V/ns,而且di/dt驅(qū)動(dòng)電流低,能免除干擾噪聲。

IR2136的死區(qū)時(shí)間降低到250ns,典型通/斷時(shí)間為400ns,與IR2175相匹配。輸出驅(qū)動(dòng)器配備高脈沖電流緩沖級(jí),能將驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo) (Cross-conduction) 減至最低;同時(shí)設(shè)有防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯,可避免短路情況。

單一集成電路封裝內(nèi)全部6個(gè)通道的傳播延遲可互相配合,確保高頻操作穩(wěn)定不變,還可以在過電流時(shí)終止全部6個(gè)輸出。當(dāng)器件因過電流或欠壓而關(guān)斷,主控制器會(huì)接收到一個(gè)開漏極故障訊號(hào)。IR2136器件有28引線DIP、44引線PLCC和28引線SOIC封裝可供選擇。

全新IR2175及IR2136已有供應(yīng),數(shù)據(jù)冊(cè)詳載於IR網(wǎng)頁www.irf.com。

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