電子學(xué)最基本的教科書都會給出這樣的說法，電路是由三大基本元件組成的：電容、電阻和電感。早在1971年，加州大學(xué)伯克利分校教授Leon Chua就已經(jīng)提出預(yù)測，將出現(xiàn)第四種基本元件：記憶電阻（Memristor即memory resistor的縮寫）。簡單的說，這是一種有記憶功能的非線性電阻。我們可以通過施加控制電流的方式改變其阻值，如果把高阻值定義為“1”，低阻值定義為“0”，則這種電阻就可以實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)的功能。

    這一預(yù)測提出已經(jīng)接近40年，但一直沒人能證實這一現(xiàn)象的存在。來自惠普實驗室下屬信息和量子系統(tǒng)實驗室的四位研究人員，在今年5月1日出版的最新一期《自然》雜志上撰文指出，他們已經(jīng)證實記憶電阻效應(yīng)在納米級的電子系統(tǒng)中是天然存在的。在這樣的系統(tǒng)中，固態(tài)電子和離子運輸在一個外加偏置電壓下是耦合在一起的。這一發(fā)現(xiàn)可幫助解釋過去50年在電子裝置中所觀察到的明顯異常的回滯電流-電壓行為的很多例子。

    由R. Stanley Williams領(lǐng)導(dǎo)的研究人員表示，這一發(fā)現(xiàn)將有助于大大提高晶體管密度的極限。而記憶電阻最簡單的應(yīng)用就是制造基于它的非易失性存儲器，替代目前的DRAM內(nèi)存，實現(xiàn)電腦的即時開機(jī)。未來則有可能加速云計算的發(fā)展，幫助實現(xiàn)仿人腦計算機(jī)等。