NEC加入IBM芯片聯(lián)盟 合力開發(fā)下一代芯片
[導(dǎo)讀]IBM和NEC電子日前宣布，雙方已簽署一項關(guān)于共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)的多年期協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，NEC電子將參與開發(fā)32納米節(jié)點上的下一代核心CMOS工藝，以及參與關(guān)于未來領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)的高級基礎(chǔ)研究。
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IBM和NEC電子日前宣布，雙方已簽署一項關(guān)于共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)的多年期協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，NEC電子將參與開發(fā)32納米節(jié)點上的下一代核心CMOS工藝，以及參與關(guān)于未來領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)的高級基礎(chǔ)研究。
加入IBM芯片研發(fā)計劃的其它廠商還有新加坡的特許半導(dǎo)體、飛思卡爾半導(dǎo)體、英飛凌、三星、意法半導(dǎo)體和東芝。
NEC電子目前正在與東芝聯(lián)合開發(fā)45納米和32納米CMOS芯片生產(chǎn)工藝技術(shù)?，F(xiàn)在，NEC把與IBM及其聯(lián)盟伙伴之間的合作擴展到了32納米和更細節(jié)點。IBM表示，除了開發(fā)一種通用工藝平臺，NEC電子還計劃與IBM及其它聯(lián)盟伙伴合作，以加強系統(tǒng)芯片的開發(fā)和設(shè)計能力。
NEC公司CEO Nakajima說：“與IBM達成的新協(xié)議意味著NEC電子將攜手行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者開發(fā)一種通用半導(dǎo)體制造工藝，從而允許我們致力于第一個推出eDRAM以及SOC解決方案，為我們的客戶提供附加值，如高可靠性與低功耗?！?
相關(guān)工作將在IBM在紐約州East Fishkill的300毫米半導(dǎo)體加工廠和紐約州立大學阿爾巴尼分校的納米科學和工程學院進行。
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