特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm
[導讀]新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉(zhuǎn)入28nm。特許半導體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低
新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉(zhuǎn)入28nm。
特許半導體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。
特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。
特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市舉行，由該公司CEO謝松輝(Chia Song Hwee)主持，4日還會在上海舉辦類似的會議。
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