[導讀]東芝展出的300mm晶圓（點擊放大）
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東芝在“nano tech 2011國際納米科技綜合展及技術會議”（2011年2月16～18日，東京有明國際會展中心）上公開了集成有作為新一代邏輯LSI的基礎元件而備受期待
東芝展出的300mm晶圓（點擊放大）
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東芝在“nano tech 2011國際納米科技綜合展及技術會議”（2011年2月16～18日，東京有明國際會展中心）上公開了集成有作為新一代邏輯LSI的基礎元件而備受期待的納米線晶體管的300mm晶圓。這是一種有望以11nm以后工藝實現量產的技術。
納米線晶體管具備將MOSFET的溝道設計成立體構造后從3個方向由柵極電極圍起來的構造。與現有的平面（Plane）構造的MOSFET相比短溝道特性等更為出色，因此“有望將驅動電壓降至0.5V”（東芝展臺解說員）。東芝將該技術“定位于比現有MOSFET的后續(xù)晶體管即鰭型晶體管及SOI晶體管更先進的下一代候補技術”（東芝展臺解說員）（參閱本站報道）。
此次展出的300mm晶圓集成了具有將10條寬9nm、高14nm的溝道并排排列形成的晶體管。該納米線晶體管除了使外延硅固相生長減小了源漏寄生電阻之外，還通過施加溝道結晶方向的控制及應變提高了驅動電流。據稱已經獲得了超過平面構造的MOSFET的驅動電流。（記者：大下 淳一）
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