陶氏電子材料CMP研磨液研發(fā)總監(jiān)余維中表示，根據(jù)摩爾定律，半導體元件微縮需要全新的CMP制程方案，以因應(yīng)主要的制造挑戰(zhàn)。該公司的研究與應(yīng)用團隊直接與客戶合作，確保新的CMP解決方案，符合IC制造商對下一世代元件的需求。此一全新無研磨粒CMP制程是以此需求為發(fā)展基礎(chǔ)。由于其可提供顯著的制程優(yōu)勢及成本效益，已引起業(yè)界極大的關(guān)注。
據(jù)了解，陶氏的RL3100+VisionPad 5000研磨墊CMP銅制程具有以下技術(shù)優(yōu)勢，包括在不同的線寬與線譜密度下，均可產(chǎn)生Low-dishing及No-erosion的顯著優(yōu)勢，且高銅研磨速率(High Cu Rate)、晶圓表面銅的清除能力(Clearing)、更具有對于阻絕層(Barrier Film)與介電層(Dielectric Film)的極高選擇比。另外，還具有高良率、嚴格的Rs控制、高產(chǎn)能，以及寬大的制程窗口。
余維中指出，含有研磨粒的研磨液，一般會形成Erosion或刮痕(Scratching)，RL3100獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低，以達成更高的良率。此外RL3100的稀釋能力，減免研磨墊的清洗及研磨墊Conditioning的減低，進而增加研磨墊的使用壽命，這些都是RL3100提供低成本的解決方案。
經(jīng)實際生產(chǎn)測試，陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲90～45奈米12寸晶圓高產(chǎn)量制造商采用超過3年。同時，此一新世代無研磨粒解決方案也被領(lǐng)先的整合元件制造商(IDM)選為14奈米節(jié)點的記錄制程(Process of Record)，以及獲得主要晶圓代工廠選為28奈米的矽穿孔(TSV)制程。
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