聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來，聯(lián)電和主要競爭對手臺積電(TSMC)的技術(shù)差距不斷拉大，而Globalfoundries不久前也宣布銷售額超越聯(lián)電，將聯(lián)電擠到了晶圓代工排名第三位。
臺積電(TSMC) 和Globalfoundries 都可算在2014或2015年時，于14nm 節(jié)點導入3D FinFET元件。部份先進代工客戶如Nvidia 則表示，他們希望代工廠能更快提供FinFET。因而部份業(yè)界人士猜測，臺積電和GlobalFoundries很可能會改變他們的發(fā)展藍圖，提前納入FinFET。
Globalfoundries 發(fā)言人表示，該公司已經(jīng)完成了完全耗盡型絕緣層上覆矽(SOI)技術(shù)的評估，預(yù)計2013年便可提供給客戶使用，而早期采用的客戶將可獲得該技術(shù)提供的性能優(yōu)勢?！拔覀兒皖I(lǐng)先客戶密切合作，以確保這項技術(shù)在成本、易于設(shè)計、微縮等方面都是最佳化的解決方案。”
英特爾(Intel)已開始在22nm節(jié)點量產(chǎn)采用其FinFET元件(或稱三閘極電晶體, tri-gate)的晶片。目前，許多領(lǐng)先的無晶圓廠公司們，都希望藉由該技術(shù)來改善功耗。(英特爾已公開表示該公司正在為少數(shù)幾家規(guī)模較小的公司使用其22nm 3D技術(shù)生產(chǎn)晶片。但也有傳言指出，英特爾也正與其他數(shù)家公司就代工業(yè)務(wù)展開合作，其中還包括一些重量級的無晶圓廠晶片業(yè)者)。
在20nm節(jié)點納入FinFET將使聯(lián)電在標準平面20nm制外，也有能力提供20nm制程的低功耗版本。無論是臺積電或Globalfoundries，都計劃提供低功耗20nm制程。今年四月，臺積電執(zhí)行副總暨共同營運長蔣尚義曾表示，20nm的關(guān)鍵尺寸幾乎沒有足夠空間來為不同閘極長度調(diào)整設(shè)計規(guī)則，并提供不同版本的20nm制程了。
如果聯(lián)電能及時提供20nm FinFET 低功耗制程，就能與對手做出重大區(qū)隔。而這或許也是該公司奪回近年來不斷被競爭對手所搶占市場的關(guān)鍵所在。
每個人都知道，功耗是晶片制造商和電子產(chǎn)業(yè)中幾乎個一個人最關(guān)心的議題。若聯(lián)電能在競爭對手都還沒準備好時，就提供低功耗20nm FinFET制程，這對業(yè)界會是多么大的震撼？
英特爾負責制程技術(shù)研發(fā)的資深院士Mark Bohr對今年四月《EE Times》報導臺積電表示或許不打算提供低功耗20nm制程的報導所做出的反應(yīng)，是認為晶片代工模式即將“崩潰” 。Bohr的看法可能過于偏激了。但他的出發(fā)點在于像美國高通這類無晶圓廠晶片業(yè)者，都會需要能盡可能降低晶片供耗的制程。
當然，目前有關(guān)聯(lián)電的20nm FinFET仍然只是一個計劃。即使獲得IBM的技術(shù)，卻也無法保證新制程的開發(fā)會一帆風順。而聯(lián)電本身也尚未對客戶提供任何有關(guān)該技術(shù)的時間表。
然而，若一切依計劃進行，則此舉將大幅強化聯(lián)電在代工領(lǐng)域的競爭力。