根據(jù)SEMI統(tǒng)計，目前全球有超過1,150座晶片制造廠，其中包括300座以上的光電元件與LED 制造廠；該組織預(yù)期2012年總計將有76座廠房開始量產(chǎn)。SEMI所統(tǒng)計的晶圓廠支出項目，包括新設(shè)備/二手設(shè)備的采購，以及原有設(shè)備的整新，但不包括測試與封裝設(shè)備。晶圓廠設(shè)備支出的目的則包括擴(kuò)充產(chǎn)能、制程節(jié)點升級，以及晶圓尺寸的改變/增大。

SEMI表示，2012年全球晶圓廠支出中，有100億美元來自晶圓代工業(yè)者的投資；而估計在2013年，晶圓代工業(yè)者的晶圓廠設(shè)備投資金額將維持在100億美元左右。

以區(qū)域來看，美國業(yè)者在2012年的晶圓廠建設(shè)項目占據(jù)全球最大比例；在2010年至2012年，美國半導(dǎo)體業(yè)者的晶圓廠建設(shè)項目支出累計超過60億美元，來自英特爾(Intel)、 Globalfoundries、三星(Samsung)與美光(Micron)。

上述美國廠商的晶圓廠建設(shè)計劃大多數(shù)將在2012年底完工，而且預(yù)期當(dāng)?shù)匚磥聿]有更多大型晶圓廠設(shè)置計劃；因此美國廠商的晶圓廠支出金額將由2012年的30億美元，在2013年減少至5億美元以下。2013年大多數(shù)的晶圓廠建設(shè)計劃是在臺灣、中國與韓國。

[!--empirenews.page--]據(jù)了解，三星計劃將現(xiàn)有的四條記憶體生產(chǎn)線，改為邏輯晶片生產(chǎn)線；同時該公司打算在中國西安投資70億美元興建一座NAND快閃記憶體工廠，預(yù)計2012年9月中旬動土。其他晶圓廠建設(shè)計劃包括中芯國際(SMIC)的北京新晶圓廠，以及臺積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)兩家晶圓代工業(yè)者在臺灣的新晶圓廠計劃。