Noonen進(jìn)一步指出，相較于現(xiàn)今2D平面式電晶體，3D FinFET藉由將導(dǎo)電通路設(shè)計(jì)于兩側(cè)，形成可控制電流流動(dòng)的閘極環(huán)繞的3D鰭狀架構(gòu)，可為行動(dòng)裝置提升40～60%電池使用壽命，再加上14nm制程技術(shù)的助力，即可輕松解決行動(dòng)裝置電池電力消耗過(guò)快的棘手挑戰(zhàn)。

有鑒于此，GLOBALFOUNDRIES下一代制程技術(shù)--14nm-XM即采用3D FinFET架構(gòu)，并可運(yùn)用該公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM制程技術(shù)的矽智財(cái)(IP)，讓想利用FinFET SoC優(yōu)勢(shì)的IC設(shè)計(jì)商能以最快的速度從20nm無(wú)縫轉(zhuǎn)移至14nm。

據(jù)了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開(kāi)14nm-XM技術(shù)研發(fā)工作，除開(kāi)始提供制程設(shè)計(jì)套件(PDK)外，矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進(jìn)行測(cè)試中，明年將可進(jìn)行投片試產(chǎn)，后年則進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為??各大晶圓代工廠中，率先于14nm量產(chǎn)時(shí)程競(jìng)賽中達(dá)陣的業(yè)者。

不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代制程技術(shù)中采用3D FinFET，臺(tái)積電因應(yīng)未來(lái)市場(chǎng)需求，亦于日前變動(dòng)技術(shù)藍(lán)圖，將原本下一代14奈米制程改成較符合客戶需求的16奈米制程，而此一16奈米制程也將首度導(dǎo)入3D FinFET電晶體制程，預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間為2015年。

另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米產(chǎn)品線的業(yè)務(wù)拓展亦大有斬獲。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國(guó)際IC設(shè)計(jì)大廠的訂單，且28nm產(chǎn)能利用率正快速攀升中，現(xiàn)階段月產(chǎn)量可達(dá)六～八萬(wàn)片，連同32nm在內(nèi)，每月總共可提供近三十萬(wàn)片產(chǎn)量，足以滿足客戶的需求。

盡管GLOBALFOUNDRIES在先進(jìn)制程的量產(chǎn)腳步不斷加快，但相較于臺(tái)積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手紛紛入股艾司摩爾(ASML)，以布局未來(lái)18寸晶圓商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對(duì)此指出，18寸晶圓是否符合未來(lái)半導(dǎo)體制造成本仍是未定之?dāng)?shù)，GLOBALFOUNDRIES會(huì)藉由尋求合作機(jī)會(huì)進(jìn)行仔細(xì)評(píng)估，并且持續(xù)密切關(guān)注產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)與市場(chǎng)需求。