ARM今(23)日舉辦年度技術(shù)研討會(huì)，臺(tái)積電 (2330)技術(shù)長(zhǎng)孫元成(見(jiàn)附圖)獲邀出席，分享臺(tái)積電于先進(jìn)制程的布局。孫元成指出，臺(tái)積電的20 奈米 SoC解決方案預(yù)計(jì)今年Q4即可試產(chǎn)(risk production)，而相隔一年后、明年11月則預(yù)計(jì)推出16奈米FinFET制程(技術(shù)水準(zhǔn)相當(dāng)于競(jìng)爭(zhēng)者的14奈米)的試產(chǎn)，相對(duì)于20奈米制程將能更節(jié)省功耗、效能也更高。至于再下一個(gè)世代的10奈米FinFET制程，臺(tái)積電則預(yù)計(jì)于2015年底推出。
關(guān)于20奈米SoC的功耗與效能表現(xiàn)，孫元成表示，20奈米SoC解決方案若相較于28奈米HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極)制程，可增加約25%的效能，并減少30%的耗能，跨入16奈米制程后，則是FinFET架構(gòu)的天下，而ARM也和臺(tái)積電攜手合作，臺(tái)積電將使用ARM的首款64 位元處理器v8來(lái)測(cè)試16奈米FinFET制程，并可望在明年11月推出首款測(cè)試晶片。
孫元成指出，臺(tái)積電研發(fā)FinFET架構(gòu)超過(guò)10年，由于FinFET架構(gòu)的閘極包覆奈米線通道的角度相當(dāng)完整，因此具備節(jié)省功耗的優(yōu)點(diǎn)，很適合應(yīng)用于行動(dòng)裝置，可說(shuō)從智慧型手機(jī)、平板到工業(yè)用途都罩得住。而明年底16奈米FinFET制程也就可以驗(yàn)證完畢，目前則已經(jīng)送樣，此部分布局可說(shuō)已經(jīng)就緒。
關(guān)于業(yè)界討論熱烈的摩爾定律是否有所局限，對(duì)此孫元成觀察，摩爾定律還有長(zhǎng)路可走，雖然極紫外光微影制程(EUV)發(fā)展速度稍有延遲，但他認(rèn)為只要EUV技術(shù)可以做到成熟，接下來(lái)一直到5奈米制程都可以持續(xù)趨近遵循摩爾定律；而除摩爾定律外，臺(tái)積電也正在研發(fā)3D晶片堆疊技術(shù)，可望為先進(jìn)制程開(kāi)拓更多可能性。