中心議題：
    *  分析影響RTC 精度的各種因素
    *  總結了目前常見的補償機制
解決方案：
    *  內建高精度溫補硬件RTC SOC智能電表方案

本文系統(tǒng)分析了影響RTC 精度的各種因素，總結了目前常見的補償機制，提出一款基于能兼顧功耗和補償實時性的SOC國網電表芯片方案，大幅降低智能電表的成本，提升方案的整體競爭。

前言

隨著國網公司智能電表的招標，電表廠商間競爭日趨激烈，成本成為電表廠最關心的問題之一，只有降低成本才有可能在低價競爭中，占據有利地位，逐步提高利潤。這使得SOC成為關注的焦點。

從目前國網單向智能電表方案來看，電子物料中成本占大頭的分別是實時時鐘芯片，ESAM安全芯片，MCU, 計量芯片，LCD 驅動。ESAM安全芯片由于安全需要為國網指定使用，不具集成條件；計量芯片雖然趨勢上最終是要集成進SOC芯片，但由于國網對此的態(tài)度較審慎，短時間難有突破。所以目前比較務實的SOC方案是將LCD驅動和實時時鐘芯片集成進去，LCD驅動大部分IC廠商均有類似產品，并不存在技術難度，而實時時鐘方面，單向智能電表使用的芯片主要為EPSON的8025T, Intersil 12020M，美信DS3231，單價均在7元以上，價格較貴，但性能指標較高，-40度~85度范圍內，精度優(yōu)于0.432秒/天，遠高于國網要求的-25度~60度，1秒/天的要求。要在SOC芯片中實現外置實時芯片接近的性能，雖有難度，但也并非完全不可能。

實時時鐘的計時精度主要取決于時鐘源的特性，以及如何根據時鐘源的特性做出的補償機制，下面就這兩個方面做簡單的介紹。

由于實時時鐘芯片需要在電池供電下工作，所以功耗成為很重要的考慮因素，通常采用高ESR的音叉晶振。音叉晶振精度受到以下幾個方面的影響：

1.生產工藝的偏差，導致常溫下的頻率發(fā)生偏移，一般在 +/-20PPM左右，精度稍高的在+/-5PPM。

 2.溫度的影響。這部分影響最大，頻率偏移與溫度近似成拋物線特性老化。晶振精度會隨著工作時間的增加而發(fā)生變化，第一年最大會有+/- 3PPM變異，整個使用壽命期間會有+/-10PPM的變化。

激勵功率的影響。過高的激勵功率會影響時鐘源的精確性和壽命，所以激勵功率應控制在晶振可接受的范圍內，對于常用的32768音叉晶振，激勵功率應小于1uW.負載電容。包括外接的負載電容和PCB雜散電容，負載電容對頻率的影響稱為牽引率，可用以下公式表示

CM：為晶體的動態(tài)等效電容
C0: 為晶體的靜態(tài)電容
CL: 為外接負載電容

 
圖2 負載電容對頻率的影響

常見的補償機制分為模擬方法和數字方法：

模擬方法主要原理是利用負載電容對頻率的影響來實現，通過增加和減少負載電容來達到補償的頻率偏移的目的，這種方法的優(yōu)點在于補償的實時性，補償后的每個32768KHz 的時鐘都是準確的，但缺點也很明顯，補償的范圍有限，電容太大或太小后會帶來穩(wěn)定性問題；補償的非線性，以及補償效果與晶體本身的CM有關，帶來批量調節(jié)的復雜性。

圖3 模擬補償方法

數字補償機制。常用的數字補償機制為TTF(數字脈沖吞吐法),通過吞吐時鐘的個數來達到對計時精度的補償。比如，對于32768Hz時鐘源，通常只需要數32768個脈沖,就可輸出精確的1Hz信號，但當32768Hz時鐘源變快為32769Hz時，仍然數32768個脈沖就可輸出的1Hz信號顯然是偏快的，這時可以通過增加1個脈沖即數32769個脈沖再輸出1Hz，這時的1Hz就是精確的了。補償的精度為 1/32768=30.5PPM,如果需要提高補償的精度可以有兩種辦法：增加吞吐脈沖數的周期時間，如由1S增加至60S,調節(jié)精度變?yōu)?1/32768/60=0.51PPM，但實時性降低，提高吞吐脈沖的頻率，如內建100倍頻的PLL電路,這樣增加1個脈沖的該變的寬度僅為原32768Hz的1/100，補償精度達到0.305PPM，但會帶來功耗的增加，數字補償方法的優(yōu)點是不改變振蕩器本身，補償范圍大，不會帶來穩(wěn)定問題，補償效果確定，與晶體特性無關，缺點是補償的實時性和功耗難以同時保證。

目前市面上的實時時鐘芯片出于電池應用場合功耗考慮，大多采用模擬方法+數字低頻時鐘方法，來實現實時性和功耗平衡，其缺點是工廠調校較多。而在智能電表特定應用場合，在電池供電下，無需輸出1Hz秒脈沖，對校正的實時性要求不高，可以使用低頻脈沖補償方法，同時滿足功耗的要求；而在市電下，要求輸出穩(wěn)定精確的1Hz秒脈沖，但對功耗要求不高，因此可采用高頻脈沖方式來進行輸出補償, 這使得全數字補償成為可能。

本文采用的方式就是全數字補償方式。系統(tǒng)結構如下：

 圖4 系統(tǒng)框圖

系統(tǒng)采用的是中穎電子為國網量身定制的SOC芯片：SH79F6431。

SH79F6431主要資源如下：

* 工作電壓 2.4V~3.6V(部分IO支持5V，用于PLC接口)
* JTAG 在線調試
* 64KB FLASH程序存儲空間
* 256B IRAM，2816 XRAM
* 3路UART接口，一路內建紅外調制電路
* 3 路定時器，2路PWM,可用來產生ESAM和CPU卡時鐘
* 硬件IIC接口，方便與LCD，EEPROM通訊
* 內建 4通道10 bit ADC，可內部直接測量電池電壓
* 帶補償低功耗硬件實時時鐘
* 內建高速PLL
* 內建掉電檢測基準源，方便準確檢測外部掉電
* 內建電源切換電路
* 內建4*39 LCD driver
* 支持ISP

從資源上看，SH79F6431完全可以滿足國網單向電表的應用，比較特別的是其RTC為硬件RTC,其運行獨立于CPU,不受各種復位電路的影響，并可提供兩種供電下的兼顧功耗和實時性的補償機制，保證市電下，每個秒脈沖都準確穩(wěn)定的，而且用戶接口統(tǒng)一，極為簡單易用，用戶只要將需要校正的頻率偏差除以2.03后取整寫入校正寄存器(RTCDATA)即可。

圖中Rref,Rntc,C1組成測溫電路，用于晶體環(huán)境溫度的測量。考慮到功耗和自熱問題，Rref和Rntc的阻抗要較大，這里Rref選用 100K/0.1%電阻，Rntc需用 50K,C1為1000pF，用于滿足ADC輸入動態(tài)電阻的要求。

振蕩器選用的為 Seiko VT-200F,12pF，電容應采用溫漂較小的C0G電容

對于前文提到的各種影響時鐘精度的因素，補償方法如下：

工藝和負載電容的影響：

在常溫(25度左右)下測量出頻偏B(單位ppM) ，將B/2.03寫入RTCDATA即可

老化的影響：

根據晶體實際工作的時間和老化率，將老化引起的頻偏除2.03,得到老化補償值，與常溫補償值和溫度補償值做代數和后，寫入RTCDATA,一年補償一次

溫度的影響：

用測溫電路測量出當前溫度值，根據溫度與晶振隨溫度的變化曲線，找到對應溫度下由于溫度影響引起的頻偏A

全溫度范圍內，補償滿足國網的要求，需確保溫度控制在 +/-1度以內。

晶振的溫度特性并非理想的拋物線，每家的溫度特性均不同，需要大量的溫度實驗來獲取溫度特性，工作量巨大，實踐表明，5度一個點進行描繪，既可以保證精度，又可以使工作量得到較大的減輕。

補償動作在市電下，可一分鐘進行一次，在電池模式下，考慮到功耗，一般十五分鐘一次即可。

一次補償的軟件流程如下：

總結

基于SH79F6431的內建RTC補償SOC方案，簡單易行，無復雜運算，相比較獨立RTC芯片成本大幅度降低，目前該方案通過批量試產驗證，性能可以優(yōu)于國網要求，全溫度范圍內，達到+/-0.3秒/天，補償效果關鍵取決于測溫的精度和物料的一致性。