納米技術在芯片界中的發(fā)展速度相當可觀，而對于目前企業(yè)級處理器發(fā)展領域中主要還是靠45nm獨當一面，而隨著45nm工藝的日趨成熟，各個芯片廠商卻早已開始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線，接下來的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國際電子組件會議(IEDM)上，主要的會議切入點集中放在了32nm工藝之上，并且英特爾(Intel)公司在此次會議中，對32nm制程技術的細節(jié)進行闡述，并計劃于2009年第四季投產(chǎn)，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強的晶體管。

　　從最早的1965年英特爾公司推出的10微米處理器，之后經(jīng)歷了6微米、3微米、1微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.13微米、0.09微米、0.065微米(65nm)，到如今的0.045微米(45nm)的制造工藝。

　　1974年，Intel微處理器8080問世，采用6微米工藝。

　　1978年，Intel推出微處理器8086，頻率有4.77MHz、8MHz和10MHz。

　　1983年，Intel首次推出新型處理器286，頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。

　　1985年，

　　386處理器問世，頻率為16～33MHz，具備初級多任務處理能力)等處理器。

　　1989年，Intel發(fā)布了486處理器。主頻也從25MHz逐步提高到33MHz、40MHz、50MHz、66MHz，采用1微米工藝。

　　1993年，Intel奔騰(Pentium)處理器問世，采用800納米，同時標志著CPU從微米時代跨入納米時代。隨后，英特爾推出采用0.25微米工藝的處理器主要有PentiumⅡ(Deschutes核心)、PentiumⅢ(Katmai、Confidential核心)及賽揚(Mendicino核心)等。

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　　2005年，推出了PentiumExtremeEdition955，標志著Intel進入一個新的階段，65nm時代的來臨。

　　2007年，Intel首款45nmPenryn處理器QX9650問世。

　　從65納米到45納米的轉變是一個跨越的過程，通過全新的英特爾SIMD流指令擴展4(SSE4)，利用47條全新指令加快處理器處理速度，從而在高性能計算機和高端應用領域具備很好的表現(xiàn)。而至強7400處理器作為首款六核處理器，表現(xiàn)當然不會遜色。作為高端產(chǎn)品的至強7460處理器主頻達到2.66GHz，二級緩存為9MB，三級緩存為16MB。而正是有了這些相對較高性能的處理器使得目前服務器市場上的產(chǎn)品能夠更大限度地幫助企業(yè)建立高標準的數(shù)據(jù)中心，從而促進整個社會的經(jīng)濟發(fā)展。

    22nm工藝到底有多難?

　　在32nm工藝沒有完全勝任的時候，不少重點芯片廠商已經(jīng)開始瞄向22nm工藝技術，不管32nm工藝是否能完全勝任各種需求，但是確定的是22nm工藝技術的提出讓不少企業(yè)看到了希望，它的出現(xiàn)必定取代45nm工藝技術，迎接新的技術發(fā)展。不過話又說回來，22nm工藝技術的提出也遵循了芯片技術發(fā)展規(guī)律，但是22nm工藝技術面臨的挑戰(zhàn)似乎不少，SemiconductorInsights分析師XuChang、VuHo、RameshKuchibhatla與DonScansen所列出的15大22納米制程節(jié)點技術挑戰(zhàn)：

　　1.成本與負擔能力

　　IC生產(chǎn)所需的研發(fā)、制程技術、可制造性設計(DFM)等部分的成本不斷提升，而最大的問題就是邁入22納米節(jié)點之后，量產(chǎn)規(guī)模是否能達到經(jīng)濟平衡?

　　2.微縮(Scaling)

　　制程微縮已經(jīng)接近極限，所以下一步是否該改變電路(channel)材料?迄今為止，大多數(shù)的研究都是電路以外的題材，也讓這個問題變得純粹。鍺(germanium)是不少人看好的電路材料，具備能因應所需能隙(bandgap)的大量潛力。

　　3.微影技術

　　新一代的技術包括超紫外光(extremeultraviolet，EUV)與無光罩電子束微影(masklesselectron-beamlithography)等，都還無法量產(chǎn)。不過193納米浸潤式微影技術將在雙圖案(doublepatterning)微影的協(xié)助下，延伸至22納米制程。

　　4.晶體管架構

　　平面組件(Planardevices)很可能延伸至22納米節(jié)點;不過多閘極MOSFET例如英特爾(Intel)的三閘晶體管(tri-gatetransistor)，以及IBM的FinFET，則面臨寄生電容、電阻等挑戰(zhàn)。

　　5.塊狀硅(Bulksilicon)或絕緣上覆硅(SOI)

　　在22納米制程用塊狀硅還是SOI好?目前還不清楚，也許兩種都可以。

　　6.高介電常數(shù)/金屬閘極

　　取代性的閘極整合方案，將因較狹窄的閘極長度而面臨挑戰(zhàn);為縮減等效氧化層厚度