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電力電子設(shè)備在轉(zhuǎn)換電能過(guò)程中的效率如何計(jì)算
電力電子效率?是指電力電子設(shè)備在轉(zhuǎn)換電能過(guò)程中的效率，通常定義為輸出功率與輸入功率的比值。
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如何調(diào)整音頻處理器延時(shí)？音頻處理器如何調(diào)試
本文中，小編將對(duì)音頻處理器予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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這些嵌入式微處理器你都了解嗎？如何選擇嵌入式微處理器
在這篇文章中，小編將對(duì)嵌入式微處理器的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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航空航天PCB抗輻照設(shè)計(jì)：三防漆選型與單粒子效應(yīng)防護(hù)布局
航空航天領(lǐng)域?qū)﹄娮釉O(shè)備的可靠性要求極高，尤其是在復(fù)雜的太空環(huán)境中，PCB（印制電路板）面臨著輻射、極端溫度、濕度等多種惡劣因素的挑戰(zhàn)。輻射是其中最為關(guān)鍵的影響因素之一，它可能導(dǎo)致PCB上的電子元件性能下降甚至失效，嚴(yán)重影響航天器的正常運(yùn)行。抗輻照設(shè)計(jì)成為航空航天PCB設(shè)計(jì)的核心任務(wù)，其中三防漆選型與單粒子效應(yīng)防護(hù)布局是兩個(gè)至關(guān)重要的方面。
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超薄芯板（≤50μm）量產(chǎn)工藝：機(jī)械鉆孔微孔偏斜控制與無(wú)膠填孔技術(shù)
隨著電子設(shè)備向小型化、輕量化和高性能化方向發(fā)展，對(duì)印制電路板（PCB）的集成度和性能要求日益提高。超薄芯板（芯板厚度≤50μm）因其能夠顯著減小PCB的厚度、提高布線密度和信號(hào)傳輸速度，成為高端電子產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。然而，超薄芯板的量產(chǎn)工藝面臨諸多挑戰(zhàn)，其中機(jī)械鉆孔微孔偏斜控制和無(wú)膠填孔技術(shù)是亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。
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什么是系統(tǒng)級(jí)的片上系統(tǒng)
系統(tǒng)級(jí)芯片(System on Chip，簡(jiǎn)稱SoC)，也稱片上系統(tǒng)，意指它是一個(gè)產(chǎn)品，是一個(gè)有專用目標(biāo)的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部?jī)?nèi)容。
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BMS AFE芯片技術(shù)的門檻有多高？
新能源技術(shù)在快速發(fā)展，而電池作為能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，在電動(dòng)汽車(EV)、移動(dòng)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
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量子計(jì)算控制板設(shè)計(jì)：超導(dǎo)芯片互連的低溫變形補(bǔ)償與微波串?dāng)_抑制
量子計(jì)算作為未來(lái)計(jì)算技術(shù)的關(guān)鍵發(fā)展方向，具有巨大的潛力。超導(dǎo)量子芯片是量子計(jì)算的核心硬件之一，而量子計(jì)算控制板則是實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)量子芯片精準(zhǔn)操控的關(guān)鍵。在超低溫環(huán)境下，超導(dǎo)芯片與控制板之間的互連面臨著低溫變形和微波串?dāng)_兩大挑戰(zhàn)。低溫變形可能導(dǎo)致互連結(jié)構(gòu)的物理特性發(fā)生變化，影響信號(hào)傳輸質(zhì)量；微波串?dāng)_則會(huì)干擾量子比特的精確控制，降低量子計(jì)算的準(zhǔn)確性。因此，研究超導(dǎo)芯片互連的低溫變形補(bǔ)償與微波串?dāng)_抑制技術(shù)對(duì)于量子計(jì)算控制板的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。
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深空探測(cè)器PCB抗輻照設(shè)計(jì)：屏蔽層拓?fù)鋬?yōu)化與單粒子效應(yīng)容錯(cuò)布局
深空探測(cè)任務(wù)是人類探索宇宙奧秘、拓展認(rèn)知邊界的重要途徑。然而，深空環(huán)境充滿了高能粒子輻射，如質(zhì)子、重離子等，這些輻射會(huì)對(duì)探測(cè)器中的電子系統(tǒng)，尤其是印刷電路板（PCB）造成嚴(yán)重影響。高能粒子可能引發(fā)單粒子效應(yīng)（SEE），導(dǎo)致電路邏輯錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)丟失甚至器件損壞。因此，開展深空探測(cè)器PCB抗輻照設(shè)計(jì)，通過(guò)屏蔽層拓?fù)鋬?yōu)化與單粒子效應(yīng)容錯(cuò)布局，對(duì)于保障探測(cè)器的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。
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PCB數(shù)字孿生構(gòu)建：DFM規(guī)則引擎與實(shí)時(shí)生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法
在當(dāng)今電子產(chǎn)品向小型化、高性能化方向快速發(fā)展的背景下，印刷電路板（PCB）的設(shè)計(jì)與制造面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。PCB數(shù)字孿生技術(shù)作為一種新興的智能制造技術(shù)，通過(guò)構(gòu)建虛擬的PCB模型，實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程的實(shí)時(shí)監(jiān)控、預(yù)測(cè)和優(yōu)化。可制造性設(shè)計(jì)（DFM）規(guī)則引擎能夠根據(jù)PCB設(shè)計(jì)規(guī)范和制造工藝要求，對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行自動(dòng)檢查和優(yōu)化。而實(shí)時(shí)生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法則是將實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中的數(shù)據(jù)與數(shù)字孿生模型進(jìn)行關(guān)聯(lián)，使模型能夠準(zhǔn)確反映生產(chǎn)狀態(tài)。本文將深入探討PCB數(shù)字孿生構(gòu)建中DFM規(guī)則引擎與實(shí)時(shí)生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法。
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電磁兼容正向設(shè)計(jì)：近場(chǎng)輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析
在電子設(shè)備日益小型化、集成化的今天，電磁兼容（EMC）問(wèn)題愈發(fā)凸顯。電磁兼容正向設(shè)計(jì)旨在從產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就考慮電磁兼容性，通過(guò)合理的設(shè)計(jì)和優(yōu)化，減少電磁干擾（EMI）的產(chǎn)生和傳播，確保設(shè)備在復(fù)雜的電磁環(huán)境中能夠正常工作。近場(chǎng)輻射是電磁干擾的重要來(lái)源之一，而PCB（印制電路板）布局參數(shù)對(duì)近場(chǎng)輻射頻譜有著顯著的影響。本文將深入探討近場(chǎng)輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析，為電磁兼容正向設(shè)計(jì)提供理論依據(jù)和實(shí)踐指導(dǎo)。
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112G+通道去嵌誤差抑制：多端口TRL校準(zhǔn)與頻變損耗補(bǔ)償模型
在高速數(shù)字通信領(lǐng)域，112G及以上速率的通道傳輸技術(shù)正逐漸成為主流。然而，隨著數(shù)據(jù)速率的提升，信號(hào)在傳輸過(guò)程中受到的干擾和損耗也愈發(fā)嚴(yán)重。通道去嵌誤差是影響高速信號(hào)完整性的關(guān)鍵因素之一，它會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真、眼圖惡化，進(jìn)而降低通信系統(tǒng)的性能。多端口TRL（Thru-Reflect-Line）校準(zhǔn)技術(shù)和頻變損耗補(bǔ)償模型為抑制112G+通道去嵌誤差提供了有效的解決方案。
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大電流熱仿真進(jìn)階：過(guò)孔陣列電流密度分布與焦耳熱耦合建模 引言
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，隨著功率需求的不斷增加，大電流傳輸成為了一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。過(guò)孔作為PCB（印制電路板）中實(shí)現(xiàn)層間電氣連接的重要結(jié)構(gòu)，在大電流傳輸過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。然而，過(guò)孔在承載大電流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電流密度分布不均勻的現(xiàn)象，進(jìn)而引發(fā)焦耳熱效應(yīng)。過(guò)高的溫度不僅會(huì)影響過(guò)孔的電氣性能，還可能導(dǎo)致PCB的可靠性下降，甚至引發(fā)故障。因此，對(duì)過(guò)孔陣列的電流密度分布與焦耳熱進(jìn)行耦合建模和仿真分析，對(duì)于優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)可靠性具有重要意義。
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多相供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）諧振抑制：磁電混合去耦與反諧振峰消除算法
在高性能電子系統(tǒng)中，多相供電網(wǎng)絡(luò)（Power Delivery Network，PDN）承擔(dān)著為芯片等關(guān)鍵負(fù)載提供穩(wěn)定、純凈電能的重要任務(wù)。然而，隨著芯片工作頻率的不斷提高和功耗的日益增大，PDN中不可避免地會(huì)出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。諧振會(huì)導(dǎo)致電壓波動(dòng)、電磁干擾（EMI）增加等問(wèn)題，嚴(yán)重影響系統(tǒng)的性能和可靠性。磁電混合去耦技術(shù)和反諧振峰消除算法為解決PDN諧振問(wèn)題提供了有效的途徑。
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導(dǎo)熱型覆銅板（TCCL）實(shí)測(cè)：1.5W/mK基板對(duì)BGA熱阻降低35%的案例分析
在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能化發(fā)展的趨勢(shì)下，芯片的集成度越來(lái)越高，功率密度也顯著增大。球柵陣列封裝（BGA）作為一種常見的芯片封裝形式，在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。如果不能及時(shí)有效地散熱，芯片的溫度會(huì)急劇升高，導(dǎo)致性能下降、壽命縮短甚至損壞。導(dǎo)熱型覆銅板（TCCL）作為電子電路中重要的導(dǎo)熱介質(zhì)，其導(dǎo)熱性能對(duì)BGA封裝的散熱效果起著關(guān)鍵作用。本文將通過(guò)實(shí)際測(cè)試案例，分析1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板基板對(duì)BGA熱阻的降低效果。
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