目前，功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進，將來也會快速發(fā)展，從簡單的高性價比設(shè)計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。
電平控制LED燈電平轉(zhuǎn)換 單向 12V轉(zhuǎn)3V (其中Vgs>2.5V導(dǎo)通，用的7002所以Vg需要小于60V)
設(shè)計步驟1) 分析設(shè)計要求 電壓增益可以用于計算電壓放大倍數(shù);最大輸出電壓可以用于設(shè)置電源電壓 輸出功率可以用于計算發(fā)射極電流;在選擇晶體管時需要注意頻率特性。2)確定電源電壓在第一個圖中我們觀察到最大輸
現(xiàn)階段MLCC已不是漲不漲價的問題，而是漲多少客戶都得接受的問題，MLCC客戶若嫌貴不買，到外面拿不到貨，再回頭向原來的MLCC制造商要貨，屆時可能已沒貨，且就算重新下訂單，亦不知道要排多久才能輪到。
需求的持續(xù)增加刺激了8寸硅片在2017Q1供給緊張，并從2017H2開始漲價，估計2017年全年漲價幅度約為3%(12 寸硅片漲價幅度達37%)。2018Q1 8寸硅片繼續(xù)緊缺并漲價約10%。
這已經(jīng)是隆基年內(nèi)第九次正式下調(diào)單晶硅片的價格。相比2017年末報價5.4元，截止目前，180μm厚度P型M2單晶硅片已降低71.4%?？梢钥吹剑啾壬习肽甑钠骄徑祪r，新政過后，隆基的三次調(diào)價力度都很大，以6月14日新政后第一次調(diào)價隆基降價最為陡峭。
TDK株式會社推出新系列愛普科斯 (EPCOS) 環(huán)形磁芯共模電感- B82724J8*N040系列。新系列產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可在高達800 V DC或250 V AC的額定電壓下連續(xù)工作，專為變頻器中的直流鏈路濾波而開發(fā)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。
日前傳聞國巨電子中國區(qū)經(jīng)理表示MLCC電容將降價10%，不過國巨方面馬上辟謠否認，表示MLCC沒有降價空間，未來只可能繼續(xù)漲價。
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI) 的四通道1 GSPS ADS54J64模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。14位ADS54J64 ADC提供高信噪比 (SNR)、高帶寬以及500 MSPS的最大輸出采樣率。
這兩年，除了內(nèi)存、顯卡價格瘋狂漲不停，一些基本的電子元器件也在紛紛漲價，包括PCB電路板、電感、電容等，尤其以MLCC最為典型。MLCC就是片式多層陶瓷電容，集成度高，體積小，常用于高端產(chǎn)品，全球市場規(guī)模超過11
12英寸先進模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)基地、OLED面板設(shè)備制造、第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵等多個項目落戶即墨區(qū)。
中科院金屬研究所孫東明團隊聯(lián)合劉暢團隊，研發(fā)了一種連續(xù)合成、沉積和轉(zhuǎn)移單壁碳納米管薄膜的技術(shù)，首次在世界范圍內(nèi)制備出米級尺寸高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜，并基于此構(gòu)建出高性能的全碳薄膜晶體管(TFT)和集成電路(IC)器件。
ROHM面向處理微小信號的光傳感器、聲納及硬盤中使用的加速度傳感器等需要高精度感測的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用，開發(fā)出業(yè)界頂級的低噪聲CMOS*1運算放大器“LMR1802G-LB”。
由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。
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