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MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！

到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。

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2018-12-03

MOSFET 晶圓長(zhǎng)電科技
TDK推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的CeraLink電容器

TDK株式會(huì)社推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的CeraLink FA類型電容器，進(jìn)一步拓展了成熟的CeraLink™電容器的產(chǎn)品陣容。新類型電容器采用節(jié)省空間的設(shè)計(jì)，在相同的端子上并聯(lián)了兩個(gè)、三個(gè)甚至十個(gè)完全相同的電容器來(lái)增加容值。

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2018-11-30

tdk 模塊化柔性裝配技術(shù) ceralink電容器
TDK推出緊湊型冷式等離子發(fā)生器CeraPlas HF

TDK株式會(huì)社推出緊湊型冷等離子發(fā)生器CeraPlas™HF。該元件采用PZT(鋯鈦酸鉛)陶瓷材料以及塑料封裝外殼，尺寸僅為47.3 mm x 20 mm x 20 mm，并配備可焊接引線。此外，它還具有重量輕、功耗低、輸入電壓低等諸多特點(diǎn)。

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2018-11-30

tdk 等離子發(fā)生器 ceraplas hf元件
TDK推出具有大電流能力的緊湊型單端引線式鋁電解電容器系列

TDK公司開發(fā)出新系列愛普科斯(EPCOS)單端引線式鋁電解電容器B41897*系列。該系列電容器尺寸非常緊湊，具有大CV(電容值)和高紋波電流能力，額定電壓范圍為25 V DC至75 V DC，電容范圍為270 μF至12,000 μF。根據(jù)電壓和電容值的不同，新元件的尺寸范圍為12.5 mm x 20 mm至18 mm x 40 mm(直徑x 長(zhǎng)度)。

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2018-11-30

鋁電解電容器 tdk公司汽車電子控制單元
合晶上海廠遭遇病毒攻擊，目前已恢復(fù)正常

合晶表示，上海廠遭到電腦病毒感染的并非生產(chǎn)線，而是控制數(shù)據(jù)的后勤作業(yè)系統(tǒng)，生產(chǎn)線仍可以正常生產(chǎn)。不過，仍會(huì)影響料單領(lǐng)取等出貨作業(yè)。

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2018-11-28

晶圓廠半導(dǎo)體硅晶圓
受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，被動(dòng)元件價(jià)格明年或繼續(xù)下滑！

業(yè)內(nèi)人士指出，中美貿(mào)易戰(zhàn)使大陸需求放緩，預(yù)計(jì)明年第1季被動(dòng)元件市場(chǎng)需求未見起色，MLCC和芯片電阻報(bào)價(jià)下滑幅度估1成到2成。

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2018-11-27

被動(dòng)元件 mlcc 芯片電阻
德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在正式發(fā)布之前，TI投入大量人力物力，累計(jì)進(jìn)行了超過2000萬(wàn)小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試，使得電源設(shè)計(jì)工程師可以更放心地在各種電源應(yīng)用中使用氮化鎵。

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2018-11-26

電源設(shè)計(jì) 德州儀器ti 氮化鎵gan
安森美半導(dǎo)體的寬禁帶方案、技術(shù)及仿真工具優(yōu)化并加快您的設(shè)計(jì)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS，從2016年到2027年SiC和GaN應(yīng)用將激增，包括電動(dòng)/混動(dòng)汽車及充電樁基礎(chǔ)設(shè)施、太陽(yáng)能逆變器、電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS)、軍事/航空等應(yīng)用領(lǐng)域，其中電動(dòng)/混動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器、電源將是主要的應(yīng)用市場(chǎng)。

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2018-11-26

安森美半導(dǎo)體寬禁帶方案 sic二極管
SK海力士增資無(wú)錫晶圓代工業(yè)務(wù)

盡管SK海力士在DARM領(lǐng)域僅次于龍頭廠商三星電子排名第二，但在晶圓代工領(lǐng)域的表現(xiàn)卻不盡如人意，去年年末，SK海力士在晶圓代工領(lǐng)域的市場(chǎng)份額僅為0.2%，排名全球第24位。

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2018-11-23

晶圓代工 sk海力士
直擊IC產(chǎn)業(yè) 中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園今天正式開園

本次會(huì)議邀請(qǐng)了來(lái)自美國(guó)、韓國(guó)等國(guó)家外籍專家，ARM、GlobalFoundries、Synopsys、AMD、ANSYS等30余家國(guó)際企業(yè)及機(jī)構(gòu)出席了此次會(huì)議。核高基02專項(xiàng)總師、中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春圍繞制造業(yè)與設(shè)計(jì)業(yè)的協(xié)同發(fā)展作了題為《中國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》的主旨報(bào)告。

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2018-11-16

集成電路 ARM 中關(guān)村
Vishay推出斷態(tài)電壓800V光耦，滿足高穩(wěn)定性和噪聲隔離要求

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款光可控硅輸出光耦，兩款器件均采用緊湊型扁平SOP-4封裝，進(jìn)一步擴(kuò)展光電產(chǎn)品組合---VOT8024AM和VOT8121AM。Vishay Semiconductors VOT8024AM和VOT8121AM斷態(tài)電壓為800 V，dV/dt為1000 V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。

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2018-11-16

Vishay 光耦噪聲隔離
意法半導(dǎo)體的4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電隔離和保護(hù)功能

STGAP2DM柵極驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動(dòng)器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個(gè)電隔離輸出通道，可以驅(qū)動(dòng)單極或雙極型晶體管的柵極。

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2018-11-16

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器電隔離
Littelfuse推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管，可針對(duì)瞬態(tài)高壓提供單組件保護(hù)解決方案

Littelfuse公司，日前宣布推出TPSMB系列汽車用瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管最新產(chǎn)品，可防止靈敏的汽車電路因閃電和其他瞬態(tài)電壓現(xiàn)象引起的瞬態(tài)高壓而損壞。

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2018-11-16

littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管 aec-q101標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。

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2018-11-15

英飛凌氮化鎵開關(guān)管
晶圓代工：務(wù)實(shí)的臺(tái)積電、激進(jìn)的三星、難產(chǎn)的英特爾

10nm以上的晶圓代工市場(chǎng)則繼續(xù)由臺(tái)積電、英特爾、格芯和三星分食，而大陸最大晶圓代工廠中芯國(guó)際目前的14nm已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，預(yù)計(jì)最快明年量產(chǎn)，屆時(shí)也會(huì)憑借14nm工藝進(jìn)入晶圓代工的第二梯隊(duì)中去。

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2018-11-14

三星英特爾晶圓代工臺(tái)積電