在實體經濟項目中有幾個重大項目引人注意，包括富士康功率芯片工廠建設項目、天岳高品質4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產業(yè)化項目、天岳碳化硅功率半導體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產業(yè)化項目等。
展望未來十年，功耗和功率密度將會被視為限制數據中心和行動裝置運算性能提升的因素。我們將再次面臨挑戰(zhàn)，就像1980年代使用80386處理器時的情況一樣——運算性能受到功耗或熱的限制，但事實上，這些問題最終都透過芯片封裝技術改善了。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴充其表面貼裝TMBS®Trench MOS勢壘肖特基整流器產品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級達到業(yè)內SMF封裝器件最高水平。
東軟載波日前發(fā)布2018年度業(yè)績快報，報告期內，東軟載波實現營業(yè)總收入為 101,330.14 萬元，比去年同期增長 10.93%;營業(yè)利潤為 21,679.21 萬元，比去年同期下降 8.50%;利潤總額為 21,639.03 萬元，比去年同期下降 8.73%。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。
Littelfuse, Inc.宣布今日推出雙向瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA®二極管)系列的首款產品，該系列產品旨在保護高端消費電子產品和可穿戴電子產品免因破壞性靜電放電損壞。
世強進一步豐富阻容感產品線，與專業(yè)的電解電容制造商冠坤電子(Su\'scon)簽署代理協(xié)議。
意法半導體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里。
上半年12英寸硅晶圓由于客戶產能利用率不高，需求不夠強勁，價格將面臨壓力。反觀8 英寸方面，供給仍大于需求，價格維持健康水準。整體而言，晶圓價格強勢的狀態(tài)將在今年持續(xù)，但供需吃緊狀態(tài)有放松之勢，價格的漲幅還是在健康程度，增長速度已經放緩。
近日，浙江嘉興南湖區(qū)人民政府與上?？捣逋顿Y管理有限公司簽署投資協(xié)議和定向基金協(xié)議，這也意味著總投資110億元、年產480萬片300mm(12英寸)大硅片項目將落戶嘉興科技城。
近日，世強與國產電容壓敏熱敏電阻廠商——祥泰電子(深圳)有限公司(以下簡稱祥泰電子)簽署代理協(xié)議，代理其全線產品。由此，世強成為祥泰電子唯一授權分銷商。
臺積電還透露將與硅晶圓供應商重新簽訂合約，以降低成本。這一消息引發(fā)了硅晶圓市場大地震，以環(huán)球晶為首的硅晶圓廠今日股價大跌。
