安徽省廳下發(fā)通知,長(zhǎng)鑫有望三年內(nèi)攻堅(jiān) LPDDR5 內(nèi)存
7月2日消息 安徽省經(jīng)濟(jì)和信息化廳昨日印發(fā)通知。指示,將聚焦安徽省內(nèi)高科技產(chǎn)業(yè)和制造業(yè),用 2-3 年時(shí)間突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),還制定了 2020 年揭榜任務(wù),將著力開發(fā)柔性玻璃、柔性 OLED和低功耗高速率 LPDDR5 DRAM 產(chǎn)品等。
了解到,安徽合肥長(zhǎng)鑫集成電路有限責(zé)任公司是我國目前科研實(shí)力較強(qiáng)的集成電路公司之一,其具備完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存顆粒目前已商用于眾多國產(chǎn)內(nèi)存中,籍此我國 DRAM 存儲(chǔ)微電子產(chǎn)業(yè)達(dá)到真正意義上的全球主流水平。
此次所規(guī)劃的 2020 年揭榜任務(wù)中,就有屬于DRAM研發(fā)領(lǐng)域的三份任務(wù)。要求實(shí)現(xiàn)中高端移動(dòng)、平板及消費(fèi)類產(chǎn)品 DRAM 存儲(chǔ)芯片的自主可控、研發(fā)出更先進(jìn)的 LPDDR5 并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化、14/15nm 工藝研發(fā)(目前量產(chǎn)的內(nèi)存顆粒屬于第一代 10nm 級(jí)工藝,相當(dāng)于 19nm 工藝)等。此次官方為企業(yè)指定的計(jì)劃時(shí)間是 2-3 年,但根據(jù)長(zhǎng)鑫此前的路線圖,其目前早已開始研發(fā)下一代 DDR4/LPDDR4/DDR5/LPDDR5 內(nèi)存等工藝技術(shù)。
除合肥本地的長(zhǎng)鑫外,安徽還吸引了眾多外來科技企業(yè),包括科大訊飛、京東方以及眾多家電和新能源汽車等企業(yè),同時(shí)還擁有我國三個(gè)綜合性國家科學(xué)中心之一,更擁有中科大、中國電科 38 所在內(nèi)的眾多科技人才培育機(jī)構(gòu)。