理解MOSFET時間相關及能量相關輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
摘要:本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關輸出電容Coss(tr)和能量相關輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法,特別說明了在實際的不同應用中,采用不同的輸出電容的原因。諧振變換器必須采用時間相關輸出電容Coss(tr)來計算死區(qū)時間,硬開關變換器必須采用能量相關輸出電容Coss(er)來計算開關損耗。
關鍵詞:輸出電容;死區(qū)時間;開關損耗;超結
功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,有些產(chǎn)品如超結的高壓功率MOSFET通常會列出輸出電容的三個特征值:靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關輸出電容Coss(tr)和能量相關輸出電容Coss(er),而低壓和中壓的產(chǎn)品以及平面的高壓MOSFET很少列出后面的二個電容值,這主要和不同工藝的MOSFET的結構和電容特性有關。許多研發(fā)的工程師并不了解這些電容的實際含義,因此在實際的應用中也不清楚在什么的條件下選擇哪一個電容值,本文將詳細的說明這些問題。
發(fā)表于: 電子產(chǎn)品世界雜志,2019.4
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