眾所周知，英特爾仍在努力改進(jìn)10nm制造工藝，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電(TSMC)已經(jīng)為7nm工藝做好準(zhǔn)備，并且朝著5nm方向邁進(jìn)。近日，召開(kāi)的摩根士丹利會(huì)議上，英特爾首席財(cái)務(wù)官喬治·戴維斯面向投資者表示，承認(rèn)已經(jīng)落后多家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，追趕至少需要兩年時(shí)間。戴維斯表示，這種在制程上的差異意味著10nm處理器產(chǎn)能。

英特爾旨在通過(guò)平臺(tái)級(jí)別的改進(jìn)來(lái)解決其性能不足的問(wèn)題，其中包括在AI和軟件方面進(jìn)行緊密的硬件集成。

“正如去年5月19日我們?cè)诜治鰩熁顒?dòng)日上所說(shuō)的，現(xiàn)在已經(jīng)不是屬于英特爾的輝煌時(shí)代。 我們的產(chǎn)能要比14nm少很多，更低于22nm，但是我們非常興奮的看到各種改進(jìn)，我們預(yù)估在2021年年底前會(huì)邁入7nm時(shí)代并提供更卓越的性能表現(xiàn)?！?

英特爾希望在2021年底趕上臺(tái)積電，但該公司并就此止步，公司希望在2022年底采用3nm結(jié)構(gòu)。