對(duì)無(wú)線電管理工作來(lái)說(shuō)，雜散發(fā)射是產(chǎn)生干擾的重要原因. 在無(wú)線電發(fā)射設(shè)備檢測(cè)過(guò)程中，雜散測(cè)試是一個(gè)重要的必測(cè)項(xiàng)目。雜散是指在工作帶寬外某個(gè)頻點(diǎn)或某些頻率上的發(fā)射，其發(fā)射電平可降低但不影響相應(yīng)的信息傳遞。 包括：諧波發(fā)射、寄生發(fā)射、互調(diào)產(chǎn)物、以及變頻產(chǎn)物，但帶外發(fā)射除外。在射頻測(cè)試中，雜散發(fā)射測(cè)試是一個(gè)基礎(chǔ)測(cè)試項(xiàng)目，主要包括傳導(dǎo)雜散測(cè)試和輻射雜散測(cè)試。下面主要談一下輻射雜散的一些影響因素。

輻射型雜散是指由于機(jī)箱(或機(jī)柜)以及設(shè)備的結(jié)構(gòu)而引起的任何雜散輻射，主要是指由EUT的機(jī)殼、結(jié)構(gòu)及互聯(lián)電纜引起的雜散騷擾。所以說(shuō)EUT的整機(jī)設(shè)計(jì)，天線質(zhì)量，外殼材料及表面工藝的影響對(duì)輻射雜散存在一定的影響。在測(cè)試過(guò)程中，曾遇到很多不同因素的影響，比如：EUT機(jī)殼的金屬框，喇叭的金屬網(wǎng)，按鍵板的影響等等。但是這些只是外殼材料及表面工藝的影響，整機(jī)的設(shè)計(jì)、屏蔽占有更重要的地位。

我們?cè)陔s散測(cè)試過(guò)程中遇到過(guò)很多因?yàn)槠帘螁?wèn)題而耗費(fèi)大量時(shí)間的項(xiàng)目. 摩爾實(shí)驗(yàn)室(MORLAB)曾有一個(gè)項(xiàng)目, 被測(cè)物(EUT)在傳導(dǎo)雜散測(cè)試中指標(biāo)良好,并有10dB的余量，但是在輻射雜散測(cè)試中，其2次諧波卻超標(biāo)了10dB。我們對(duì)其進(jìn)行了OTA測(cè)試，也發(fā)現(xiàn)TRP指標(biāo)不是很理想。初始以為是天線匹配問(wèn)題，通過(guò)使用網(wǎng)絡(luò)分析儀我們修改了天線匹配。測(cè)試后發(fā)現(xiàn)TRP指標(biāo)有了改善，但是在暗室測(cè)試輻射雜散指標(biāo)并沒(méi)什么改善。通過(guò)跟我資深EMC工程師的溝通，了解一個(gè)通過(guò)采用了環(huán)形天線（如圖一）來(lái)探測(cè)干擾源的方法。最后發(fā)現(xiàn)是PA屏蔽不好，使發(fā)射出來(lái)的信號(hào)很容易倍頻到高次諧波上形成強(qiáng)干擾。修改后, 再進(jìn)行測(cè)試,輻射指標(biāo)達(dá)到了10dB的余量。從這個(gè)例子我們可以看出屏蔽的重要性。 圖一

圖2所示是導(dǎo)致EMC性能不良的可能原因，可以根據(jù)這個(gè)來(lái)找出問(wèn)題所在,并采用環(huán)形天線探測(cè)干擾源的方法（結(jié)構(gòu)圖, 如圖3）尋找干擾源：

圖三

環(huán)形天線與頻譜分析儀的射頻電纜連接，設(shè)置頻譜儀在合適的SPAN，并將頻譜儀設(shè)置為尋找并保持最大軌跡點(diǎn)，方便地確定輻射源的位置和特性、輻射泄漏的具體部位和強(qiáng)度。這樣不僅能找出屏蔽效果不好的地方，使得在整機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)使用更好的方案。

圖二

MORLAB在OTA的測(cè)試中也出現(xiàn)過(guò)類似的情況，其測(cè)試頻段包括GSM850、PCS1900，在測(cè)試中GSM850指標(biāo)很好，但是PCS1900的指標(biāo)很差。測(cè)試樣品是一個(gè)手機(jī)底座，所以為了查出是哪個(gè)部分的影響，我們把底座的按鍵板、喇叭網(wǎng)、喇叭及其他的一些附屬器件一個(gè)一個(gè)安裝上去進(jìn)行測(cè)試，最終發(fā)現(xiàn)安裝上調(diào)諧器之后，測(cè)試結(jié)果比沒(méi)安裝上去的結(jié)果相差達(dá)到7dB。仔細(xì)檢查發(fā)現(xiàn)是調(diào)諧器的屏蔽未能做好，調(diào)諧器屏蔽的效果不好, 直接影響了其在測(cè)試頻率上出現(xiàn)串?dāng)_, 使得測(cè)試結(jié)果不理想。通過(guò)相應(yīng)修改后, 測(cè)試結(jié)果達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求。