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IDT將晶圓廠移交給TSMC，啟動(dòng)Fabless轉(zhuǎn)型

IDT與臺(tái)積電(TSMC)日前簽署制造協(xié)議，將其位于美國(guó)奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造移轉(zhuǎn)給臺(tái)積電。此項(xiàng)協(xié)議預(yù)計(jì)在兩年內(nèi)完成所有產(chǎn)品的移轉(zhuǎn)，目前已獲得雙方公司與IDT董事會(huì)的同意。IDT全球制造副總經(jīng)理Mike Hunter

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2009-08-13

IDT TSMC 晶圓廠 BLE
臺(tái)積電投資5000萬(wàn)美金于太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)

臺(tái)積電周二表示，董事會(huì)通過(guò)核準(zhǔn)資本預(yù)算5,000萬(wàn)美元，用于太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)的可能投資。臺(tái)積電稱董事會(huì)另核準(zhǔn)資本預(yù)算11億1,680萬(wàn)美元以擴(kuò)充十二寸晶圓廠的45奈米制程產(chǎn)能與設(shè)置32奈米制程產(chǎn)能。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀6月

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2009-08-13

太陽(yáng)能臺(tái)積電 LED產(chǎn)業(yè) 晶圓廠
得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng) 提高大批量制造超薄晶圓的處理能力

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供

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2009-08-13

半導(dǎo)體晶圓微米 PAD
得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提高大批量制造超薄晶圓的處理能力

基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制，確保強(qiáng)健地處

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2009-08-13

半導(dǎo)體晶圓微米應(yīng)用發(fā)展
英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片

8月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當(dāng)今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費(fèi)存儲(chǔ)設(shè)備。新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲(chǔ)存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公

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2009-08-12

芯片英特爾美光 NAND
全球最大芯片應(yīng)用材料公司連續(xù)三季度虧損

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的芯片制造設(shè)備生產(chǎn)商應(yīng)用材料公司（Applied Materials Inc）周二預(yù)計(jì)，由于新訂單增長(zhǎng)和成本大幅削減，本財(cái)季公司至少能實(shí)現(xiàn)盈虧平衡。此消息推動(dòng)該公司當(dāng)日股價(jià)上漲約4%。周二應(yīng)用材料還

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2009-08-12

芯片太陽(yáng)能應(yīng)用材料公司 RESEARCH
爾必達(dá)問(wèn)題出在推遲代工業(yè)務(wù)

爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計(jì)劃達(dá)6個(gè)月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個(gè)代工訂單，計(jì)劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。盡管近期DRAM價(jià)格回升及日本政府為爾必達(dá)注資，可

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2009-08-12

存儲(chǔ)器爾必達(dá) DDR3 65NM
三維電子晶體制造新工藝問(wèn)世

日本京都大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科的一個(gè)研究小組發(fā)布消息稱,他們開發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時(shí)間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新型材料,可用來(lái)高速處理光信號(hào)以及制造超小型光集成電路片,在下

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2009-08-12

電子金屬晶體反射
電子元器件買賣的一場(chǎng)革命——PowerBuyer登陸中國(guó)

電子元器件信息和供應(yīng)鏈服務(wù)商PartMiner WorldWide Inc.將全新的PowerBuyer帶來(lái)中國(guó)。PowerBuyer是連接 PartMiner全球元器件采購(gòu)平臺(tái)的在線窗口，背后有近300名元器件采購(gòu)專家及由超過(guò)15000個(gè)元器件供應(yīng)渠道組成的供

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2009-08-12

電子元器件 IDE POWER
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：多種專利技術(shù)擴(kuò)展轉(zhuǎn)換之門

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器是模擬世界與數(shù)字世界之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的橋梁。近年來(lái)，隨著人們的生活設(shè)施不斷被數(shù)字化，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求量也越來(lái)越大。今天，在我們所使用的手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3、數(shù)字電視以及數(shù)字化儀表中，都有多個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)

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2009-08-12

低功耗數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 ADC ESD
提升MEMS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力　ADI雙管齊下

為提升于MEMS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，升全球MEMS供應(yīng)大廠亞德諾(ADI)近期傳出自9月起，將正式關(guān)閉位于英國(guó)劍橋MEMS生產(chǎn)線，同時(shí)將MESM生產(chǎn)火力集中到美國(guó)Wilmington生產(chǎn)線，不僅如此，以往由于MEMS測(cè)試成本占總制造成本過(guò)高，AD

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2009-08-12

MEMS ADI LM NATIONAL
GlobalFoundries：盡快著手Fab 3計(jì)劃

上個(gè)月，GlobalFoundries紐約州晶圓廠Fab 2正式破土動(dòng)工，相隔幾周后，GlobalFoundries宣布，他們將盡快著手Fab 3計(jì)劃。隨著紐約州晶圓廠的破土動(dòng)工，GlobalFoundries的信心也更加充足，GlobalFoundries主席Hector R

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2009-08-12

AMD GLOBALFOUNDRIES FAB 晶圓廠
晶圓廠不太行　中國(guó)力推fabless可行？

——編者點(diǎn)評(píng)：這是個(gè)令人鼓舞的規(guī)劃，因?yàn)橹挥蠭C設(shè)計(jì)業(yè)搞上去，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)才有希望，也是作為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的每一個(gè)從業(yè)者夢(mèng)寐以求的大事。但是懷疑者仍有。所以至少我們要能找出此次有什么做法不同于從前，否則很

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2009-08-12

AN FAB 晶圓廠 BLE
單片機(jī)系統(tǒng)RAM的測(cè)試方法研究

在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本文針對(duì)

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2009-08-12

RAM 單片機(jī)系統(tǒng) 測(cè)試方法 MARCH
2009電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國(guó)際會(huì)議在北京

電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國(guó)際會(huì)議（ICEPT-HDP）是每年中國(guó)大陸最具代表性的IC電子封裝國(guó)際會(huì)議。本屆第十屆，由北京清華大學(xué)主辦，於2009年8月11日在北京擴(kuò)大召開，會(huì)議為期三天至8月13日結(jié)束，將為學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的

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2009-08-12

EMI ICE HD IPC

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IDT將晶圓廠移交給TSMC，啟動(dòng)Fabless轉(zhuǎn)型

臺(tái)積電投資5000萬(wàn)美金于太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)

得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng) 提高大批量制造超薄晶圓的處理能力

得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提高大批量制造超薄晶圓的處理能力

英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片

全球最大芯片應(yīng)用材料公司連續(xù)三季度虧損

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