現(xiàn)在嵌入式電子產(chǎn)品設(shè)計過程是越來越複雜,從嵌入式晶片設(shè)計開始的微控制器和FPGA、到因應(yīng)PCB空間縮小降低連結(jié)成本的串列匯流排通訊設(shè)計、以及數(shù)位類比轉(zhuǎn)換和電源管理等,都會產(chǎn)生各類複雜混合的串列和並列數(shù)位訊號,
NI美商國家儀器發(fā)表LabVIEW 2009,此為最新版的圖形化系統(tǒng)設(shè)計平臺,適用於測試、控制,與嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)。LabVIEW 2009將利用多核心系統(tǒng),以新的虛擬技術(shù)簡化平行硬體架構(gòu)的開發(fā)程序;同時更強化了編碼器與IP功能
Aeroflex發(fā)表TM500 TD-LTE Multi-UE,其新增了multi-UE測試功能在其基站測試平臺中,以支援TD-LTE基礎(chǔ)設(shè)施之開發(fā)。TM500TD-LTE Multi-UE讓TD-LTE基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備供應(yīng)商可在負(fù)載狀態(tài)下測試其TD-LTE基地臺(e-NodeB)之效
美商吉時利儀器公司(Keithley Instruments)日前為其3700系列System Switch/Multimeter產(chǎn)品增加了Web瀏覽器介面、多通道圖形繪製工具,這樣將資料形象化的功能皆已內(nèi)建於最新3700系列的主機韌體中。當(dāng)使用者選用內(nèi)建
據(jù)國外媒體報道,臺積電CEO張忠謀近日表示,為了扭轉(zhuǎn)長達(dá)10年的銷售增幅放緩,該公司將在光電及LED(液晶)行業(yè)尋找收購目標(biāo)。臺積電目前正與多家公司接觸,即將展開自2007年以來的首筆收購。張忠謀近日接受媒體采訪時
大陸訂單占據(jù)30%之后,中芯國際還不滿足,它開始挖對手臺積電主力客戶的墻腳。消息人士對CBN記者透露,幾日前,被視為“山寨手機之父”的聯(lián)發(fā)科董事長蔡明介訪問了中芯國際上??偛?,與張汝京談了大約兩個小時,出來
大陸訂單占據(jù)30%之后,中芯國際還不滿足,它開始挖對手臺積電主力客戶的墻腳。消息人士對CBN記者透露,幾日前,被視為“山寨手機之父”的聯(lián)發(fā)科董事長蔡明介訪問了中芯國際上??偛?,與張汝京談了大約兩個
驅(qū)動焊接即在焊接的過程中施加振動,以保證在焊縫方向上能夠穩(wěn)幅和穩(wěn)頻振動。一般的振動焊接儀器上都自帶有加速度測量儀,但是傳統(tǒng)的振動焊接的加速度測量儀器只能固定在一點上進行測量,很難保證穩(wěn)幅和穩(wěn)頻的效果。
8月4日消息,據(jù)臺灣媒體報道,今年第四季半導(dǎo)體市況是好是壞,目前市場上仍是眾說紛紜,但是對臺積電、日月光、矽品等業(yè)者來說,第四季卻有機會淡季不淡。原因是AMD新款北橋芯片組RD890、RS880D等,將自11月正式在臺
日本爾必達(dá)存儲公司(TYO:6665) 稱,計劃下月將把用于高速計算機和服務(wù)器的高級DRAM 芯片產(chǎn)量提高一倍多。此消息一出,周一該公司股價被推高。 爾必達(dá)表示,從9月開始,將把DDR3芯片的產(chǎn)量從現(xiàn)在的月產(chǎn)20000-30000片
Gartner的分析師Bob Johnson認(rèn)為,在晶圓代工領(lǐng)域,也許Globalfoundries (GF)目前在產(chǎn)量上並非是一等一,但在技術(shù)水準(zhǔn)上肯定名列前矛:「該公司已掌握浸潤式微影技術(shù),並很快將開始採用超紫外光(EUV)微影?!苟@兩項
聯(lián)電高層交由新生代接棒剛滿一年,新聯(lián)電追趕臺積企圖浮現(xiàn),四年前在0.13微米制程跌倒,今日則以90納米扳回一成的聯(lián)電,由研發(fā)底子深厚的執(zhí)行長孫世偉領(lǐng)軍,在65納米靠技術(shù)與價格雙向搶灘,這場絕地反攻之役,外資與
1 引言關(guān)于虛擬儀器,有許多種提法和分類[1~8],如卡式儀器、總線式儀器、計算機化儀器等等,多數(shù)均強調(diào)其軟件面板,強調(diào)其虛擬界面及控制環(huán)境,強調(diào)其軟件方法,一句典型且具有代表性的口號則稱:“軟件就是儀器”!
Bureau Veritas ADT(立德國際商品試驗)已獲得國際電工協(xié)會(IECEE)審核認(rèn)可,成為可執(zhí)行充電電池(BATT IEC 62133)之CB測試實驗室(CBTL),並自2009年7月22日起正式執(zhí)行測試。資格已正式列入IECEE線 上認(rèn)證資料庫中,並
外界關(guān)心臺積電40納米制程良率進展,臺積電30日法說首次破例現(xiàn)場聯(lián)機至Fab 12,請先進制程事業(yè)副總劉德音說明。劉德音表示,40納米制程良率已從30%進展到60%,預(yù)期10月其缺陷密度將達(dá)0.2左右,同時,臺積電本季40納米