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智能電網(wǎng)發(fā)展需要支撐八成業(yè)務(wù)涉物聯(lián)網(wǎng)

國(guó)家電網(wǎng)信息通信有限公司副總工程師李祥珍日前透露，國(guó)家電網(wǎng)在2020前將投資4萬億元用于智能電網(wǎng)的建設(shè)。在國(guó)家電網(wǎng)看來，要建設(shè)以特高壓電網(wǎng)為骨干網(wǎng)架、各級(jí)電網(wǎng)協(xié)調(diào)發(fā)展的中國(guó)特色堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)，其中物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用

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2010-06-21

智能電網(wǎng) 物聯(lián)網(wǎng) 國(guó)家電網(wǎng) 傳感器網(wǎng)絡(luò)
美華裔科學(xué)家因電子芯片榮膺杰出創(chuàng)新家

麻省理工學(xué)院(MIT)權(quán)威雜志“科技評(píng)論”(Technology Review)選出華裔科學(xué)家傅佳偉(Kevin Fu)，為2009年度杰出創(chuàng)新家(2009 Innovator of the Year)。因?yàn)樗l(fā)展出的科技可望對(duì)人類的未來造成重大影響。傅佳

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2010-06-21

電子芯片無線電頻率 EV CD
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作

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2010-06-21

DRAM 聯(lián)電爾必達(dá) 3D芯片
硅品吃超威CPU封測(cè)大單

封測(cè)大廠硅品精密（2325）拿下超威（AMD）中央處理器（CPU）封測(cè)大單！超威5月中旬已對(duì)ODM/OEM廠及合作伙伴發(fā)出產(chǎn)品變更通知（PCN），將釋出8款處理器委由硅品代工覆晶封測(cè)，主要集中在Athlon II X2及Sempron等兩款處

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2010-06-21

CPU AMD PC SE
新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

封測(cè)廠等了多年的IDM廠委外釋單，終于見到明顯增加，而會(huì)讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來的主要原因，卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今，英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外，英飛凌、德儀等大廠也

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2010-06-21

CPU 晶圓封裝 DM
臺(tái)積電杜東佑：專利是可營(yíng)運(yùn)資產(chǎn)

臺(tái)積電法務(wù)長(zhǎng)杜東佑（Richard Thuseton）今年再度獲得臺(tái)灣區(qū)最佳年度企業(yè)法務(wù)大獎(jiǎng)（IP Counsel of the Year Award），而臺(tái)積電與中芯國(guó)際間的專利侵權(quán)官司以和解收?qǐng)?，更證實(shí)了杜東佑帶領(lǐng)的臺(tái)積電法務(wù)團(tuán)隊(duì)，的確是實(shí)

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2010-06-21

晶圓代工臺(tái)積電 IP SE
22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象

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2010-06-21

元件 RF SRAM FINFET
IBM采用直徑3nm FET25級(jí)環(huán)形振蕩器動(dòng)作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)

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2010-06-21

IBM 環(huán)形振蕩器柵極 FET
TSMC、美商Stion簽訂技術(shù)與生產(chǎn)供應(yīng)協(xié)議

臺(tái)積電(TSMC)與薄膜太陽能電池模塊業(yè)者美商Stion公司宣布，雙方已經(jīng)在技術(shù)授權(quán)、生產(chǎn)供應(yīng)以及合作開發(fā)方面簽訂一系列的協(xié)議。同時(shí)， TSMC 關(guān)系企業(yè) VentureTech Alliance 公司，也將投資美商Stion公司5,000萬美金，

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2010-06-21

ST IO TSMC
ICC、TSMC、復(fù)旦大學(xué)共創(chuàng)產(chǎn)學(xué)研合作三贏

前不久，上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心(以下簡(jiǎn)稱ICC)與TSMC、復(fù)旦大學(xué)共同宣布，將攜手展開系列產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟合作。根據(jù)協(xié)議，TSMC將通過ICC的MPW 服務(wù)平臺(tái)為復(fù)旦大學(xué)提供65nm先進(jìn)工藝的多項(xiàng)目晶圓服務(wù)，并為復(fù)旦大學(xué)

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2010-06-21

中國(guó)集成電路 IC TSMC
臺(tái)積電：14nm制程節(jié)點(diǎn)將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計(jì)劃。其中來自半導(dǎo)體

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2010-06-21

晶體管節(jié)點(diǎn) 臺(tái)積電 ST
市場(chǎng)轉(zhuǎn)好 WSTS及 SIA提高預(yù)測(cè)

如果您是半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)言者，六個(gè)月過去將作什么調(diào)整？隨著前幾個(gè)月半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)入增長(zhǎng)時(shí)代，WSTS及SIA將調(diào)整去年11月的預(yù)測(cè)，而作新的2010年半年預(yù)測(cè)。目前WSTS對(duì)于2010年非常樂觀，與先前的預(yù)測(cè)相比，增加3倍達(dá)29％為

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2010-06-21

存儲(chǔ)器 ST GE
蔣尚義：臺(tái)積電14nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以 Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計(jì)劃。其中來自半導(dǎo)體

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2010-06-20

晶體管節(jié)點(diǎn) 臺(tái)積電 ST
Intel新版32nm工藝叩開智能手機(jī)之門

Intel嘗試進(jìn)入智能手機(jī)領(lǐng)域由來已久，但始終不得其門而入，現(xiàn)在憑借新工藝而實(shí)現(xiàn)的RF SoC，Intel有希望再跨過一道檻了。無論是ARM架構(gòu)的XScale芯片，還是x86 Atom架構(gòu)的片上系統(tǒng)(SoC)，Intel在智能手機(jī)領(lǐng)域內(nèi)的努

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2010-06-19

Intel 智能手機(jī) SoC RF
派睿電子母公司榮膺FCI 頒發(fā)的“卓越表現(xiàn)–增長(zhǎng)最快分銷商”大獎(jiǎng)

派睿電子的母公司Premier Farnell集團(tuán)日前獲得了由FCI頒發(fā)的 “卓越表現(xiàn)-增長(zhǎng)最快分銷商”獎(jiǎng)項(xiàng)，以表彰該公司在FCI收入增長(zhǎng)及新客戶獲得方面所取得的成就。 Premier Farnell是大會(huì)上唯一一家在2010年5月25日FCI在深

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2010-06-19

派睿電子 LEM 電子設(shè)計(jì)工程 FCI

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智能電網(wǎng)發(fā)展需要支撐八成業(yè)務(wù)涉物聯(lián)網(wǎng)

美華裔科學(xué)家因電子芯片榮膺杰出創(chuàng)新家

聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

硅品吃超威CPU封測(cè)大單

新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

臺(tái)積電杜東佑：專利是可營(yíng)運(yùn)資產(chǎn)

22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

IBM采用直徑3nm FET25級(jí)環(huán)形振蕩器動(dòng)作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

TSMC、美商Stion簽訂技術(shù)與生產(chǎn)供應(yīng)協(xié)議

ICC、TSMC、復(fù)旦大學(xué)共創(chuàng)產(chǎn)學(xué)研合作三贏

臺(tái)積電：14nm制程節(jié)點(diǎn)將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

市場(chǎng)轉(zhuǎn)好 WSTS及 SIA提高預(yù)測(cè)

蔣尚義：臺(tái)積電14nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

Intel新版32nm工藝叩開智能手機(jī)之門

派睿電子母公司榮膺FCI 頒發(fā)的“卓越表現(xiàn)–增長(zhǎng)最快分銷商”大獎(jiǎng)

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