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市場(chǎng)持續(xù)下滑趨勢(shì)明顯 芯片市場(chǎng)2009年難出困境
近期，英特爾、AMD以及意法半導(dǎo)體等全球芯片廠商相繼發(fā)布了今年第一季度財(cái)報(bào)，受整體市場(chǎng)需求下滑影響，各廠商的凈利潤(rùn)均出現(xiàn)了不同程度的下滑。雖然都好于分析師的預(yù)期，但仍有專家認(rèn)為，市場(chǎng)整體下滑趨勢(shì)將延續(xù)到今
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三星預(yù)估DRAM增長(zhǎng)10-15% 分析師稱過(guò)于保守
韓國(guó)電子公司三星宣布，預(yù)估今年DRAM出貨量將增長(zhǎng)10-15%，而NAND閃存出貨則估計(jì)上漲25-30%。 三星高層曾在 4月表示，預(yù)估廣泛用于個(gè)人電腦的DRAM芯片，在今(2009)年出貨量將有10%-15%的增長(zhǎng)，由去年10月的預(yù)估值降下
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TI實(shí)現(xiàn)硅芯片組件嵌入PCB 較傳統(tǒng)封裝減薄 50%
德州儀器(TI)宣布推出采用PicoStar(TM)封裝的集成電路(IC)，力助便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員大幅節(jié)省板級(jí)空間。該超薄型封裝細(xì)如發(fā)絲，是業(yè)界率先可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將硅芯片組件嵌入印刷電路板(PCB)的先進(jìn)技術(shù)，能
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MEMS振蕩器與石英技術(shù)
從簡(jiǎn)單的精度約30 000ppm的RC振蕩器，到精度優(yōu)于0.001ppb的原子鐘，有很多滿足不同應(yīng)用要求的時(shí)鐘選項(xiàng)。多年以來(lái)，體聲波(BAW)晶體振蕩器可用以滿足大多數(shù)要求，它提供的精度在10ppm范圍內(nèi)。精度低一些的選擇，如SAW振蕩器、陶瓷振蕩器以及IC振蕩器，它們各自具有其滿足特定需求的優(yōu)勢(shì)。
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如何扭轉(zhuǎn)電壓比較器不被重視的問(wèn)題
電壓比較器在單片機(jī)中的出現(xiàn)始于20世紀(jì)90年代末。當(dāng)時(shí)，大家認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)僅降低了成本而已。因?yàn)?，這樣的比較器需要的硅器件較少，又能使單片機(jī)比較兩個(gè)模擬電壓。于是，認(rèn)為電壓比較器僅僅是一個(gè)“1位ADC”的觀點(diǎn)始終占據(jù)主導(dǎo)地位，并且一直持續(xù)到21世紀(jì)的頭幾年。
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模擬IC市場(chǎng)企穩(wěn) 復(fù)蘇仍需時(shí)間
市場(chǎng)研究公司iSuppli公司表示，模擬IC市場(chǎng)已經(jīng)企穩(wěn)，主要是由于需求增長(zhǎng)以及價(jià)格下滑放緩，但是市場(chǎng)真正復(fù)蘇仍然需要時(shí)間。第二季度全球單片模擬芯片平均合約價(jià)格下滑3.9%，而第一季度和去年第四季度下降幅度分別為7
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臺(tái)積電首度考慮布局非芯片產(chǎn)業(yè)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電CEO蔡力行接受英國(guó)金融時(shí)報(bào)采訪時(shí)表示，臺(tái)積電將在太陽(yáng)能等綠色能源領(lǐng)域積極尋找發(fā)展機(jī)會(huì)。這將是臺(tái)積電成立22年來(lái)首度表示將在芯片制造業(yè)以外考慮拓展，以彌補(bǔ)半導(dǎo)體業(yè)不斷下滑的近況。 蔡
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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Linear推出一對(duì) 16 位增量累加 ADC
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一對(duì) 16 位增量累加 ADC LTC2460 和 LTC2462，這兩款器件都在纖巧 3mm x 3mm DFN 封裝中集成了一個(gè)精確基準(zhǔn)。該集成的基準(zhǔn) (典型值為 2ppm/ºC，最大值為 10p
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霍尼韋爾傳感控制全球研發(fā)中心與制造基地在南京正式啟用
全球500強(qiáng)企業(yè)霍尼韋爾傳感與控制部，在中國(guó)南京江寧科學(xué)園區(qū)建立了其在中國(guó)的首家全球研發(fā)中心與制造基地，并于5月6日在該園區(qū)舉行了隆重的啟用儀式。該項(xiàng)目的正式啟用有助于進(jìn)一步增強(qiáng)其在中國(guó)的研發(fā)與生產(chǎn)能力。作
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全新系列功率MOSFET晶體管（ST）
意法半導(dǎo)體（ST）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強(qiáng)，電能損耗更低，特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950
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數(shù)字式時(shí)間繼電器抗干擾解決方案
隨著數(shù)字技術(shù)和相關(guān)專業(yè)的不斷發(fā)展，繼電保護(hù)技術(shù)也有了很大發(fā)展，如靜態(tài)繼電器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用，其中數(shù)字式時(shí)間繼電器作為基礎(chǔ)元件，已廣泛應(yīng)用于各種繼電保護(hù)及自動(dòng)控制回路中，使被控制設(shè)備或電路的動(dòng)作獲
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無(wú)功補(bǔ)償裝置及應(yīng)用(四)
摘要：本文講述了無(wú)功補(bǔ)償?shù)幕靖拍?，介紹了各種無(wú)功補(bǔ)償裝置的原理和應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：無(wú)功功率；補(bǔ)償；裝置；應(yīng)用 (上接總第121期P．43) 對(duì)于TCR的三相電路來(lái)說(shuō)，一般采用三角形(△)連接方式，如圖10所示?！?/p>
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日月光獲英特爾南橋芯片大部分訂單
全球最大晶片龍頭英特爾(Intel)今年初開(kāi)始關(guān)閉不具經(jīng)濟(jì)效益的封測(cè)廠，業(yè)界傳出，英特爾評(píng)估將全面釋出南橋芯片(south bridge)的封裝代工訂單，并由全球最大封測(cè)廠日月光囊括絕大部分訂單，對(duì)日月光本季及下半年?duì)I運(yùn)將
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第一季度DRAM廠商排名出爐 Micron重獲第三
今年第一季度，美國(guó)存儲(chǔ)器制造商Micron Technology重返全球DRAM市場(chǎng)份額三甲行列。 iSuppli存儲(chǔ)IC首席分析師Nam Hyung Kim指出，第一季度Micron超過(guò)日本Elpida重獲DRAM市場(chǎng)第三名的位置。 第一季度DRAM銷售額為4.8
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- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（三）
- 有獎(jiǎng)活動(dòng)：貿(mào)澤電子硬件狂想設(shè)計(jì)大賽
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