從簡單的精度約30 000ppm的RC振蕩器，到精度優(yōu)于0.001ppb的原子鐘，有很多滿足不同應用要求的時鐘選項。多年以來，體聲波(BAW)晶體振蕩器可用以滿足大多數(shù)要求，它提供的精度在10ppm范圍內。精度低一些的選擇，如SAW振蕩器、陶瓷振蕩器以及IC振蕩器，它們各自具有其滿足特定需求的優(yōu)勢。

長期以來，石英基器件被作為大多數(shù)其他定時器件用來比較的標準。石英作為頻率選擇與定時器件的穩(wěn)定、可控的高質量材料的歷史得到了廣泛認可，并且頻率溫度響應、老化率以及抖動與相位噪聲特性也在業(yè)界被詳盡記載。

圖1 相位噪聲圖

與基于MEMS的振蕩器相關的最新介紹常常伴有一些論斷，認為該技術可提供更低的成本、更短的設計與生產周期、卓越的沖擊與振動性能以及更為出色的信號質量，從而將最終取代石英。除了這些論斷外，已獲得的能夠有助于理解MEMS振蕩器特性的研究極少。本研究力圖提供MEMS振蕩器與傳統(tǒng)基于石英諧振器的振蕩器的直接對比。多年以來，體聲波晶體振蕩器以其10×10-6精度范圍滿足了絕大多數(shù)需求。

研究方法
這里給出的結果基于典型頻率控制的業(yè)界測量技術的應用，并代表了在2008年進行此研究時獲得的商業(yè)化技術。許多電特性被評估，包括頻率溫度特性、相位噪聲/抖動、短期穩(wěn)定度、啟動時間、電流與長期穩(wěn)定度(老化率)。

上述產品均為CMOS電平輸出，工作在3.0或3.3V，輸出頻率為25～50MHz。測試的BAW石英晶體振蕩器，25MHz時為基諧波模式，50MHz時為三階諧波模式。這里給出的結果為典型器件的測試值或該型號的多個器件的平均值。

相位噪聲/抖動
這里采用安捷倫（Agilent）5052信號源分析儀測試系統(tǒng)進行測量。該系統(tǒng)測量除有效信號外的其他輸出信號電平，它還是實際主輸出電平的參考。振蕩器在同樣的電容器旁路的帶15pF負荷的固定設備中工作，由低噪聲Agilent線性電源供電。

如圖1所示，較高的相位噪聲水平表明MEMS振蕩器技術并不是一項等效技術。Agilent測試系統(tǒng)測試結果表明，當前通信與數(shù)據(jù)傳輸應用很可能出現(xiàn)抖動的問題。

相位噪聲圖很好地展示了這些采用了不同技術的器件的設計與特性。鄰近區(qū)相位噪聲水平(<1kHz)主要取決于Q值或諧振器的選擇，石英BAW諧振器的選擇性遠高于其他MEMS器件。

(a)和MEMS2諧振振蕩器

(b)的短期穩(wěn)定度

圖2 MEMS1諧振振蕩器

1～100kHz部分反映了設計的相關信息。MEMS振蕩器采用鎖相環(huán)(PLL)設計，在該設計中MEMS諧振器由M/N合成環(huán)路的VCO鎖相。MEMS振蕩器的相位噪聲水平是PLL環(huán)路帶寬、VCO選擇性與主要諧振器的Q值共同影響的結果。石英諧振器器件工作在輸出頻率，且在輸出端沒有PLL的附加噪聲信號。
相位噪聲可在確定的頻率區(qū)間上積分并從頻域轉換至時域，以提供抖動值的均方根，如表1所示。這是計算基于石英晶體的諧振器抖動的常規(guī)作法，石英晶體的抖動性能通常等于或超過最好的示波器。

短期穩(wěn)定度
如圖2所示，此處給出的短期穩(wěn)定度數(shù)據(jù)是在8分鐘內每隔0.1s測量穩(wěn)定在25℃（誤差僅零點幾度）的振蕩器的頻率值。各部分均由安捷倫53152頻率計數(shù)器測試，該計數(shù)器利用銣原子頻率標準參考源進行工作。頻率變化以第一次讀數(shù)的百萬分率為單位顯示在圖中。

BAW振蕩器的圖表（此處不再列出，但在完整研究報告中可找到）為大多數(shù)人所熟知。對于相同的測試，典型的BAW振蕩器偏差低于±0.02ppm，這樣會在零偏差圖表線處形成一條直線。

數(shù)據(jù)表明兩種技術并不完全一樣，同時展示了不同器件的設計與特性。
● MEMS器件的低Q值導致更嚴重的頻率偏差。
● MEMS器件顯示了每百萬分之幾的階躍變化。這是校正諧振器溫度變化的溫度補償電路的特性。該特性可列成PLL電路中的數(shù)字變化表從而校正頻率。
● MEMS1與MEMS2的設計(兩個不同制造商)在數(shù)字補償切換頻率上完全不同。
● BAW晶體諧振器更穩(wěn)定，從而具有更高的諧振器Q值，且沒有數(shù)字校正信號。
該研究采用已有測量技術對商用BAW與MEMS振蕩器的多種不同電特性進行了比較，在此基礎上進行了部分討論，并在表2中做了相應總結。結果表明，兩種技術是不可互換的。頻率偏差、MEMS振蕩器的低Q值與數(shù)字溫度補償都造成了許多應用中不可接受的頻率波動。

過去嘗試以數(shù)字方式實現(xiàn)BAW振蕩器的溫度補償在市場上沒有成功，原因在于補償階躍，盡管事實上它比MEMS振蕩器中采用的步長明顯小很多。例如，目前手機的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)均采用模擬補償。
MEMS振蕩器看起來非常適用于高振動環(huán)境、對定時要求不高的應用以及信噪比要求不高的應用。而具有復合調制方案、非常高速的通信或需要極佳的信噪比性能的應用(如A/D轉換器)仍將繼續(xù)通過BAW器件定時，利用石英的高Q值以及極佳的溫度穩(wěn)定性。