中心議題: CPU芯片的封裝技術發(fā)展 各種封裝技術的優(yōu)缺點解決方案: 芯片面積與封裝面積之比為提高封裝效率,盡量接近1:1 引腳要盡量短以減少延遲,引腳間的距離盡量遠,以保證互不干擾,提高性能 基于散熱的要求,封
因應大陸由世界工廠轉為全球市場,臺灣半導體協(xié)會理事長暨臺積電新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行昨(25)日表示,臺灣居于有利地位,尤其臺灣半導體有很強的垂直整合供應鏈,日本則具備先進技術優(yōu)勢,臺日連手有助搶進大陸市場
據(jù)iSuppli公司的最新調研,在經(jīng)歷了近年來最糟糕的一年之后,微機電(MEMS)汽車傳感器將在2010年強勁反彈,但銷售持續(xù)紅火可能在今年稍晚的時候導致市場過熱,進而把該產(chǎn)業(yè)拖回到衰退之中。 預計2010年全球汽車MEMS傳
IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業(yè)巨頭今天聯(lián)合宣布,他們將合作實現(xiàn)半導體制造工廠的同步,共同使用IBM技術聯(lián)盟開發(fā)的28nm低功耗工藝生產(chǎn)相關芯片。 據(jù)了解,這種同步模式將確??蛻舻男酒O計
臺積電董事長張忠謀24日發(fā)表演說指出,產(chǎn)能和需求最好能夠相符合,但這是可遇而不可求的,若要從「產(chǎn)能不足」或「產(chǎn)能太多」兩者中擇一,他寧可選擇產(chǎn)能太多,因此臺積電的策略是保留10~15%產(chǎn)能,以應付超過預估訂單
隨著IC組件微縮、制程進入28奈米以下,半導體業(yè)者若能掌握微影技術主控權,就等于卡位先進制程領導地位,臺積電未來研發(fā)重點放在28奈米以下,尤其為力拼20奈米制程,全力備妥戰(zhàn)斗武器,臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣
臺系砷化鎵(GaAs)晶圓代工大廠穩(wěn)懋半導體召開股東會,除承認2009年財報外,并全面改選董事及監(jiān)察人。穩(wěn)懋董事長陳進財、穩(wěn)懋微波事業(yè)群總經(jīng)理王郁琦、穩(wěn)懋事業(yè)群總經(jīng)理張文銘以及英業(yè)達集團會長葉國一等原任董事皆繼
日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術的50nm制程2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā),這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達設在德國慕尼黑的設計中心開發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm2GbGDDR5顯存樣片,而這款
無晶圓廠通信芯片公司Broadcom日前宣布,它已同意支付4750萬美元現(xiàn)金收購RFID和NFC(短距離通信)電路暨知識產(chǎn)權領先廠商——InnovisionResearch&Technology。該交易已得到Innovision(英國賽倫塞斯特)董事會的同意,對
在23日召開的2010中國國際互聯(lián)網(wǎng)大會上,復旦大學信息學院院長鄭立榮表示,RFID僅僅是物聯(lián)網(wǎng)的技術之一,實際上我們想要的服務還沒有技術來提供。RFID不是一個新技術、以往在物品上放一個RFID,主要用于對物品的跟蹤
物聯(lián)網(wǎng),這個剛興起不久的新名詞意味著什么?其實,它并不特別,它不過是互聯(lián)網(wǎng)技術、全球定位系統(tǒng)等一系列信息技術的結合產(chǎn)物。但是,它又很特別,它的出現(xiàn),就像是給每臺工程機械裝上了黑匣子。更重要的是,它意味著
據(jù)iSuppli公司的最新調研,在經(jīng)歷了近年來最糟糕的一年之后,微機電(MEMS)汽車傳感器將在2010年強勁反彈,但銷售持續(xù)紅火可能在今年稍晚的時候導致市場過熱,進而把該產(chǎn)業(yè)拖回到衰退之中。預計2010年全球汽車MEMS傳感
22日,工業(yè)和信息化部通信發(fā)展司司長張峰在上海出席2010中國國際物聯(lián)網(wǎng)大會暨第三屆上海通信發(fā)展論壇時透露,工信部已將物聯(lián)網(wǎng)規(guī)劃納入到“十二五”的專題規(guī)劃,正在積極研究推進。在該消息刺激下,物聯(lián)網(wǎng)
這家臺資電子巨頭的大陸地產(chǎn)資產(chǎn)已計劃回臺上市 “說日月光是從電子 制造業(yè) 跨足地產(chǎn),這并不準確。事實上,日月光最早就是做房地產(chǎn)業(yè)的,可以說,房地產(chǎn)已伴隨日月光20多年?!?月23日,日月光集團地產(chǎn)專家、上海
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標準電壓。其前一代產(chǎn)品的容值為40µF~1100&mic