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  • GF兇悍搶單 瞄準(zhǔn)英偉達(dá)意法

    全球晶圓（Globalfoundries）來(lái)臺(tái)舉行技術(shù)論壇，挑戰(zhàn)晶圓雙雄企圖心強(qiáng)，尤其日前傳出臺(tái)積電主力客戶、繪圖芯片大廠英偉達(dá)（nVidia）與全球晶圓簽約，成為這次全球晶圓來(lái)臺(tái)最受關(guān)注焦點(diǎn)。 全球晶圓今年擴(kuò)產(chǎn)積極，

  • 利多加持 晶電、臺(tái)積電強(qiáng)勢(shì)

    晶電（2448-TW）將與大陸最大的面板及監(jiān)視器集團(tuán)「中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)」合資成立LED磊晶廠，成為該集團(tuán)旗下冠捷、熊貓、長(zhǎng)城等大廠LED晶粒主要供貨商，可望奪下大陸市場(chǎng)龐大商機(jī)。 受此利多消息激勵(lì)，晶電昨日

  • 2010年全球硅晶圓出貨量　可望創(chuàng)新高

    走過(guò)2008、2009年景氣低潮后，半導(dǎo)體業(yè)在2010年出現(xiàn)爆熱景氣，全球硅晶圓出貨量在2010年應(yīng)也能達(dá)到新高。 根據(jù)業(yè)者表示，與2009年72億平方英吋出貨量相比，2010年硅晶圓出貨量年增率應(yīng)可達(dá)23.6%，總面積可來(lái)到89

  • 菱生布局MEMS封裝，明年業(yè)績(jī)將逐步增溫

    IC 封測(cè)廠菱生(2369)近年來(lái)默默布局MEMS封裝市場(chǎng)，除了原先Akustia客戶 (已被德國(guó)大廠Bosch并購(gòu)) 之外，今年還加入InvenSense陀螺儀封裝等訂單，雖然目前MEMS僅占營(yíng)收比重2-3%，不過(guò)卻較同業(yè)領(lǐng)先布局，在商機(jī)的掌握

  • 內(nèi)存第4季景氣混沌　封測(cè)代工價(jià)下滑壓力增

    隨著時(shí)序即將進(jìn)入第4季，各廠的封測(cè)代工價(jià)格陸續(xù)洽談中，但DRAM客戶因景氣因素，要求封測(cè)廠降價(jià)的壓力較前3季明顯，尤以臺(tái)廠降幅較大，幅度為2~3%左右。平均而言，第4季整體代工平均單價(jià)(ASP)降幅大于第3季。 由于下

  • 晶圓代工4Q價(jià)格約降1成臺(tái)積電10月起營(yíng)收走滑

    隨著淡季到來(lái)、產(chǎn)能利用率降低，晶圓代工廠近期已陸續(xù)對(duì)一線客戶進(jìn)行價(jià)格折讓，第4季價(jià)格平均約降1成，盡管臺(tái)積電9月營(yíng)收可望持續(xù)登頂，但預(yù)期從10月起轉(zhuǎn)弱，營(yíng)收逐月下滑，整體第4季在智能型手機(jī)相關(guān)芯片需求暢旺支

  • 2010年全球硅片出貨量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)23.6%

    據(jù)iSuppli公司的半導(dǎo)體制造市場(chǎng)研究，按面積計(jì)算，全球硅片出貨量將在2010年增長(zhǎng)到紀(jì)錄最高水平。iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年硅片出貨量將增長(zhǎng)23.6%，從2009年的72億平方英寸上升到89億平方英寸。到2014年，總體硅片出貨

  • 存儲(chǔ)器大廠重兵部署MobileRAM明年激戰(zhàn)難免

    高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng)，全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(SamsungElectronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署MobileRAM市場(chǎng)，由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少，國(guó)際存儲(chǔ)器大

  • 東芝從ARM獲得“Cortex-M0”的授權(quán)

    英國(guó)ARM宣布，東芝獲得了該公司處理器內(nèi)核“Cortex-M0”的授權(quán)。東芝從1999年開始與ARM建立合作關(guān)系，2008年推出了以“Cortex-M3”為基礎(chǔ)的MCU“TX03”系列。據(jù)ARM介紹，此次的Cortex-M0內(nèi)核可直接利用該公司原來(lái)面向

  • 爾必達(dá)30納米制程DRAM邁入量產(chǎn)

    日廠爾必達(dá)(Elpida)將自2010年12月開始導(dǎo)入30納米前半制程量產(chǎn)DRAM，與同年7月早一步投入30納米前半制程DRAM量產(chǎn)的三星電子(SamsungElectronics)較勁。據(jù)悉，新的制程技術(shù)可撙節(jié)約30%的生產(chǎn)成本。爾必達(dá)另計(jì)劃2011年

  • 基于Mercury的晶片級(jí)測(cè)試座良品率提高6%

    Multitest宣布全球最大的無(wú)晶圓半導(dǎo)體制造商之一對(duì)基于Mercury的晶片級(jí)測(cè)試座進(jìn)行了評(píng)估，結(jié)果發(fā)現(xiàn)該產(chǎn)品優(yōu)于以往傳統(tǒng)的POGO型彈簧針解決方案。Mercury測(cè)試座有八個(gè)試驗(yàn)位，每個(gè)試驗(yàn)位將近200個(gè)彈簧探針。客戶為滿足

  • 中芯國(guó)際盛會(huì)廣邀合作者探討新技術(shù)

    本報(bào)訊 （記者張金萍）“中芯國(guó)際2010年技術(shù)研討會(huì)”日前在滬拉開帷幕。這是中芯國(guó)際成立十周年來(lái)的第十屆技術(shù)研討會(huì)，也是在新領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)下首次舉辦的研討會(huì)。這次研討會(huì)展示了中芯國(guó)際最先進(jìn)的制造技術(shù)以及IC設(shè)計(jì)科技

  • 寬帶低噪聲放大器ADS仿真與設(shè)計(jì)

    介紹一種X波段寬帶低噪聲放大器(LNA)的設(shè)計(jì)。該放大器選用NEC公司的低噪聲放大管NE3210S01(HJFET)，采用微帶阻抗變換型匹配結(jié)構(gòu)和兩級(jí)級(jí)聯(lián)的方式，利用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)、優(yōu)化和仿真。最后設(shè)計(jì)的放大器在10～13 GHz范圍內(nèi)增益為25．4 dB+0．3 dB，噪聲系數(shù)小于1．8 dB，輸入駐波比小于2，輸出駐波比小于1．6。該放大器達(dá)到了預(yù)定的技術(shù)指標(biāo)，性能良好。

  • 福雷電子登陸 投審會(huì)通過(guò)

    半導(dǎo)體封裝大廠日月光轉(zhuǎn)投資子公司福雷電子登陸案，投審會(huì)昨日予以通過(guò)，官員表示，福雷電子在上海成立「日月光集成電路制造公司」，預(yù)計(jì)投入1億美元，由于日月光申請(qǐng)的為中低階封裝測(cè)試的焊線型技術(shù)，因此經(jīng)過(guò)關(guān)鍵技

  • 一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

    提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對(duì)PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。

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