總投資額25億美元的英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司本月初在大連經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)落成投產(chǎn),這是英特爾公司在亞洲的第一個晶圓制造工廠,在全球第八家300毫米晶圓廠,也是1992年后其新建的第一座晶圓廠。 英特爾半導(dǎo)體
特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開發(fā)了附帶防止逆流功能、最大輸出電流700mA的高速電壓調(diào)整器、XC6227系列產(chǎn)品。XC6227系列是附帶防止逆流功能、高精度(±1%)、高紋波抑制(65dB@1kHz)、低壓差(120mV
Analog Devices, Inc. (ADI)推出業(yè)界首款完全差分衰減精密放大器 AD8475。這款放大器解決了工業(yè)、儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用中的一個常見問題,能使高達±10 V 的信號與單電源 ADC 接口。AD8475具有高精度和低功耗的特
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款全新逐次逼近寄存器 (SAR) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC),其采用小型封裝,可提供同類最寬的電源與參考范圍以及低功耗。該 ADS7947、ADS7948 與 ADS7949 分別能夠以 12 位、10 位以及 8 位分辨
瀚瑞微電子(Pixcir)接獲夏普、優(yōu)派、漢王、大眾與Archos等新款平板計算機觸控IC訂單,全球品牌廠紛紛導(dǎo)入,帶動該公司明年營收將成長三至五倍,其投片的晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電旗下和艦與華虹同步受惠。 Pixc
艾睿電子宣布,已簽署收購Richardson Electronics旗下RF、無線與電源部門(Richardson RFPD)的全部資產(chǎn)與業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。這是艾睿一周內(nèi)發(fā)起的第二次收購行動,兩次行動的動機都是一樣的:擴大這家全球分銷商在亞太市
ISDB-T數(shù)字電視市場競爭開始變得激烈起來,前幾天以色列移動數(shù)字電視芯片供應(yīng)商思亞諾(www.siano-ms.com)也發(fā)布了一款支持ISDB-T高清數(shù)字電視標準的接收芯片,主要針對的是拉美和日本的數(shù)字電視市場。SMS2270支持ISD
編者點評:近期報道中芯國際的消息越來越多,反映它正在變化,是十分可喜的。然而中芯國際的發(fā)展與壯大要靠天時,地利及自身的努力。所謂天時指全球代工的大勢。地利是指中國政府在資金,政策等方面的支持。能否滿足
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計、驗證、和制造軟件及知識產(chǎn)權(quán) (IP) 的供應(yīng)商新思科技有限公司(納斯達克市場交易代碼:SNPS)和中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0
中國半導(dǎo)體界第一大龍頭中芯國際集成電路制造有限公司(以下簡稱中芯國際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0981.HK)日前宣布即將投資燦芯半導(dǎo)體,一家上海 ASIC 設(shè)計以及 Turnkey 服務(wù)公司。該協(xié)
華潤上華近日發(fā)布其新近開發(fā)完成的BCD工藝平臺,同時由其持有19%股權(quán)的8英寸生產(chǎn)線也推出多款新型BCD和0.13微米工藝平臺,以滿足客戶在離線電源、LED照明驅(qū)動等AC-DC轉(zhuǎn)換電路, 高電壓、高效能及高集成度等應(yīng)用市場的
臺積電(2330)28奈米接單再度報捷,獲美商巨積(LSI)新訂單,有助臺積電順利完成明年下半貢獻1%至2%營收目標。 巨積昨天昨(15)日宣布,推出28奈米客制化硅晶平臺,采用臺積電高效能(HP)高介電金屬閘制程技
艾薩(LSI)近日發(fā)表最新28奈米客制化硅晶平臺,該平臺采用臺積電28HP--高介電金屬閘制程技術(shù),包含一系列豐富的硅智財(IP)模塊和針對客制化系統(tǒng)單芯片(SoC)的先進設(shè)計方式。 艾薩客制解決方案部門資深副總裁暨總
根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insights統(tǒng)計,臺灣半導(dǎo)體廠積極擴充晶圓廠產(chǎn)能,已經(jīng)讓臺灣的晶圓廠月產(chǎn)能快速成長,預(yù)計明年中旬時,月產(chǎn)能將達300萬片8吋約當晶圓,超越日本成為全球擁有最大半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的國家。 由于自
繼德州儀器開始在美國12吋廠RFAB開始生產(chǎn)模擬IC之后,另一模擬芯片整合組件大廠美信半導(dǎo)體(Maxim)宣布,透過與臺灣DRAM大廠力晶科技合作,成功完成0.18微米雙載子/互補/擴散金屬氧化半導(dǎo)體(BCD-MOS)制程認證,并