在探討MOS管發(fā)熱的原因時(shí)，我們首先關(guān)注的是內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。當(dāng)芯片承受2mA的電流和300V的電壓時(shí)，其功耗將達(dá)到0.6W，這無疑會(huì)導(dǎo)致芯片發(fā)熱。值得注意的是，驅(qū)動(dòng)芯片所消耗的最大電流主要源于驅(qū)動(dòng)功率MOS管。為了降低芯片的功耗，我們可以采取一些措施，如減小功率MOS管的cgs電容、降低gate電壓以及優(yōu)化頻率。若這些參數(shù)無法調(diào)整，那么另一種策略是將芯片的功耗分散到芯片外的其他器件上，但需確保不會(huì)引入額外的功耗。簡而言之，就是通過優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)來降低芯片的溫度。

功率管的功耗主要分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗兩部分。在多數(shù)應(yīng)用場合，尤其是LED市電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，開關(guān)損耗往往遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs電容、芯片的驅(qū)動(dòng)能力以及工作頻率緊密相關(guān)。因此，解決功率管發(fā)熱問題可以從以下幾個(gè)方面著手：首先，選擇MOS功率管時(shí)，不能僅憑導(dǎo)通電阻大小來決定，因?yàn)閮?nèi)阻越小，其cgd和cgs電容也會(huì)越大。例如，1N60的cgs電容約為250pF，而5N60的則高達(dá)1200pF，選擇時(shí)需綜合考慮;其次，頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力也是關(guān)鍵因素。在頻率選擇上，需要權(quán)衡導(dǎo)通損耗與負(fù)載能力，避免頻率過高導(dǎo)致功率管發(fā)熱;最后，若需降低頻率，還需注意峰值電流或電感值的調(diào)整，以防止電感進(jìn)入飽和區(qū)域。若電感飽和電流足夠大，可以考慮將CCM模式調(diào)整為DCM模式，但這需要增加一個(gè)負(fù)載電容來實(shí)現(xiàn)。

反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因?這是一個(gè)典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為：為什么會(huì)有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的?

如下為反激式電源實(shí)現(xiàn)方案，該方案采用初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓(PSR)技術(shù)，

Q1導(dǎo)通時(shí)，變壓器初級(jí)電感存儲(chǔ)能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負(fù)載;

Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器初級(jí)線圈釋放能量，輸出續(xù)流二極管正向偏置，向輸出端提供電能;

開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級(jí)寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進(jìn)行充電，充電結(jié)束后寄生電容又釋放電能給寄生電感儲(chǔ)能，如此循環(huán)往復(fù)。

群友發(fā)出的圖片中，有2次諧振，

第一次諧振

該諧振產(chǎn)生的時(shí)間點(diǎn)在MOS管關(guān)斷的瞬間，等效諧振電路如下：

Loop：初次級(jí)間的漏電感、初級(jí)勵(lì)磁電感、功率MOSFET封裝電感之和

Coss：MOS管寄生電容、線路寄生電容

第二次諧振

這是開關(guān)電源DCM模式特有的一個(gè)振鈴現(xiàn)象，

此處你必須要了解開關(guān)電源電感如下兩種模式：

CCM：連續(xù)導(dǎo)通模式，次級(jí)端反射電流在MOS通斷，變壓器線圈換相期間不會(huì)到達(dá)0;

DCM：斷續(xù)導(dǎo)通模式，次級(jí)端反射電流在MOS通斷，變壓器線圈換相期間到達(dá)0。

在DCM模式下，當(dāng)MOS管關(guān)斷，且在次級(jí)反射電流消耗為0之前，次級(jí)線圈輸出相位的電壓高于實(shí)際輸出電壓;當(dāng)反射電流消耗為0，即次級(jí)線圈電流消耗為0時(shí)，實(shí)際輸出電壓由輸出電容提供，此時(shí)次級(jí)輸出相位的電壓等于0，在次級(jí)輸出相位電壓由高于輸出電壓到等于0的變化過程中，會(huì)出現(xiàn)電壓的衰減振蕩，而該衰減振蕩會(huì)耦合到初級(jí)線圈并加載在MOS與線圈連接的開關(guān)節(jié)點(diǎn)處。

由于該諧振給MOS管的寄生電容充電，若MOS在此時(shí)導(dǎo)通，則可能碰到寄生電容電位被充到較高的時(shí)刻，此時(shí)寄生電容所充電的能量若被直接導(dǎo)到GND會(huì)造成MOS管的導(dǎo)通損耗，針對(duì)該問題，誕生出了準(zhǔn)諧振技術(shù)，即：DCM模式下，初級(jí)側(cè)MOS在開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧振電壓擺幅的谷底附近導(dǎo)通

MOS管發(fā)燙的原因，反激電源中的MOS管發(fā)燙可能有多種原因，以下是一些可能的原因：

1. 電路設(shè)計(jì)問題：如果MOS管工作在線性狀態(tài)而不是開關(guān)狀態(tài)，可能會(huì)導(dǎo)致MOS管發(fā)燙。此外，如果MOS管沒有完全打開，壓降過大，也會(huì)造成功率消耗和發(fā)燙。

2. 散熱設(shè)計(jì)不足：MOS管需要良好的散熱才能達(dá)到其標(biāo)稱的電流值。如果散熱設(shè)計(jì)不足，電流過高，MOS管可能會(huì)發(fā)燙嚴(yán)重。

3. 頻率過高：有時(shí)為了追求體積，頻率可能會(huì)提高，導(dǎo)致MOS管上的損耗增大，從而發(fā)熱增加。

4. MOS管選型錯(cuò)誤：如果MOS管的選型有誤，例如對(duì)功率判斷有誤，或者M(jìn)OS管內(nèi)阻沒有充分考慮，可能導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大，從而引發(fā)發(fā)熱。

5. 環(huán)境溫度過高：如果工作環(huán)境溫度過高，例如在高溫車間，也可能導(dǎo)致MOS管發(fā)燙。

6. 電源電壓過低：電源電壓過低可能導(dǎo)致MOS管工作不正常，從而產(chǎn)生過多的熱量。

解決MOS管發(fā)燙的措施，為了解決MOS管發(fā)燙的問題，可以采取以下措施：

1. 降低工作溫度：通過改善散熱條件，如增加散熱片或風(fēng)扇，降低MOS管的工作溫度。

2. 改善工作環(huán)境：確保工作環(huán)境溫度適中，避免在高溫環(huán)境下使用MOS管。

3. 減小負(fù)載：如果負(fù)載過大，特別是大電阻，可能導(dǎo)致MOS管發(fā)熱嚴(yán)重。通過減小負(fù)載或優(yōu)化電路設(shè)計(jì)來降低發(fā)熱。

4. 改善散熱條件：確保MOS管有足夠的散熱空間，并選擇合適的散熱器和散熱材料。

5. 過流保護(hù)動(dòng)作時(shí)及時(shí)斷開電源：在過流保護(hù)動(dòng)作發(fā)生時(shí)，及時(shí)斷開電源，避免電流長時(shí)間過大導(dǎo)致過熱。

6. 定期檢查和更換器件：定期檢查MOS管的工作狀態(tài)，如果發(fā)現(xiàn)器件老化或損壞，及時(shí)更換，以確保電路的正常運(yùn)行。

請注意，以上只是一些可能的原因和解決方案，具體情況可能因電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境和使用條件等因素而有所不同。如果問題持續(xù)存在或無法解決，建議咨詢專業(yè)工程師或技術(shù)人員進(jìn)行進(jìn)一步的排查和修復(fù)。