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[導(dǎo)讀]以下內(nèi)容中,小編將對(duì)模擬電路的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)模擬電路的了解,和小編一起來(lái)看看吧。

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一、模擬電路晶體管的取值過(guò)程

1. 確定晶體管工作點(diǎn)晶體管工作點(diǎn)的選擇是設(shè)計(jì)模擬電路的起點(diǎn)。晶體管的工作點(diǎn)通常由集電極電流IC、基極電流IB以及集電極電壓VCE確定。在一般的線性放大電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)選擇ICQ、IBQ和VCEQ作為晶體管的工作點(diǎn)參數(shù)。其中,ICQ是靜態(tài)工作點(diǎn)電流,表示晶體管在靜態(tài)工作時(shí)的集電極電流,IBQ為靜態(tài)基極電流,表示晶體管在靜態(tài)工作時(shí)的基極電流,VCEQ是靜態(tài)工作點(diǎn)電壓,表示晶體管在靜態(tài)工作時(shí)的集電極電壓。工作點(diǎn)的選擇應(yīng)該是對(duì)電路設(shè)計(jì)有利的,一般在合理范圍內(nèi)選擇,使得晶體管能夠在設(shè)定的放大范圍內(nèi)工作。2. 確定晶體管的類(lèi)型根據(jù)設(shè)計(jì)需要,選擇相應(yīng)類(lèi)型的晶體管,包括P型和N型,以及增強(qiáng)型和耗盡型。不同類(lèi)型的晶體管具有不同的特性,需要根據(jù)具體要求來(lái)進(jìn)行選擇。3. 確定晶體管的參數(shù)在確定晶體管參數(shù)時(shí),需要考慮到電路的放大要求、頻率響應(yīng)、輸出功率等方面。主要參數(shù)包括最大電流IC,飽和電壓VCEsat,輸入電容Cin,輸出電容Cout,最高工作頻率ft等。4. 確定偏置電源晶體管的偏置電源是其正常工作的重要保證。偏置電源的選擇應(yīng)該適當(dāng),可以采用直流偏置電源或者交流偏置電源。直流偏置電源常用于低頻放大器設(shè)計(jì),交流偏置電源常用于高頻放大器設(shè)計(jì)。5. 進(jìn)行精確測(cè)量在取值過(guò)程中,需要進(jìn)行精確的測(cè)量。利用特定的測(cè)試儀器對(duì)晶體管進(jìn)行測(cè)量,例如測(cè)量ICQ,IBQ,VCEQ等參數(shù),以及頻率響應(yīng)等指標(biāo)。

二、模擬電路大佬總結(jié)的經(jīng)驗(yàn)

1、增強(qiáng)型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用(開(kāi)啟電壓Vt),耗盡型FET則不需要柵源電壓,在正的Vds作用下,就有較大的漏極電流流向源極

2、N溝道的MOS管需要正的Vds(相當(dāng)于三極管加在集電極的Vcc)和正的Vt(相當(dāng)于三極管基極和發(fā)射極的Vbe),而P溝道的MOS管需要負(fù)的Vds和負(fù)的Vt。

3、VMOSFET有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)電流;開(kāi)關(guān)速度快、高頻特性好;負(fù)電流溫度系數(shù)、無(wú)熱惡性循環(huán),熱穩(wěn)定型優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。

4、運(yùn)算放大器應(yīng)用時(shí),一般應(yīng)用負(fù)反饋電流。

5、差分式放大電路:差模信號(hào):兩輸入信號(hào)之差。共模信號(hào):兩輸入信號(hào)之和除以2。由此:用差模與共模的定義表示兩輸入信號(hào)可得到一個(gè)重要的數(shù)學(xué)模型:任意一個(gè)輸入信號(hào)=共模信號(hào)±差模信號(hào)/2。

6、差分式放大電路只放大差模信號(hào),抑制共模信號(hào)。利用這個(gè)特性,可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對(duì)電路性能的影響。具體的性能指標(biāo):共模抑制比Kcmr。

7、二極管在從正偏轉(zhuǎn)換到反偏的時(shí)候,會(huì)出現(xiàn)較大的反向恢復(fù)電流從陰極流向陽(yáng)極,其反向電流先上升到峰值,然后下降到零。

8、在理想的情況下,若推挽電路的兩只晶體管電流、電壓波完全對(duì)稱(chēng),則輸出電流中將沒(méi)有偶次諧波成分,及推挽電路由已知偶次諧波的作用。實(shí)際上由于兩管特性總有差異,電路也不可能完全對(duì)稱(chēng),因此輸出電流還會(huì)有偶次諧波成分,為了減少非線性失真,因盡量精選配對(duì)管子。

9、為了獲得大的輸出功率,加在功率晶體管上的電壓、電流就很大,晶體管工作在大信號(hào)狀態(tài)下。這樣晶體管的安全工作就成為功率放大器的一個(gè)重要問(wèn)題,一般不以超過(guò)管子的極限參數(shù)(Icm、BVceo、Pcm)為限度。

10、放大電路的干擾:1、將電源遠(yuǎn)離放大電路2、輸入級(jí)屏蔽3、直流電源電壓波動(dòng)。

上述所有信息便是小編這次為大家推薦的有關(guān)模擬電路的內(nèi)容,希望大家能夠喜歡,想了解更多有關(guān)它的信息或者其它內(nèi)容,請(qǐng)關(guān)注我們網(wǎng)站哦。

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